添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第796页 > CD74HC238M
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ，
CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS147I
1997年10月 - 修订2004年8月
高速CMOS逻辑3-8线解码器/
多路解复用器反相和同相
订购信息
产品型号
CD54HC138F3A
CD54HC238F3A
CD54HCT138F3A
CD54HCT238F3A
CD74HC138E
CD74HC138M
CD74HC138MT
CD74HC138M96
CD74HC238E
CD74HC238M
CD74HC238MT
CD74HC238M96
CD74HC238NSR
CD74HC238PW
CD74HC238PWR
CD74HC238PWT
CD74HCT138E
CD74HCT138M
CD74HCT138MT
CD74HCT138M96
CD74HCT238E
CD74HCT238M
CD74HCT238M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
选择之一八个数据输出
有效低电平138 ，高电平为238
[ /标题
(CD74
HC138
,
CD74
HCT13
8,
CD74
HC238
,
CD74
HCT23
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
L / O端口或内存选择
三个使能输入，以简化级联
13纳秒的V典型传播延迟
CC
= 5 V,
C
L
= 15 pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2 V至6 V操作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5 V
HCT类型
- 4.5 V至5.5 V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8 V（最大值） ，V
IH
= 2 V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
描述
的“ HC138 ， ” HC238 '， HCT138和' HCT238是高速
硅栅CMOS解码器适合于存储器地址
解码或数据路由应用。两个电路功能
低功耗通常与CMOS有关
电路，但有速度相媲美的低功耗肖特基
TTL逻辑。这两种电路有三个二进制选择输入（ A0 ，
A1和A2 ） 。如果设备被使能时，这些输入确定
其中的八个通常高输出之一
HC / HCT138系列变低或其中的通常是低
慧聪输出/ HCT238系列高。
两种活性低和一种活性高使能（ E1，E2和E3 ）
被提供，以减轻解码器的级联。该
解码器的八个输出可以驱动10低功耗肖特基
TTL等效负载。
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
引脚
CD54HC138 ， CD54HCT138 ， CD54HC238 ， CD54HCT238
（ CERDIP ）
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HCT238
（ PDIP ， SOIC ）
CD74HC238
（ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
E1 4
E2 5
E3 6
(Y7) Y7 7
GND 8
16 V
CC
15 Y0 (Y0)
14 Y1 (Y1)
13 Y2 (Y2)
12 Y3 (Y3)
11 Y4 (Y4)
10 Y5 (Y5)
9 Y6 (Y6)
E1
5
E2
E3
6
9
Y6
7
Y7
Y7
Y6
10
Y5
Y5
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
238
138
A0
A1
3
A2
12
Y3
4
11
Y4
Y4
Y3
13
Y2
Y2
1
2
15
14
Y0
Y1
Y0
Y1
括号中的信号名称是“ HC138和” HCT138 。
真值表“ HC138 ” HCT138
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y3
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
真值表“ HC238 ” HCT238
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y1
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y2
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y3
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y4
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y5
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y6
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统，理论上最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0-A2
E1, E2
E3
单位负载
1.5
1.25
1
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
地址输出
符号
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
13
-
150
30
-
26
-
-
-
-
190
38
-
33
-
-
-
-
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
（续）
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间
（图1）
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
功耗
电容（注3,4）
输入电容
HCT类型
传播延迟
地址输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
使能到输出
HC/HCT138
使能到输出
HC/HCT238
输出转换时间
（图2）
功耗
电容（注3,4）
输入电容
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 15pF的
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
4.5
5
4.5
4.5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
67
-
35
-
35
40
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
44
-
44
50
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
53
-
53
60
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
5
-
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
67
-
最大
150
30
26
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
190
38
33
95
19
16
-
10
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
45
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
使能到输出
HC/HCT138
符号
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图7. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图8. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS147A
CD74HC138 ， CD74HCT138 ，
CD74HC238 ， CD74HCT238
高速CMOS逻辑3至8线译码器/
多路解复用器反相和非反相
1997年10月 - 修订1999年2月
特点
选择之一八个数据输出
有效低电平138 ，高电平为238
L / O端口或内存选择
三个使能输入，以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC138
,
CD74
HCT13
8,
CD74
HC238
,
CD74
HCT23
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
引脚
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HC238 ， CD74HCT238
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
E1 4
E2 5
E3 6
(Y7) Y7 7
GND 8
16 V
CC
15 Y0 (Y0)
14 Y1 (Y1)
13 Y2 (Y2)
12 Y3 (Y3)
11 Y4 (Y4)
10 Y5 (Y5)
9 Y6 (Y6)
括号中的信号名称是“ HC238和” HCT238 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1999年，德州仪器
1
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HC238 ， CD74HCT238
描述
哈里斯CD74HC138 ， CD74HC238和CD74HCT138 ，
CD74HCT238是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路，具有低功耗
通常与CMOS电路有关，但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。两个电路
有三个二进制选择输入端（ A0，A1和A2）。如果该装置
启用时，这些输入确定8中的哪一个
在HC / HCT138系列通常高输出将变低
或者其中HC / HCT238的通常是低输出
系列将变为高电平。
两种活性低和一种活性高使能（ E1，E2和E3 ）
被提供，以减轻解码器的级联。该
解码器的8个输出可驱动10个低功率肖特基TTL
等效负载。
订购信息
产品型号
CD74HCT138E
CD74HC238E
CD74HCT238E
CD74HC138M
CD74HCT138M
CD74HC238M
CD74HCT238M
CD74HC138SM
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片这部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SSOP
PKG 。
号
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.15
M16.15
M16.209
订购信息
产品型号
CD74HC138E
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
包
16 Ld的PDIP
PKG 。
号
E16.3
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
238
138
A0
A1
3
A2
12
Y3
4
E1
5
E2
E3
6
9
Y6
7
Y7
Y7
Y6
10
Y5
Y5
11
Y4
Y4
Y3
13
Y2
Y2
1
2
15
14
Y0
Y1
Y0
Y1
真值表CD74HC138 ， CD74HCT138
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
Y0
H
H
H
L
H
H
H
Y1
H
H
H
H
L
H
H
Y2
H
H
H
H
H
L
H
输出
Y3
H
H
H
H
H
H
L
Y4
H
H
H
H
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
H
Y7
H
H
H
H
H
H
H
2
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HC238 ， CD74HCT238
真值表CD74HC138 ， CD74HCT138
输入
启用
E3
H
H
H
H
E2
L
L
L
L
E1
L
L
L
L
A2
H
H
H
H
地址
A1
L
L
H
H
A0
L
H
L
H
Y0
H
H
H
H
Y1
H
H
H
H
Y2
H
H
H
H
输出
Y3
H
H
H
H
Y4
L
H
H
H
Y5
H
L
H
H
Y6
H
H
L
H
Y7
H
H
H
L
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
真值表CD74HC238 ， CD74HCT238
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y1
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y2
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y3
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y4
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y5
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y6
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
3
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HC238 ， CD74HCT238
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
155
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HC238 ， CD74HCT238
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0-A2
E1, E2
E3
单位负载
1.5
1.25
1
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
地址输出
符号
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
13
-
150
30
-
26
-
-
-
-
190
38
-
33
-
-
-
-
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS147A
CD74HC138 ， CD74HCT138 ，
CD74HC238 ， CD74HCT238
高速CMOS逻辑3至8线译码器/
多路解复用器反相和非反相
1997年10月 - 修订1999年2月
特点
选择之一八个数据输出
有效低电平138 ，高电平为238
L / O端口或内存选择
三个使能输入，以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC138
,
CD74
HCT13
8,
CD74
HC238
,
CD74
HCT23
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
引脚
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HC238 ， CD74HCT238
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
E1 4
E2 5
E3 6
(Y7) Y7 7
GND 8
16 V
CC
15 Y0 (Y0)
14 Y1 (Y1)
13 Y2 (Y2)
12 Y3 (Y3)
11 Y4 (Y4)
10 Y5 (Y5)
9 Y6 (Y6)
括号中的信号名称是“ HC238和” HCT238 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1999年，德州仪器
1
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HC238 ， CD74HCT238
描述
哈里斯CD74HC138 ， CD74HC238和CD74HCT138 ，
CD74HCT238是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路，具有低功耗
通常与CMOS电路有关，但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。两个电路
有三个二进制选择输入端（ A0，A1和A2）。如果该装置
启用时，这些输入确定8中的哪一个
在HC / HCT138系列通常高输出将变低
或者其中HC / HCT238的通常是低输出
系列将变为高电平。
两种活性低和一种活性高使能（ E1，E2和E3 ）
被提供，以减轻解码器的级联。该
解码器的8个输出可驱动10个低功率肖特基TTL
等效负载。
订购信息
产品型号
CD74HCT138E
CD74HC238E
CD74HCT238E
CD74HC138M
CD74HCT138M
CD74HC238M
CD74HCT238M
CD74HC138SM
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片这部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的销售办事处或
哈里斯的客户服务订购信息。
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SSOP
PKG 。
号
E16.3
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.15
M16.15
M16.209
订购信息
产品型号
CD74HC138E
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
包
16 Ld的PDIP
PKG 。
号
E16.3
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
238
138
A0
A1
3
A2
12
Y3
4
E1
5
E2
E3
6
9
Y6
7
Y7
Y7
Y6
10
Y5
Y5
11
Y4
Y4
Y3
13
Y2
Y2
1
2
15
14
Y0
Y1
Y0
Y1
真值表CD74HC138 ， CD74HCT138
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
Y0
H
H
H
L
H
H
H
Y1
H
H
H
H
L
H
H
Y2
H
H
H
H
H
L
H
输出
Y3
H
H
H
H
H
H
L
Y4
H
H
H
H
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
H
Y7
H
H
H
H
H
H
H
2
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HC238 ， CD74HCT238
真值表CD74HC138 ， CD74HCT138
输入
启用
E3
H
H
H
H
E2
L
L
L
L
E1
L
L
L
L
A2
H
H
H
H
地址
A1
L
L
H
H
A0
L
H
L
H
Y0
H
H
H
H
Y1
H
H
H
H
Y2
H
H
H
H
输出
Y3
H
H
H
H
Y4
L
H
H
H
Y5
H
L
H
H
Y6
H
H
L
H
Y7
H
H
H
L
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
真值表CD74HC238 ， CD74HCT238
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y1
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y2
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y3
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y4
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y5
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y6
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
注： H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
3
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HC238 ， CD74HCT238
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
SSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
155
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HC238 ， CD74HCT238
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0-A2
E1, E2
E3
单位负载
1.5
1.25
1
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
地址输出
符号
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
13
-
150
30
-
26
-
-
-
-
190
38
-
33
-
-
-
-
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
5
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ，
CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS147I
1997年10月 - 修订2004年8月
高速CMOS逻辑3-8线解码器/
多路解复用器反相和同相
订购信息
产品型号
CD54HC138F3A
CD54HC238F3A
CD54HCT138F3A
CD54HCT238F3A
CD74HC138E
CD74HC138M
CD74HC138MT
CD74HC138M96
CD74HC238E
CD74HC238M
CD74HC238MT
CD74HC238M96
CD74HC238NSR
CD74HC238PW
CD74HC238PWR
CD74HC238PWT
CD74HCT138E
CD74HCT138M
CD74HCT138MT
CD74HCT138M96
CD74HCT238E
CD74HCT238M
CD74HCT238M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
选择之一八个数据输出
有效低电平138 ，高电平为238
[ /标题
(CD74
HC138
,
CD74
HCT13
8,
CD74
HC238
,
CD74
HCT23
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
L / O端口或内存选择
三个使能输入，以简化级联
13纳秒的V典型传播延迟
CC
= 5 V,
C
L
= 15 pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2 V至6 V操作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5 V
HCT类型
- 4.5 V至5.5 V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8 V（最大值） ，V
IH
= 2 V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
描述
的“ HC138 ， ” HC238 '， HCT138和' HCT238是高速
硅栅CMOS解码器适合于存储器地址
解码或数据路由应用。两个电路功能
低功耗通常与CMOS有关
电路，但有速度相媲美的低功耗肖特基
TTL逻辑。这两种电路有三个二进制选择输入（ A0 ，
A1和A2 ） 。如果设备被使能时，这些输入确定
其中的八个通常高输出之一
HC / HCT138系列变低或其中的通常是低
慧聪输出/ HCT238系列高。
两种活性低和一种活性高使能（ E1，E2和E3 ）
被提供，以减轻解码器的级联。该
解码器的八个输出可以驱动10低功耗肖特基
TTL等效负载。
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
引脚
CD54HC138 ， CD54HCT138 ， CD54HC238 ， CD54HCT238
（ CERDIP ）
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HCT238
（ PDIP ， SOIC ）
CD74HC238
（ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
E1 4
E2 5
E3 6
(Y7) Y7 7
GND 8
16 V
CC
15 Y0 (Y0)
14 Y1 (Y1)
13 Y2 (Y2)
12 Y3 (Y3)
11 Y4 (Y4)
10 Y5 (Y5)
9 Y6 (Y6)
E1
5
E2
E3
6
9
Y6
7
Y7
Y7
Y6
10
Y5
Y5
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
238
138
A0
A1
3
A2
12
Y3
4
11
Y4
Y4
Y3
13
Y2
Y2
1
2
15
14
Y0
Y1
Y0
Y1
括号中的信号名称是“ HC138和” HCT138 。
真值表“ HC138 ” HCT138
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y3
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
真值表“ HC238 ” HCT238
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y1
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y2
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y3
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y4
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y5
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y6
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统，理论上最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0-A2
E1, E2
E3
单位负载
1.5
1.25
1
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
地址输出
符号
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
13
-
150
30
-
26
-
-
-
-
190
38
-
33
-
-
-
-
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
（续）
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间
（图1）
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
功耗
电容（注3,4）
输入电容
HCT类型
传播延迟
地址输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
使能到输出
HC/HCT138
使能到输出
HC/HCT238
输出转换时间
（图2）
功耗
电容（注3,4）
输入电容
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 15pF的
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
4.5
5
4.5
4.5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
67
-
35
-
35
40
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
44
-
44
50
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
53
-
53
60
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
5
-
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
67
-
最大
150
30
26
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
190
38
33
95
19
16
-
10
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
45
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
使能到输出
HC/HCT138
符号
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图7. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图8. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ，
CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS147I
1997年10月 - 修订2004年8月
高速CMOS逻辑3-8线解码器/
多路解复用器反相和同相
订购信息
产品型号
CD54HC138F3A
CD54HC238F3A
CD54HCT138F3A
CD54HCT238F3A
CD74HC138E
CD74HC138M
CD74HC138MT
CD74HC138M96
CD74HC238E
CD74HC238M
CD74HC238MT
CD74HC238M96
CD74HC238NSR
CD74HC238PW
CD74HC238PWR
CD74HC238PWT
CD74HCT138E
CD74HCT138M
CD74HCT138MT
CD74HCT138M96
CD74HCT238E
CD74HCT238M
CD74HCT238M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
选择之一八个数据输出
有效低电平138 ，高电平为238
[ /标题
(CD74
HC138
,
CD74
HCT13
8,
CD74
HC238
,
CD74
HCT23
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
L / O端口或内存选择
三个使能输入，以简化级联
13纳秒的V典型传播延迟
CC
= 5 V,
C
L
= 15 pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2 V至6 V操作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5 V
HCT类型
- 4.5 V至5.5 V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8 V（最大值） ，V
IH
= 2 V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
描述
的“ HC138 ， ” HC238 '， HCT138和' HCT238是高速
硅栅CMOS解码器适合于存储器地址
解码或数据路由应用。两个电路功能
低功耗通常与CMOS有关
电路，但有速度相媲美的低功耗肖特基
TTL逻辑。这两种电路有三个二进制选择输入（ A0 ，
A1和A2 ） 。如果设备被使能时，这些输入确定
其中的八个通常高输出之一
HC / HCT138系列变低或其中的通常是低
慧聪输出/ HCT238系列高。
两种活性低和一种活性高使能（ E1，E2和E3 ）
被提供，以减轻解码器的级联。该
解码器的八个输出可以驱动10低功耗肖特基
TTL等效负载。
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
引脚
CD54HC138 ， CD54HCT138 ， CD54HC238 ， CD54HCT238
（ CERDIP ）
CD74HC138 ， CD74HCT138 ， CD74HCT238
（ PDIP ， SOIC ）
CD74HC238
（ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
E1 4
E2 5
E3 6
(Y7) Y7 7
GND 8
16 V
CC
15 Y0 (Y0)
14 Y1 (Y1)
13 Y2 (Y2)
12 Y3 (Y3)
11 Y4 (Y4)
10 Y5 (Y5)
9 Y6 (Y6)
E1
5
E2
E3
6
9
Y6
7
Y7
Y7
Y6
10
Y5
Y5
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
238
138
A0
A1
3
A2
12
Y3
4
11
Y4
Y4
Y3
13
Y2
Y2
1
2
15
14
Y0
Y1
Y0
Y1
括号中的信号名称是“ HC138和” HCT138 。
真值表“ HC138 ” HCT138
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y3
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
真值表“ HC238 ” HCT238
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y1
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y2
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y3
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y4
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y5
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y6
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理
2
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统，理论上最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0-A2
E1, E2
E3
单位负载
1.5
1.25
1
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
地址输出
符号
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
13
-
150
30
-
26
-
-
-
-
190
38
-
33
-
-
-
-
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD54 / 74HC138 ， CD54 / 74HCT138 ， CD54 / 74HC238 ， CD54 / 74HCT238
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
（续）
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间
（图1）
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
功耗
电容（注3,4）
输入电容
HCT类型
传播延迟
地址输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
使能到输出
HC/HCT138
使能到输出
HC/HCT238
输出转换时间
（图2）
功耗
电容（注3,4）
输入电容
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 15pF的
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
4.5
5
4.5
4.5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
67
-
35
-
35
40
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
44
-
44
50
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
53
-
53
60
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
5
-
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
67
-
最大
150
30
26
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
190
38
33
95
19
16
-
10
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
45
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
使能到输出
HC/HCT138
符号
TEST
条件
t
PLH ，
t
PHL
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图7. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图8. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
查看更多CD74HC238MPDF信息
推荐型号
CS4350-DZZ
CD74HCT240
CMS-S035-020
COP8SBE9HMT7
CQYP74
CY7C64315-16LKXI
CAT24WC05PI
CY7C1440AV25-167BZC
CY7C474-25LMB
CY7C1165KV18-400BZXC
CL1200A92R
CL-375HR
CHS-06TB1
CY54FCT273TDIP
CY7C1484V25-250AXC
CY7C1347B-100BGI
COP8SGE8DWF6
CY29973AXIT
CY7C1380DV25-167BZI
C530
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HC238M
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
CD74HC238M
ＴＩ
25+
6475
原厂封装
只做原装★全系列销售★优势供应
深圳市力拓辉电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881140005 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881141877 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881141878 复制

电话：0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人：李
地址：福田区中航路都会B座26楼26U室
CD74HC238M
TI
2021+
17527
NA
主营TI，ST,欢迎来电洽谈
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
CD74HC238M
TI
25+
4500
N M
全新原装现货特价销售！
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室（本公司为一般纳税人，可开增票）
CD74HC238M
TI
25+
4500
NA
全新原装正品特价售销！
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
CD74HC238M
TI
24+
6400
SOIC
100%原装正品，只做原装正品
深圳市春涛电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ：570120875 复制
电话：0755-82563615 82563213
联系人：王云
地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室
CD74HC238M
TI
2425+
11280
SOP-16
进口原装!优势现货!
深圳市珩瑞科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ：1840507767 复制

电话：0755-82578309/18898790342
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
CD74HC238M
TI
21+
12000
SOIC (D)
███全新原装正品，可配单
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HC238M
Texas Instruments
24+
10000
16-SOIC
原厂一级代理，原装现货
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HC238M
Harris Corporation
24+
10000
16-SOIC
原厂一级代理，原装现货
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HC238M
Texas Instruments
24+
10000
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
原厂一级代理，原装现货
查询更多CD74HC238M供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！