【不是从哈里斯半导体收购CD74HCT242 。CD74HCT242 ， CD74HC243 ，CD7】,IC型号CD74HC243,CD74HC243 PDF资料,CD74HC243经销商,ic,电子元器件-51电子网

不是从哈里斯半导体收购CD74HCT242 。

CD74HCT242 ， CD74HC243 ，

CD74HCT243

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS168

1997年11月

高速CMOS逻辑

四总线收发器具有三态输出

描述

哈里斯CD74HCT242 ， CD74HC243和CD74HCT243

硅栅CMOS三态双向相和

非反相缓冲器被用于双向异步

数据总线之间的通信。它们具有高驱动

电流输出，这使高速运转时，

驾驶大型客车电容。这些电路具备

CMOS电路的功耗低，并且有速度

媲美的低功率肖特基TTL电路。他们可以

开车15 LSTTL负载。

该CD74HCT242是一个反相缓冲器;在CD74HC243

和CD74HCT243是非反相缓冲器。

输出的状态使能（ OEB ， OEA ）确定

的溢流两个方向（ A到B ， B到A ），以及三态

模式。

特点

典型传播为7ns的延迟（从A到B， B到A ）在

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

三态输出

缓冲输入

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

[ /标题

(CD74

HCT24

2,

CD74

HC243

,

CD74

HCT24

3)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

四核

订购信息

产品型号

CD74HC243E

CD74HC243M

CD74HCT243M

注意事项：

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

PKG 。

号

E14.3

M14.15

引脚

CD74HCT242 ， CD74HC243 ， CD74HCT243

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OEB 1

NC 2

A0 3

A1 4

A2 5

A3 6

7 GND

14 V

CC

13 OEA

12 NC

11 B0

10 B1

9 B2

8 B3

1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96

获得在磁带和卷轴的变种。

2.晶圆或死亡的这一部分数量可满足所有elec-

Trical公司规范。请联系您当地的销售

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

1997年哈里斯公司

网络文件编号

1488.1

1

CD74HCT242 ， CD74HC243 ， CD74HCT243

功能图

CD74HCT242

CD74HC243 ， CD74HC243

A0

3

11

B0

A0

3

11

B0

A1

4

10

B1

A1

4

10

B1

5

A2

9

B2

A2

5

9

B2

6

A3

1

OEB

13

OEA

8

B3

A3

6

8

B3

方向

选择逻辑

OEB

OEA

1

13

方向

选择逻辑

真值表

HCT242系列

控制输入

OEB

H

L

H

L

OEA

H

L

数据端口状态

An

O

Z

I

Bn

I

Z

O

HC ， HCT243系列

数据端口状态

An

O

Z

I

Bn

I

Z

O

注意：

H =高电压等级

L =低电压等级

I =输入

O =输出（同一级别输入）

O =输出（输入电平的反转）

Z =高阻抗

为了防止在高Z模式所有的I / O端子应为10kΩ被终止1MΩ电阻多余的电流。

2

CD74HCT242 ， CD74HC243 ， CD74HCT243

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 70毫安

热信息

热电阻（典型，注3 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

90

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

175

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

3.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

V

OL

V

IH

or

V

IL

-6

-7.8

0.02

低电平输出

电压

TTL负载

6

7.8

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

3

CD74HCT242 ， CD74HC243 ， CD74HCT243

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

输入漏

当前

静态器件

当前

三态泄漏

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

（注4 ）

三态泄漏

当前

注意：

4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

2

-

2

-

V

符号

I

CC

I

OZ

V

I

(V)

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

I

O

（毫安）V

CC

(V)

-

6

民

-

25

o

C

典型值

-

最大

±0.1

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C

民

-

最大

±1

80

±0.5

-55

o

C至125

o

C

民

-

最大

±1

160

±10

单位

A

0

6

-

6

-

0.8

-

0.8

-

0.8

V

IH

or

V

IL

-0.02

4.4

-

4.4

-

4.4

-

V

-6

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

5.5

-

±0.1

8

-

±1

80

-

±1

160

A

0

5.5

-

4.5

5.5

-

100

360

-

450

-

490

I

OZ

V

IL

or

V

IH

-

5.5

-

±0.5

-

±5.0

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

一，BN

OEA ， OEB

单位负载

1.1

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

4

CD74HCT242 ， CD74HC243 ， CD74HCT243

交换特定网络阳离子

参数

HC类型

传播延迟数据

到输出（ HC243 ）

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

TEST

条件

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

输出高阻，以高层

为低电平

t

PZL ，

t

PZH

C

L

= 50pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

输出高电平，

输出低层次向高-Z

t

PHZ ，

t

PLZ

C

L

= 50pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

输出转换时间

t

TLH

, t

THL

C

L

= 50pF的

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

6

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容（ HC243 ）

（注5,6）

HCT类型

传播延迟到数据

输出（ HCT242 ）

传播延迟到数据

输出（ HCT243 ）

输出高阻到高级

为低电平

输出高电平，

输出低层次向高-Z

输出转换时间

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注5,6）

注意事项：

5. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每通道。

6. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率f

O

=输出频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

t

PLH

, t

PHL

t

PLH

, t

PHL

t

PZH

, t

PZL

t

PHZ

, t

PLZ

t

TLH

, t

THL

C

I

C

O

C

PD

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

-

HCT242

HCT243

4.5

5

4.5

5

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

8

-

9

-

14

-

14

-

90

91

20

-

22

-

34

-

35

-

12

10

20

-

25

-

28

-

43

-

44

-

15

10

20

-

30

-

33

-

51

-

53

-

18

10

20

-

ns

pF

C

I

C

O

C

PD

-

5

典型值

-

7

-

12

-

12

-

80

最大

90

18

-

15

150

30

-

26

150

30

-

26

60

12

10

20

-

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

最大

115

23

-

20

190

38

-

33

190

38

-

33

75

15

13

10

20

-

最大

135

27

-

23

225

45

-

38

225

45

-

38

90

18

15

10

20

-

单位

ns

pF

符号

t

PLH

, t

PHL

5

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS168D

CD54HC243 ， CD74HC243 ，

CD54HCT243 ， CD74HCT243

高速CMOS逻辑器件

四总线收发器具有三态输出

描述

在“ HC243和” HCT243硅栅CMOS三态

双向倒相缓冲器被用于双向

数据总线之间的异步通信。他们

具有高驱动电流输出，使高速能操作

ATION驾驶大型客车电容时。这些电路

具有CMOS电路的低功耗和

有速度媲美的低功耗肖特基TTL电路。

他们能驱动15个LSTTL负载。

输出使能（ OEB ， OEA ）输入的状态

确定的溢流两个方向（A到B， B到A ），并且

三态模式。

1997年11月 - 修订2003年10月

特点

典型传播为7ns的延迟（从A到B， B到A ）在

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

[ /标题

(CD74

HCT24

2,

CD74

HC243

,

CD74

HCT24

3)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

四核

三态输出

缓冲输入

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC243F3A

CD54HCT243F3A

CD74HC243E

CD74HC243M

CD74HC243MT

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的CERDIP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

引脚

CD54HC243 ， CD54HCT243

（ CERDIP ）

CD74HC243 ， CD74HCT243

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OEB 1

NC 2

A0 3

A1 4

A2 5

A3 6

7 GND

14 V

CC

13 OEA

12 NC

11 B0

10 B1

9 B2

8 B3

CD74HC243M96

CD74HCT243E

CD74HCT243M

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴

250.

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

工作原理图

“ HC243 ” HCT243

A0

3

11

B0

A1

4

10

B1

5

A2

9

B2

6

A3

1

13

方向

选择逻辑

8

B3

OEB

OEA

真值表

HC ， HCT243系列

控制输入

OEB

H

L

H

L

OEA

H

L

数据端口状态

An

O

Z

I

Bn

I

Z

O

H =高电压电平

L =低电压电平

I =输入

O =输出（同一级别输入）

Z =高阻抗

为了防止过多的电流，在高Z模式，所有的I / O端子应为10kΩ终止

到1MΩ电阻。

2

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 70毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 80

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 86

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

V

OL

V

IH

or

V

IL

-6

-7.8

0.02

低电平输出

电压

TTL负载

6

7.8

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

3

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

输入漏

当前

静态器件

当前

三态泄漏

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

三态泄漏

当前

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注2 ）

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

2

-

2

-

V

符号

I

CC

I

OZ

V

I

(V)

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

I

O

（毫安）V

CC

(V)

-

6

民

-

25

o

C

典型值

-

最大

±0.1

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C

民

-

最大

±1

80

±0.5

-55

o

C至125

o

C

民

-

最大

±1

160

±10

单位

A

0

6

-

6

-

0.8

-

0.8

-

0.8

V

IH

or

V

IL

-0.02

4.4

-

4.4

-

4.4

-

V

-6

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

-

5.5

-

±0.1

8

-

±1

80

-

±1

160

A

0

5.5

-

4.5

5.5

-

100

360

-

450

-

490

I

OZ

V

IL

or

V

IH

-

5.5

-

±0.5

-

±5.0

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

一，BN

OEA ， OEB

单位负载

1.1

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

4

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

交换特定网络阳离子

参数

HC类型

传播延迟数据

到输出

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

TEST

条件

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

输出高阻，以高层

为低电平

t

PZL ，

t

PZH

C

L

= 50pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

输出高电平，

输出低层次向高-Z

t

PHZ ，

t

PLZ

C

L

= 50pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

输出转换时间

t

TLH

, t

THL

C

L

= 50pF的

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

6

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注3,4）

HCT类型

传播延迟到数据

输出

输出高阻到高级

为低电平

输出高电平，

输出低层次向高-Z

输出转换时间

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注3,4）

注意事项：

3. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每通道。

4. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率f

O

=输出频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

t

PLH

, t

PHL

t

PZH

, t

PZL

t

PHZ

, t

PLZ

t

TLH

, t

THL

C

I

C

O

C

PD

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

-

4.5

5

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

9

-

14

-

14

-

91

22

-

34

-

35

-

12

10

20

-

28

-

43

-

44

-

15

10

20

-

33

-

51

-

53

-

18

10

20

-

ns

pF

C

I

C

O

C

PD

-

5

典型值

-

7

-

12

-

12

-

80

最大

90

18

-

15

150

30

-

26

150

30

-

26

60

12

10

20

-

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

最大

115

23

-

20

190

38

-

33

190

38

-

33

75

15

13

10

20

-

最大

135

27

-

23

225

45

-

38

225

45

-

38

90

18

15

10

20

-

单位

ns

pF

符号

t

PLH

, t

PHL

5

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS168D

CD54HC243 ， CD74HC243 ，

CD54HCT243 ， CD74HCT243

高速CMOS逻辑器件

四总线收发器具有三态输出

描述

在“ HC243和” HCT243硅栅CMOS三态

双向倒相缓冲器被用于双向

数据总线之间的异步通信。他们

具有高驱动电流输出，使高速能操作

ATION驾驶大型客车电容时。这些电路

具有CMOS电路的低功耗和

有速度媲美的低功耗肖特基TTL电路。

他们能驱动15个LSTTL负载。

输出使能（ OEB ， OEA ）输入的状态

确定的溢流两个方向（A到B， B到A ），并且

三态模式。

1997年11月 - 修订2003年10月

特点

典型传播为7ns的延迟（从A到B， B到A ）在

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

[ /标题

(CD74

HCT24

2,

CD74

HC243

,

CD74

HCT24

3)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

四核

三态输出

缓冲输入

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC243F3A

CD54HCT243F3A

CD74HC243E

CD74HC243M

CD74HC243MT

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的CERDIP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

引脚

CD54HC243 ， CD54HCT243

（ CERDIP ）

CD74HC243 ， CD74HCT243

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OEB 1

NC 2

A0 3

A1 4

A2 5

A3 6

7 GND

14 V

CC

13 OEA

12 NC

11 B0

10 B1

9 B2

8 B3

CD74HC243M96

CD74HCT243E

CD74HCT243M

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴

250.

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

工作原理图

“ HC243 ” HCT243

A0

3

11

B0

A1

4

10

B1

5

A2

9

B2

6

A3

1

13

方向

选择逻辑

8

B3

OEB

OEA

真值表

HC ， HCT243系列

控制输入

OEB

H

L

H

L

OEA

H

L

数据端口状态

An

O

Z

I

Bn

I

Z

O

H =高电压电平

L =低电压电平

I =输入

O =输出（同一级别输入）

Z =高阻抗

为了防止过多的电流，在高Z模式，所有的I / O端子应为10kΩ终止

到1MΩ电阻。

2

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 70毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 80

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 86

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

V

OL

V

IH

or

V

IL

-6

-7.8

0.02

低电平输出

电压

TTL负载

6

7.8

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

3

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

输入漏

当前

静态器件

当前

三态泄漏

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

三态泄漏

当前

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注2 ）

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

2

-

2

-

V

符号

I

CC

I

OZ

V

I

(V)

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

I

O

（毫安）V

CC

(V)

-

6

民

-

25

o

C

典型值

-

最大

±0.1

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C

民

-

最大

±1

80

±0.5

-55

o

C至125

o

C

民

-

最大

±1

160

±10

单位

A

0

6

-

6

-

0.8

-

0.8

-

0.8

V

IH

or

V

IL

-0.02

4.4

-

4.4

-

4.4

-

V

-6

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

-

5.5

-

±0.1

8

-

±1

80

-

±1

160

A

0

5.5

-

4.5

5.5

-

100

360

-

450

-

490

I

OZ

V

IL

or

V

IH

-

5.5

-

±0.5

-

±5.0

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

一，BN

OEA ， OEB

单位负载

1.1

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

4

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

交换特定网络阳离子

参数

HC类型

传播延迟数据

到输出

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

TEST

条件

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

输出高阻，以高层

为低电平

t

PZL ，

t

PZH

C

L

= 50pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

输出高电平，

输出低层次向高-Z

t

PHZ ，

t

PLZ

C

L

= 50pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

输出转换时间

t

TLH

, t

THL

C

L

= 50pF的

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

6

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注3,4）

HCT类型

传播延迟到数据

输出

输出高阻到高级

为低电平

输出高电平，

输出低层次向高-Z

输出转换时间

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注3,4）

注意事项：

3. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每通道。

4. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率f

O

=输出频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

t

PLH

, t

PHL

t

PZH

, t

PZL

t

PHZ

, t

PLZ

t

TLH

, t

THL

C

I

C

O

C

PD

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

-

4.5

5

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

9

-

14

-

14

-

91

22

-

34

-

35

-

12

10

20

-

28

-

43

-

44

-

15

10

20

-

33

-

51

-

53

-

18

10

20

-

ns

pF

C

I

C

O

C

PD

-

5

典型值

-

7

-

12

-

12

-

80

最大

90

18

-

15

150

30

-

26

150

30

-

26

60

12

10

20

-

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

最大

115

23

-

20

190

38

-

33

190

38

-

33

75

15

13

10

20

-

最大

135

27

-

23

225

45

-

38

225

45

-

38

90

18

15

10

20

-

单位

ns

pF

符号

t

PLH

, t

PHL

5

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS168D

CD54HC243 ， CD74HC243 ，

CD54HCT243 ， CD74HCT243

高速CMOS逻辑器件

四总线收发器具有三态输出

描述

在“ HC243和” HCT243硅栅CMOS三态

双向倒相缓冲器被用于双向

数据总线之间的异步通信。他们

具有高驱动电流输出，使高速能操作

ATION驾驶大型客车电容时。这些电路

具有CMOS电路的低功耗和

有速度媲美的低功耗肖特基TTL电路。

他们能驱动15个LSTTL负载。

输出使能（ OEB ， OEA ）输入的状态

确定的溢流两个方向（A到B， B到A ），并且

三态模式。

1997年11月 - 修订2003年10月

特点

典型传播为7ns的延迟（从A到B， B到A ）在

V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

[ /标题

(CD74

HCT24

2,

CD74

HC243

,

CD74

HCT24

3)

/子

拍摄对象

（高

速度

CMOS

逻辑

四核

三态输出

缓冲输入

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC243F3A

CD54HCT243F3A

CD74HC243E

CD74HC243M

CD74HC243MT

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的CERDIP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

引脚

CD54HC243 ， CD54HCT243

（ CERDIP ）

CD74HC243 ， CD74HCT243

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

OEB 1

NC 2

A0 3

A1 4

A2 5

A3 6

7 GND

14 V

CC

13 OEA

12 NC

11 B0

10 B1

9 B2

8 B3

CD74HC243M96

CD74HCT243E

CD74HCT243M

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴

250.

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

工作原理图

“ HC243 ” HCT243

A0

3

11

B0

A1

4

10

B1

5

A2

9

B2

6

A3

1

13

方向

选择逻辑

8

B3

OEB

OEA

真值表

HC ， HCT243系列

控制输入

OEB

H

L

H

L

OEA

H

L

数据端口状态

An

O

Z

I

Bn

I

Z

O

H =高电压电平

L =低电压电平

I =输入

O =输出（同一级别输入）

Z =高阻抗

为了防止过多的电流，在高Z模式，所有的I / O端子应为10kΩ终止

到1MΩ电阻。

2

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 70毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 80

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 86

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

V

OL

V

IH

or

V

IL

-6

-7.8

0.02

低电平输出

电压

TTL负载

6

7.8

2

4.5

6

4.5

6

2

4.5

6

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.26

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.33

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

0.4

V

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

3

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

输入漏

当前

静态器件

当前

三态泄漏

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

三态泄漏

当前

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

CC

（注2 ）

V

CC

to

GND

V

CC

or

GND

V

CC

-2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

2

-

2

-

V

符号

I

CC

I

OZ

V

I

(V)

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

IL

or

V

IH

I

O

（毫安）V

CC

(V)

-

6

民

-

25

o

C

典型值

-

最大

±0.1

8

±0.5

-40

o

C至85

o

C

民

-

最大

±1

80

±0.5

-55

o

C至125

o

C

民

-

最大

±1

160

±10

单位

A

0

6

-

6

-

0.8

-

0.8

-

0.8

V

IH

or

V

IL

-0.02

4.4

-

4.4

-

4.4

-

V

-6

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

6

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

-

5.5

-

±0.1

8

-

±1

80

-

±1

160

A

0

5.5

-

4.5

5.5

-

100

360

-

450

-

490

I

OZ

V

IL

or

V

IH

-

5.5

-

±0.5

-

±5.0

-

±10

A

HCT输入负载表

输入

一，BN

OEA ， OEB

单位负载

1.1

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25

o

C.

4

CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243

交换特定网络阳离子

参数

HC类型

传播延迟数据

到输出

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

TEST

条件

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

CL = 50pF的

输出高阻，以高层

为低电平

t

PZL ，

t

PZH

C

L

= 50pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

输出高电平，

输出低层次向高-Z

t

PHZ ，

t

PLZ

C

L

= 50pF的

CL = 50pF的

CL = 15pF的

CL = 50pF的

输出转换时间

t

TLH

, t

THL

C

L

= 50pF的

25

o

C

V

CC

(V)

2

4.5

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

5

6

2

4.5

6

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注3,4）

HCT类型

传播延迟到数据

输出

输出高阻到高级

为低电平

输出高电平，

输出低层次向高-Z

输出转换时间

输入电容

三态输出

电容

功耗

电容

（注3,4）

注意事项：

3. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每通道。

4. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率f

O

=输出频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

t

PLH

, t

PHL

t

PZH

, t

PZL

t

PHZ

, t

PLZ

t

TLH

, t

THL

C

I

C

O

C

PD

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

-

4.5

5

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

9

-

14

-

14

-

91

22

-

34

-

35

-

12

10

20

-

28

-

43

-

44

-

15

10

20

-

33

-

51

-

53

-

18

10

20

-

ns

pF

C

I

C

O

C

PD

-

5

典型值

-

7

-

12

-

12

-

80

最大

90

18

-

15

150

30

-

26

150

30

-

26

60

12

10

20

-

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

最大

115

23

-

20

190

38

-

33

190

38

-

33

75

15

13

10

20

-

最大

135

27

-

23

225

45

-

38

225

45

-

38

90

18

15

10

20

-

单位

ns

pF

符号

t

PLH

, t

PHL

5