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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1004页 > CD74HC238EE4
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 ,
CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS147I
1997年10月 - 修订2004年8月
高速CMOS逻辑3-8线解码器/
多路解复用器反相和同相
订购信息
产品型号
CD54HC138F3A
CD54HC238F3A
CD54HCT138F3A
CD54HCT238F3A
CD74HC138E
CD74HC138M
CD74HC138MT
CD74HC138M96
CD74HC238E
CD74HC238M
CD74HC238MT
CD74HC238M96
CD74HC238NSR
CD74HC238PW
CD74HC238PWR
CD74HC238PWT
CD74HCT138E
CD74HCT138M
CD74HCT138MT
CD74HCT138M96
CD74HCT238E
CD74HCT238M
CD74HCT238M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
选择之一八个数据输出
有效低电平138 ,高电平为238
[ /标题
(CD74
HC138
,
CD74
HCT13
8,
CD74
HC238
,
CD74
HCT23
8)
/子
拍摄对象
(高
速度
L / O端口或内存选择
三个使能输入,以简化级联
13纳秒的V典型传播延迟
CC
= 5 V,
C
L
= 15 pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2 V至6 V操作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5 V
HCT类型
- 4.5 V至5.5 V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8 V(最大值) ,V
IH
= 2 V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
的“ HC138 , ” HC238 ', HCT138和' HCT238是高速
硅栅CMOS解码器适合于存储器地址
解码或数据路由应用。两个电路功能
低功耗通常与CMOS有关
电路,但有速度相媲美的低功耗肖特基
TTL逻辑。这两种电路有三个二进制选择输入( A0 ,
A1和A2 ) 。如果设备被使能时,这些输入确定
其中的八个通常高输出之一
HC / HCT138系列变低或其中的通常是低
慧聪输出/ HCT238系列高。
两种活性低和一种活性高使能( E1,E2和E3 )
被提供,以减轻解码器的级联。该
解码器的八个输出可以驱动10低功耗肖特基
TTL等效负载。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
引脚
CD54HC138 , CD54HCT138 , CD54HC238 , CD54HCT238
( CERDIP )
CD74HC138 , CD74HCT138 , CD74HCT238
( PDIP , SOIC )
CD74HC238
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
E1 4
E2 5
E3 6
(Y7) Y7 7
GND 8
16 V
CC
15 Y0 (Y0)
14 Y1 (Y1)
13 Y2 (Y2)
12 Y3 (Y3)
11 Y4 (Y4)
10 Y5 (Y5)
9 Y6 (Y6)
E1
5
E2
E3
6
9
Y6
7
Y7
Y7
Y6
10
Y5
Y5
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
238
138
A0
A1
3
A2
12
Y3
4
11
Y4
Y4
Y3
13
Y2
Y2
1
2
15
14
Y0
Y1
Y0
Y1
括号中的信号名称是“ HC138和” HCT138 。
真值表“ HC138 ” HCT138
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y3
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
真值表“ HC238 ” HCT238
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y1
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y2
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y3
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y4
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y5
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y6
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
2
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统,理论上最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0-A2
E1, E2
E3
单位负载
1.5
1.25
1
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
地址输出
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
13
-
150
30
-
26
-
-
-
-
190
38
-
33
-
-
-
-
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
功耗
电容(注3,4)
输入电容
HCT类型
传播延迟
地址输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
使能到输出
HC/HCT138
使能到输出
HC/HCT238
输出转换时间
(图2)
功耗
电容(注3,4)
输入电容
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 15pF的
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
4.5
5
4.5
4.5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
67
-
35
-
35
40
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
44
-
44
50
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
53
-
53
60
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
67
-
最大
150
30
26
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
190
38
33
95
19
16
-
10
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
45
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
使能到输出
HC/HCT138
符号
TEST
条件
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图7. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图8. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 ,
CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS147I
1997年10月 - 修订2004年8月
高速CMOS逻辑3-8线解码器/
多路解复用器反相和同相
订购信息
产品型号
CD54HC138F3A
CD54HC238F3A
CD54HCT138F3A
CD54HCT238F3A
CD74HC138E
CD74HC138M
CD74HC138MT
CD74HC138M96
CD74HC238E
CD74HC238M
CD74HC238MT
CD74HC238M96
CD74HC238NSR
CD74HC238PW
CD74HC238PWR
CD74HC238PWT
CD74HCT138E
CD74HCT138M
CD74HCT138MT
CD74HCT138M96
CD74HCT238E
CD74HCT238M
CD74HCT238M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
选择之一八个数据输出
有效低电平138 ,高电平为238
[ /标题
(CD74
HC138
,
CD74
HCT13
8,
CD74
HC238
,
CD74
HCT23
8)
/子
拍摄对象
(高
速度
L / O端口或内存选择
三个使能输入,以简化级联
13纳秒的V典型传播延迟
CC
= 5 V,
C
L
= 15 pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2 V至6 V操作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5 V
HCT类型
- 4.5 V至5.5 V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8 V(最大值) ,V
IH
= 2 V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
的“ HC138 , ” HC238 ', HCT138和' HCT238是高速
硅栅CMOS解码器适合于存储器地址
解码或数据路由应用。两个电路功能
低功耗通常与CMOS有关
电路,但有速度相媲美的低功耗肖特基
TTL逻辑。这两种电路有三个二进制选择输入( A0 ,
A1和A2 ) 。如果设备被使能时,这些输入确定
其中的八个通常高输出之一
HC / HCT138系列变低或其中的通常是低
慧聪输出/ HCT238系列高。
两种活性低和一种活性高使能( E1,E2和E3 )
被提供,以减轻解码器的级联。该
解码器的八个输出可以驱动10低功耗肖特基
TTL等效负载。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
引脚
CD54HC138 , CD54HCT138 , CD54HC238 , CD54HCT238
( CERDIP )
CD74HC138 , CD74HCT138 , CD74HCT238
( PDIP , SOIC )
CD74HC238
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
E1 4
E2 5
E3 6
(Y7) Y7 7
GND 8
16 V
CC
15 Y0 (Y0)
14 Y1 (Y1)
13 Y2 (Y2)
12 Y3 (Y3)
11 Y4 (Y4)
10 Y5 (Y5)
9 Y6 (Y6)
E1
5
E2
E3
6
9
Y6
7
Y7
Y7
Y6
10
Y5
Y5
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
238
138
A0
A1
3
A2
12
Y3
4
11
Y4
Y4
Y3
13
Y2
Y2
1
2
15
14
Y0
Y1
Y0
Y1
括号中的信号名称是“ HC138和” HCT138 。
真值表“ HC138 ” HCT138
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y3
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
真值表“ HC238 ” HCT238
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y1
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y2
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y3
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y4
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y5
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y6
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
2
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统,理论上最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0-A2
E1, E2
E3
单位负载
1.5
1.25
1
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
地址输出
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
13
-
150
30
-
26
-
-
-
-
190
38
-
33
-
-
-
-
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
功耗
电容(注3,4)
输入电容
HCT类型
传播延迟
地址输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
使能到输出
HC/HCT138
使能到输出
HC/HCT238
输出转换时间
(图2)
功耗
电容(注3,4)
输入电容
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 15pF的
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
4.5
5
4.5
4.5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
67
-
35
-
35
40
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
44
-
44
50
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
53
-
53
60
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
67
-
最大
150
30
26
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
190
38
33
95
19
16
-
10
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
45
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
使能到输出
HC/HCT138
符号
TEST
条件
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图7. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图8. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 ,
CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS147I
1997年10月 - 修订2004年8月
高速CMOS逻辑3-8线解码器/
多路解复用器反相和同相
订购信息
产品型号
CD54HC138F3A
CD54HC238F3A
CD54HCT138F3A
CD54HCT238F3A
CD74HC138E
CD74HC138M
CD74HC138MT
CD74HC138M96
CD74HC238E
CD74HC238M
CD74HC238MT
CD74HC238M96
CD74HC238NSR
CD74HC238PW
CD74HC238PWR
CD74HC238PWT
CD74HCT138E
CD74HCT138M
CD74HCT138MT
CD74HCT138M96
CD74HCT238E
CD74HCT238M
CD74HCT238M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
选择之一八个数据输出
有效低电平138 ,高电平为238
[ /标题
(CD74
HC138
,
CD74
HCT13
8,
CD74
HC238
,
CD74
HCT23
8)
/子
拍摄对象
(高
速度
L / O端口或内存选择
三个使能输入,以简化级联
13纳秒的V典型传播延迟
CC
= 5 V,
C
L
= 15 pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2 V至6 V操作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5 V
HCT类型
- 4.5 V至5.5 V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8 V(最大值) ,V
IH
= 2 V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
描述
的“ HC138 , ” HC238 ', HCT138和' HCT238是高速
硅栅CMOS解码器适合于存储器地址
解码或数据路由应用。两个电路功能
低功耗通常与CMOS有关
电路,但有速度相媲美的低功耗肖特基
TTL逻辑。这两种电路有三个二进制选择输入( A0 ,
A1和A2 ) 。如果设备被使能时,这些输入确定
其中的八个通常高输出之一
HC / HCT138系列变低或其中的通常是低
慧聪输出/ HCT238系列高。
两种活性低和一种活性高使能( E1,E2和E3 )
被提供,以减轻解码器的级联。该
解码器的八个输出可以驱动10低功耗肖特基
TTL等效负载。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
引脚
CD54HC138 , CD54HCT138 , CD54HC238 , CD54HCT238
( CERDIP )
CD74HC138 , CD74HCT138 , CD74HCT238
( PDIP , SOIC )
CD74HC238
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
A0 1
A1 2
A2 3
E1 4
E2 5
E3 6
(Y7) Y7 7
GND 8
16 V
CC
15 Y0 (Y0)
14 Y1 (Y1)
13 Y2 (Y2)
12 Y3 (Y3)
11 Y4 (Y4)
10 Y5 (Y5)
9 Y6 (Y6)
E1
5
E2
E3
6
9
Y6
7
Y7
Y7
Y6
10
Y5
Y5
工作原理图
HC / HCT HC / HCT
238
138
A0
A1
3
A2
12
Y3
4
11
Y4
Y4
Y3
13
Y2
Y2
1
2
15
14
Y0
Y1
Y0
Y1
括号中的信号名称是“ HC138和” HCT138 。
真值表“ HC138 ” HCT138
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y1
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y2
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y3
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y4
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y5
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y6
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
真值表“ HC238 ” HCT238
输入
启用
E3
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
E2
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
E1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
A2
X
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
地址
A1
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
Y0
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y1
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y2
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y3
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y4
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y5
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y6
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
2
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统,理论上最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
A0-A2
E1, E2
E3
单位负载
1.5
1.25
1
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
地址输出
符号
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
-
-
-
-
13
-
150
30
-
26
-
-
-
-
190
38
-
33
-
-
-
-
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
4
CD54 / 74HC138 , CD54 / 74HCT138 , CD54 / 74HC238 , CD54 / 74HCT238
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
功耗
电容(注3,4)
输入电容
HCT类型
传播延迟
地址输出
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
使能到输出
HC/HCT138
使能到输出
HC/HCT238
输出转换时间
(图2)
功耗
电容(注3,4)
输入电容
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 15pF的
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
4.5
5
4.5
4.5
4.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
67
-
35
-
35
40
15
-
10
-
-
-
-
-
-
-
44
-
44
50
19
-
10
-
-
-
-
-
-
-
53
-
53
60
22
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
C
PD
C
IN
C
L
= 15pF的
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
67
-
最大
150
30
26
75
15
13
-
10
-40
o
C到
85
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
190
38
33
95
19
16
-
10
-55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
265
53
45
110
22
19
-
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
参数
使能到输出
HC/HCT138
符号
TEST
条件
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图7. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图8. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
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