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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1404页 > CD74HC244M96
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS167E
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 ,
CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 ,
CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
高速CMOS逻辑器件
八路缓冲器/线路驱动器,三态
订购信息
产品型号
CD54HC240F3A
CD54HC244F3A
CD54HCT240F3A
CD54HCT241F3A
CD54HCT244F3A
CD74HC240E
CD74HC240M
CD74HC240M96
CD74HC241E
CD74HC241M
CD74HC241M96
CD74HC244E
CD74HC244M
CD74HC244M96
CD74HCT240E
CD74HCT240M
CD74HCT240M96
CD74HCT240PW
CD74HCT240PWR
CD74HCT240PWT
CD74HCT241E
CD74HCT241M
CD74HCT241M96
CD74HCT244E
CD74HCT244M
CD74HCT244M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
1997年11月 - 修订2004年10月
特点
HC / HCT240反相
[ /标题
(CD74
HC240
,
CD74
HCT24
0,
CD74
HC241
,
CD74
HCT24
1,
CD74
HC244
,
CD74
HC / HCT241非反相
HC / HCT244非反相
典型传播延迟=为8ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
下HC240
三态输出
缓冲输入
大电流总线驱动器输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
在“ HC240和” HCT240是一个反相三态缓冲器
有两个低电平有效输出使能。该CD74HC241 ,
“ HCT241 , ” HC244和“ HCT244非反相三
态缓冲器仅区别在于241具有一个主动 -
高一低电平有效的输出使能,并且在244有两个
低电平有效输出使能。所有这三种类型具有相同的
引脚排列。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
引脚
CD54HC240 , CD54HCT240 , CD54HCT241 ,
CD54HC244 , CD54HCT244
( CERDIP )
CD74HC240 , CD74HC241 , CD74HCT241 ,
CD74HC244 , CD74HCT244
( PDIP , SOIC )
CD74HCT240,
( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
240
1OE
1A0
2Y3
1A1
2Y2
1A2
2Y1
1A3
2Y0
GND
241
244
1OE
1A0
2Y3
1A1
2Y2
1A2
2Y1
1A3
2Y0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
241
244
20 V
CC
18 1Y0
17 2A3
16 1Y1
15 2A2
14 1Y2
13 2A1
12 1Y3
11 2A0
240
V
CC
1Y0
2A3
1Y1
2A2
1Y2
2A1
1Y3
2A0
19 2OE ( 241 ) 2OE ( 240 , 244 )
GND 10
工作原理图
241
244 240
1A0
1A1
1A2
1A3
2A0
2A1
2A2
2
4
6
8
11
13
15
18
16
14
12
9
7
5
3
1
图10E 10E中
2OE 2OE
19
1Y0
1Y1
1Y2
1Y3
2Y0
2Y1
2Y2
2Y3
1Y0
1Y1
1Y2
1Y3
2Y0
2Y1
2Y2
2Y3
240
17
和2A3
244 241
V
CC
= 20
GND = 10
2
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
83
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
-
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±0.5
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
HCT240
nA0-A3
1OE
2OE
HCT241
nA0-A3
1OE
2OE
HCT244
nA0-A3
1OE
2OE
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
1.5
1.5
0.7
0.7
单位负载
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
4
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
系统蒸发散
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大单位
参数
HC类型
传播延迟
数据输出
HC240
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
8
-
-
-
9
-
-
-
9
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
100
20
-
17
110
22
-
19
110
22
-
19
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
-
21
140
28
-
24
140
28
-
24
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
-
26
165
33
-
28
165
33
-
28
225
45
-
38
90
18
15
10
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
数据输出
HC241
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC244
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
输出启用和禁用
时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功率耗散电容
(注3,4)
HC240
HC241
HC244
HCT类型
传播延迟
数据输出
HCT240
数据输出
HCT241
数据输出
HCT244
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
-
-
5
5
5
-
-
-
38
34
46
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
9
-
10
-
10
22
-
25
-
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
28
-
31
-
31
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
33
-
38
-
38
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS167E
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 ,
CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 ,
CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
高速CMOS逻辑器件
八路缓冲器/线路驱动器,三态
订购信息
产品型号
CD54HC240F3A
CD54HC244F3A
CD54HCT240F3A
CD54HCT241F3A
CD54HCT244F3A
CD74HC240E
CD74HC240M
CD74HC240M96
CD74HC241E
CD74HC241M
CD74HC241M96
CD74HC244E
CD74HC244M
CD74HC244M96
CD74HCT240E
CD74HCT240M
CD74HCT240M96
CD74HCT240PW
CD74HCT240PWR
CD74HCT240PWT
CD74HCT241E
CD74HCT241M
CD74HCT241M96
CD74HCT244E
CD74HCT244M
CD74HCT244M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
1997年11月 - 修订2004年10月
特点
HC / HCT240反相
[ /标题
(CD74
HC240
,
CD74
HCT24
0,
CD74
HC241
,
CD74
HCT24
1,
CD74
HC244
,
CD74
HC / HCT241非反相
HC / HCT244非反相
典型传播延迟=为8ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
下HC240
三态输出
缓冲输入
大电流总线驱动器输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
在“ HC240和” HCT240是一个反相三态缓冲器
有两个低电平有效输出使能。该CD74HC241 ,
“ HCT241 , ” HC244和“ HCT244非反相三
态缓冲器仅区别在于241具有一个主动 -
高一低电平有效的输出使能,并且在244有两个
低电平有效输出使能。所有这三种类型具有相同的
引脚排列。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
引脚
CD54HC240 , CD54HCT240 , CD54HCT241 ,
CD54HC244 , CD54HCT244
( CERDIP )
CD74HC240 , CD74HC241 , CD74HCT241 ,
CD74HC244 , CD74HCT244
( PDIP , SOIC )
CD74HCT240,
( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
240
1OE
1A0
2Y3
1A1
2Y2
1A2
2Y1
1A3
2Y0
GND
241
244
1OE
1A0
2Y3
1A1
2Y2
1A2
2Y1
1A3
2Y0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
241
244
20 V
CC
18 1Y0
17 2A3
16 1Y1
15 2A2
14 1Y2
13 2A1
12 1Y3
11 2A0
240
V
CC
1Y0
2A3
1Y1
2A2
1Y2
2A1
1Y3
2A0
19 2OE ( 241 ) 2OE ( 240 , 244 )
GND 10
工作原理图
241
244 240
1A0
1A1
1A2
1A3
2A0
2A1
2A2
2
4
6
8
11
13
15
18
16
14
12
9
7
5
3
1
图10E 10E中
2OE 2OE
19
1Y0
1Y1
1Y2
1Y3
2Y0
2Y1
2Y2
2Y3
1Y0
1Y1
1Y2
1Y3
2Y0
2Y1
2Y2
2Y3
240
17
和2A3
244 241
V
CC
= 20
GND = 10
2
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
83
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
-
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±0.5
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
HCT240
nA0-A3
1OE
2OE
HCT241
nA0-A3
1OE
2OE
HCT244
nA0-A3
1OE
2OE
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
1.5
1.5
0.7
0.7
单位负载
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
4
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
系统蒸发散
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大单位
参数
HC类型
传播延迟
数据输出
HC240
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
8
-
-
-
9
-
-
-
9
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
100
20
-
17
110
22
-
19
110
22
-
19
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
-
21
140
28
-
24
140
28
-
24
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
-
26
165
33
-
28
165
33
-
28
225
45
-
38
90
18
15
10
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
数据输出
HC241
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC244
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
输出启用和禁用
时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功率耗散电容
(注3,4)
HC240
HC241
HC244
HCT类型
传播延迟
数据输出
HCT240
数据输出
HCT241
数据输出
HCT244
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
-
-
5
5
5
-
-
-
38
34
46
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
9
-
10
-
10
22
-
25
-
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
28
-
31
-
31
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
33
-
38
-
38
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS167E
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 ,
CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 ,
CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
高速CMOS逻辑器件
八路缓冲器/线路驱动器,三态
订购信息
产品型号
CD54HC240F3A
CD54HC244F3A
CD54HCT240F3A
CD54HCT241F3A
CD54HCT244F3A
CD74HC240E
CD74HC240M
CD74HC240M96
CD74HC241E
CD74HC241M
CD74HC241M96
CD74HC244E
CD74HC244M
CD74HC244M96
CD74HCT240E
CD74HCT240M
CD74HCT240M96
CD74HCT240PW
CD74HCT240PWR
CD74HCT240PWT
CD74HCT241E
CD74HCT241M
CD74HCT241M96
CD74HCT244E
CD74HCT244M
CD74HCT244M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
1997年11月 - 修订2004年10月
特点
HC / HCT240反相
[ /标题
(CD74
HC240
,
CD74
HCT24
0,
CD74
HC241
,
CD74
HCT24
1,
CD74
HC244
,
CD74
HC / HCT241非反相
HC / HCT244非反相
典型传播延迟=为8ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
下HC240
三态输出
缓冲输入
大电流总线驱动器输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
在“ HC240和” HCT240是一个反相三态缓冲器
有两个低电平有效输出使能。该CD74HC241 ,
“ HCT241 , ” HC244和“ HCT244非反相三
态缓冲器仅区别在于241具有一个主动 -
高一低电平有效的输出使能,并且在244有两个
低电平有效输出使能。所有这三种类型具有相同的
引脚排列。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
引脚
CD54HC240 , CD54HCT240 , CD54HCT241 ,
CD54HC244 , CD54HCT244
( CERDIP )
CD74HC240 , CD74HC241 , CD74HCT241 ,
CD74HC244 , CD74HCT244
( PDIP , SOIC )
CD74HCT240,
( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
240
1OE
1A0
2Y3
1A1
2Y2
1A2
2Y1
1A3
2Y0
GND
241
244
1OE
1A0
2Y3
1A1
2Y2
1A2
2Y1
1A3
2Y0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
241
244
20 V
CC
18 1Y0
17 2A3
16 1Y1
15 2A2
14 1Y2
13 2A1
12 1Y3
11 2A0
240
V
CC
1Y0
2A3
1Y1
2A2
1Y2
2A1
1Y3
2A0
19 2OE ( 241 ) 2OE ( 240 , 244 )
GND 10
工作原理图
241
244 240
1A0
1A1
1A2
1A3
2A0
2A1
2A2
2
4
6
8
11
13
15
18
16
14
12
9
7
5
3
1
图10E 10E中
2OE 2OE
19
1Y0
1Y1
1Y2
1Y3
2Y0
2Y1
2Y2
2Y3
1Y0
1Y1
1Y2
1Y3
2Y0
2Y1
2Y2
2Y3
240
17
和2A3
244 241
V
CC
= 20
GND = 10
2
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
83
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
-
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±0.5
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
HCT240
nA0-A3
1OE
2OE
HCT241
nA0-A3
1OE
2OE
HCT244
nA0-A3
1OE
2OE
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
1.5
1.5
0.7
0.7
单位负载
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
4
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
系统蒸发散
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大单位
参数
HC类型
传播延迟
数据输出
HC240
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
8
-
-
-
9
-
-
-
9
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
100
20
-
17
110
22
-
19
110
22
-
19
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
-
21
140
28
-
24
140
28
-
24
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
-
26
165
33
-
28
165
33
-
28
225
45
-
38
90
18
15
10
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
数据输出
HC241
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC244
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
输出启用和禁用
时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功率耗散电容
(注3,4)
HC240
HC241
HC244
HCT类型
传播延迟
数据输出
HCT240
数据输出
HCT241
数据输出
HCT244
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
-
-
5
5
5
-
-
-
38
34
46
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
9
-
10
-
10
22
-
25
-
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
28
-
31
-
31
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
33
-
38
-
38
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS167E
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 ,
CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 ,
CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
高速CMOS逻辑器件
八路缓冲器/线路驱动器,三态
订购信息
产品型号
CD54HC240F3A
CD54HC244F3A
CD54HCT240F3A
CD54HCT241F3A
CD54HCT244F3A
CD74HC240E
CD74HC240M
CD74HC240M96
CD74HC241E
CD74HC241M
CD74HC241M96
CD74HC244E
CD74HC244M
CD74HC244M96
CD74HCT240E
CD74HCT240M
CD74HCT240M96
CD74HCT240PW
CD74HCT240PWR
CD74HCT240PWT
CD74HCT241E
CD74HCT241M
CD74HCT241M96
CD74HCT244E
CD74HCT244M
CD74HCT244M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
1997年11月 - 修订2004年10月
特点
HC / HCT240反相
[ /标题
(CD74
HC240
,
CD74
HCT24
0,
CD74
HC241
,
CD74
HCT24
1,
CD74
HC244
,
CD74
HC / HCT241非反相
HC / HCT244非反相
典型传播延迟=为8ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
下HC240
三态输出
缓冲输入
大电流总线驱动器输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
在“ HC240和” HCT240是一个反相三态缓冲器
有两个低电平有效输出使能。该CD74HC241 ,
“ HCT241 , ” HC244和“ HCT244非反相三
态缓冲器仅区别在于241具有一个主动 -
高一低电平有效的输出使能,并且在244有两个
低电平有效输出使能。所有这三种类型具有相同的
引脚排列。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
引脚
CD54HC240 , CD54HCT240 , CD54HCT241 ,
CD54HC244 , CD54HCT244
( CERDIP )
CD74HC240 , CD74HC241 , CD74HCT241 ,
CD74HC244 , CD74HCT244
( PDIP , SOIC )
CD74HCT240,
( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
240
1OE
1A0
2Y3
1A1
2Y2
1A2
2Y1
1A3
2Y0
GND
241
244
1OE
1A0
2Y3
1A1
2Y2
1A2
2Y1
1A3
2Y0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
241
244
20 V
CC
18 1Y0
17 2A3
16 1Y1
15 2A2
14 1Y2
13 2A1
12 1Y3
11 2A0
240
V
CC
1Y0
2A3
1Y1
2A2
1Y2
2A1
1Y3
2A0
19 2OE ( 241 ) 2OE ( 240 , 244 )
GND 10
工作原理图
241
244 240
1A0
1A1
1A2
1A3
2A0
2A1
2A2
2
4
6
8
11
13
15
18
16
14
12
9
7
5
3
1
图10E 10E中
2OE 2OE
19
1Y0
1Y1
1Y2
1Y3
2Y0
2Y1
2Y2
2Y3
1Y0
1Y1
1Y2
1Y3
2Y0
2Y1
2Y2
2Y3
240
17
和2A3
244 241
V
CC
= 20
GND = 10
2
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
83
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
-
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±0.5
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
HCT240
nA0-A3
1OE
2OE
HCT241
nA0-A3
1OE
2OE
HCT244
nA0-A3
1OE
2OE
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
1.5
1.5
0.7
0.7
单位负载
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
4
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
系统蒸发散
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大单位
参数
HC类型
传播延迟
数据输出
HC240
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
8
-
-
-
9
-
-
-
9
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
100
20
-
17
110
22
-
19
110
22
-
19
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
-
21
140
28
-
24
140
28
-
24
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
-
26
165
33
-
28
165
33
-
28
225
45
-
38
90
18
15
10
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
数据输出
HC241
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC244
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
输出启用和禁用
时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功率耗散电容
(注3,4)
HC240
HC241
HC244
HCT类型
传播延迟
数据输出
HCT240
数据输出
HCT241
数据输出
HCT244
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
-
-
5
5
5
-
-
-
38
34
46
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
9
-
10
-
10
22
-
25
-
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
28
-
31
-
31
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
33
-
38
-
38
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS167E
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 ,
CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 ,
CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
高速CMOS逻辑器件
八路缓冲器/线路驱动器,三态
订购信息
产品型号
CD54HC240F3A
CD54HC244F3A
CD54HCT240F3A
CD54HCT241F3A
CD54HCT244F3A
CD74HC240E
CD74HC240M
CD74HC240M96
CD74HC241E
CD74HC241M
CD74HC241M96
CD74HC244E
CD74HC244M
CD74HC244M96
CD74HCT240E
CD74HCT240M
CD74HCT240M96
CD74HCT240PW
CD74HCT240PWR
CD74HCT240PWT
CD74HCT241E
CD74HCT241M
CD74HCT241M96
CD74HCT244E
CD74HCT244M
CD74HCT244M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
1997年11月 - 修订2004年10月
特点
HC / HCT240反相
[ /标题
(CD74
HC240
,
CD74
HCT24
0,
CD74
HC241
,
CD74
HCT24
1,
CD74
HC244
,
CD74
HC / HCT241非反相
HC / HCT244非反相
典型传播延迟=为8ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
下HC240
三态输出
缓冲输入
大电流总线驱动器输出
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
在“ HC240和” HCT240是一个反相三态缓冲器
有两个低电平有效输出使能。该CD74HC241 ,
“ HCT241 , ” HC244和“ HCT244非反相三
态缓冲器仅区别在于241具有一个主动 -
高一低电平有效的输出使能,并且在244有两个
低电平有效输出使能。所有这三种类型具有相同的
引脚排列。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
引脚
CD54HC240 , CD54HCT240 , CD54HCT241 ,
CD54HC244 , CD54HCT244
( CERDIP )
CD74HC240 , CD74HC241 , CD74HCT241 ,
CD74HC244 , CD74HCT244
( PDIP , SOIC )
CD74HCT240,
( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
240
1OE
1A0
2Y3
1A1
2Y2
1A2
2Y1
1A3
2Y0
GND
241
244
1OE
1A0
2Y3
1A1
2Y2
1A2
2Y1
1A3
2Y0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
241
244
20 V
CC
18 1Y0
17 2A3
16 1Y1
15 2A2
14 1Y2
13 2A1
12 1Y3
11 2A0
240
V
CC
1Y0
2A3
1Y1
2A2
1Y2
2A1
1Y3
2A0
19 2OE ( 241 ) 2OE ( 240 , 244 )
GND 10
工作原理图
241
244 240
1A0
1A1
1A2
1A3
2A0
2A1
2A2
2
4
6
8
11
13
15
18
16
14
12
9
7
5
3
1
图10E 10E中
2OE 2OE
19
1Y0
1Y1
1Y2
1Y3
2Y0
2Y1
2Y2
2Y3
1Y0
1Y1
1Y2
1Y3
2Y0
2Y1
2Y2
2Y3
240
17
和2A3
244 241
V
CC
= 20
GND = 10
2
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
83
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
OZ
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
-
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±0.5
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
-
-
-
±0.5
-
±5
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
HCT240
nA0-A3
1OE
2OE
HCT241
nA0-A3
1OE
2OE
HCT244
nA0-A3
1OE
2OE
0.7
0.7
0.7
0.7
0.7
1.5
1.5
0.7
0.7
单位负载
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
4
CD54 / 74HC240 , CD54 / 74HCT240 , CD74HC241 , CD54 / 74HCT241 , CD54 / 74HC244 , CD54 / 74HCT244
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
系统蒸发散
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大单位
参数
HC类型
传播延迟
数据输出
HC240
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
8
-
-
-
9
-
-
-
9
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
100
20
-
17
110
22
-
19
110
22
-
19
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
25
-
21
140
28
-
24
140
28
-
24
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
30
-
26
165
33
-
28
165
33
-
28
225
45
-
38
90
18
15
10
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
数据输出
HC241
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
数据输出
HC244
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
输出启用和禁用
时间
t
THL
, t
TLH
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功率耗散电容
(注3,4)
HC240
HC241
HC244
HCT类型
传播延迟
数据输出
HCT240
数据输出
HCT241
数据输出
HCT244
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
-
-
5
5
5
-
-
-
38
34
46
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
4.5
5
4.5
5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
9
-
10
-
10
22
-
25
-
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
28
-
31
-
31
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
33
-
38
-
38
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
t
PHL ,
t
PLH
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HC244M96
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
CD74HC244M96
TI
15+
12000
SOIC-20
进口原装现货
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电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
CD74HC244M96
HAR
20+
26000
7.2MM
全新原装 货期两周
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CD74HC244M96
HARRIS
21+
12000
SOP20
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电话:0755-83264115
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