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CD54HC251 , CD74HC251 ,
CD54HCT251 , CD74HCT251
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS169C
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8输入多路复用器,三态
描述
在“ HC251和” HCT251是8通道数字多路复用器
三态输出,制造高速硅
栅CMOS技术。与低功率
标准CMOS的消耗集成电路,它们
具备开车10 LSTTL负载的能力。三态
特点使得它们非常适合用于总线接口
线总线为导向的系统。
该多路同时具有真( Y)和补体( Y)
输出以及输出使能(OE )输入。在OE必须
为低逻辑电平,以使该设备。当OE
输入为高电平时,两个输出都处于高阻抗状态。
当启用时,处理的数据选择输入信息
决定了哪些数据输入被路由到Y和Y
输出。在“ HCT251逻辑系列是速度,功能,
引脚兼容标准的“ LS251 。
特点
选择其中八个二进制数据输入
[ /标题
(CD74
HC251
,
CD74
HCT25
1)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Input
多路复用器;
三态输出能力
真和补输出
典型(数据到输出), 14ns的传播延迟在
V
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
备用电源是飞利浦
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC251F3A
CD54HCT251F3A
CD74HC251E
CD74HC251M
CD74HC251MT
CD74HC251M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC251 , CD54HCT251
( CERDIP )
CD74HC251 , CD74HCT251
( PDIP , SOIC )
顶视图
I
3
1
I
2
2
I
1
3
I
0
4
Y 5
Y 6
OE 7
GND 8
16 V
CC
15 I
4
14 I
5
13 I
6
12 I
7
11 S0
10 S1
9 S2
CD74HCT251E
CD74HCT251M
CD74HCT251MT
CD74HCT251M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC251 , CD74HC251 , CD54HCT251 , CD74HCT251
工作原理图
OE
7
I
0
I
1
I
2
通道
输入
I
3
I
4
I
5
I
6
I
7
S
0
4
3
2
1
15
14
5
13
12
11
6
Y
输出
Y
10
数据S
1
SELECT
9
S
2
真值表
输入
SELECT
S2
X
L
L
L
L
H
H
H
H
S1
X
L
L
H
H
L
L
H
H
S0
X
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
控制OE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
Y
Z
I
0
I
1
I
2
I
3
I
4
I
5
I
6
I
7
Y
Z
I
0
I
1
I
2
I
3
I
4
I
5
I
6
I
7
产量
H =高电平, L =低电压等级,X =无关, Z =高阻抗
(关闭) ,我
0
, I
1
...I
7
=相应的输入电平。
2
CD54HC251 , CD74HC251 , CD54HCT251 , CD74HCT251
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
-
-4
-5.2
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
或V
IL
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
-
4
5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
3
CD54HC251 , CD74HC251 , CD54HCT251 , CD74HCT251
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
-
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
I
I
CC
-
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
(MA )
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
±0.1
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
-
最大
±1
80
±5.0
-
-
-
最大
±1
160
±10
单位
A
A
A
V
CC
(V)
6
6
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
6
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5.0
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
(注2 )
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
S0, S1, S2
I0 - I7
OE
单位负载
0.55
0.5
2.65
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC251 , CD74HC251 , CD54HCT251 , CD74HCT251
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
选择输出
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
21
-
-
-
12
-
-
-
11
-
-
-
-
-
-
60
245
49
-
42
175
35
-
30
140
28
-
24
75
15
13
10
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
305
61
-
52
220
44
-
37
175
35
-
30
95
19
16
10
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
370
74
-
63
265
53
-
45
210
42
-
36
110
22
19
10
15
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
数据输出
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
启用以高Z和启用
从高Z
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
=15pF
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟
选择输出
C
IN
CO
C
PD
-
-
-
-
-
5
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
12
-
-
60
-
18
-
12
42
-
35
-
30
-
15
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
44
-
38
-
19
10
-
53
-
-
-
-
-
-
-
-
-
63
-
53
-
45
-
22
10
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
数据输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
=15pF
启用以高Z和帮助T
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
从高Z
C
L
=15pF
输出转换时间
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
注意事项:
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
IN
C
PD
-
-
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每包。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HC251MT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CD74HC251MT
TIS
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电话:171-4755-1968(微信同号)
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CD74HC251MT
TI
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HC251MT
Texas Instruments
24+
10000
16-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HC251MT
Texas Instruments
24+
10000
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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