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CD54HC195 , CD74HC195
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS165E
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4位并行存取寄存器
描述
该装置是在各种各样的变速有用,计数
和存储的应用程序。它执行串行,并行,串行到
平行,或者并行 - 串行数据传输以非常高的
速度。
在两种操作模式下,右移(Q
0
-Q
1
)和并行
负载,通过并联使能( PE)的状态控制
输入。串行数据进入网络连接第一个IP- FL佛罗里达州运(Q
0
)通过J和K
输入时,在PE输入为高,而被转移到一个位
Q方向
0
-Q
1
-Q
2
-Q
3
在每次从低到高的时钟
过渡。在J和K输入提供JK-的灵活性
输入型的特殊应用和捆绑的两个引脚
一起,简单的D型输入,用于一般应用。
该设备显示为四种常见的超频 FL IP- FL OPS
当PE输入为低电平。之后,从低到高的时钟
过渡,对并行输入端(D0 - D3)的数据传送
到相应的Q
0
-Q
3
输出。左移位操作(Q
3
-Q
2
)
可以通过捆绑的Q来实现
n
输出到DN- 1的输入
并保持PE输入低电平。
所有的并行和串行数据传输是同步的,发生
之后每次从低到高时钟跳变。在“ HC195系列
利用边沿触发;因此,存在对没有限制
在J,K ,光合活性和PE的投入来进行逻辑操作,其他
比建立和保持时间的要求。低导的
异步主复位( MR)输入设置所有的Q输出低电平,
独立于任何其他输入条件。
特点
异步主复位
[ /标题
(CD74
HC195
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
Paral-
LEL
ACCESS
寄存器
之三)
/ Autho
J,K (D )输入到第一阶段
完全同步串行或并行数据传输
右移和并行负载能力
互补输出从末级
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
引脚
CD54HC195
( CERDIP )
CD74HC195
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
MR 1
J 2
K 3
D0 4
D1 5
D2 6
D3 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 Q
3
10 CP
9 PE
产品型号
CD54HC195F3A
CD74HC195E
CD74HC195M
CD74HC195NSR
CD74HC195PW
CD74HC195PWR
CD74HC195PWT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻个R
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC195 , CD74HC195
工作原理图
PE
0
D
1
D
2
D
3
9
J
CP
K
MR
2
10
3
1
15
14
13
12
4
5
6
7
11
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
真值表
输入
操作模式
异步复位
移,设置网络连接的第一个阶段
转向,重置连接RST阶段
移动,切换网络连接第一个阶段
转移,保留科幻RST阶段
并行加载
MR
L
H
H
H
H
H
CP
X
PE
X
h
h
h
h
l
J
X
h
l
h
l
X
K
X
h
l
l
h
X
Dn
X
X
X
X
X
dn
Q
0
L
H
产量
Q
1
L
q
0
q
0
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
1
q
1
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
2
q
2
q
2
q
2
d3
Q
3
H
q
2
q
2
q
2
q
2
d2
L
q
0
q
0
d
0
H =高电压等级
L =低电压电平,
X =无关
=转型从低到高级别
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
H =低电平一建立时间之前高至低时钟转换,
DN (Q
n
) =小写字母表示的参考输入(或输出)一个建立时间之前低到高时钟状态
过渡。
2
CD54HC195 , CD74HC195
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
3
CD54HC195 , CD74HC195
前提切换功能
参数
时钟频率
符号
f
最大
TEST
条件V
CC
(V)
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
建立时间
J,K , PE时钟
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
J,K , PE时钟
t
H
-
2
4.5
6
搬迁时间,
MR时钟
t
REM
-
2
4.5
6
25
o
C
6
30
35
80
16
14
80
16
14
100
20
17
3
3
5
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
5
25
29
100
20
17
100
20
17
125
25
21
3
3
3
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
150
30
26
3
3
3
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,以CP
产量
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
13
50
45
175
35
30
150
30
26
75
15
13
10
-
-
-
-
220
44
37
190
38
33
95
19
16
10
-
-
-
-
265
53
45
225
45
38
110
22
19
10
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
ns
ns
兆赫
pF
传播延迟,
MR toOutput
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
CP到Q
n
传播延迟
MR到Q
n
最大时钟频率
功耗
电容(注2,3)
注意事项:
C
IN
t
PLH
, t
PHL
t
PHL
f
最大
C
PD
-
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
-
5
5
5
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个触发器。
3. P
D
= V
CC2
f
i
+
(C
L
V
CC2
+ f
O
) ,其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
4
CD54HC195 , CD74HC195
测试电路和波形
t
W
RESET
t
r
时钟V
S
90%
10%
t
W
升/女
最大
t
PLH
t
PHL
Q或Q
90%
10%
t
TLH
0.5 V
CC
t
THL
时钟
t
f
V
CC
GND
Q
t
PHL
Q
V
S
t
REM
0.5 V
CC
V
CC
GND
t
PLH
0.5 V
CC
V
S
V
CC
GND
图1.时钟前提和传播
时滞及输出转换时间
图2.主复位前提和
传播延迟
有效
PE ,K
J
t
SU
时钟
V
S
t
h
0.5 V
CC
GND
V
CC
GND
图3, J,K ,或并行ENABLE PREREQUISITE时代
5
CD54HC195 , CD74HC195
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS165E
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4位并行存取寄存器
描述
该装置是在各种各样的变速有用,计数
和存储的应用程序。它执行串行,并行,串行到
平行,或者并行 - 串行数据传输以非常高的
速度。
在两种操作模式下,右移(Q
0
-Q
1
)和并行
负载,通过并联使能( PE)的状态控制
输入。串行数据进入网络连接第一个IP- FL佛罗里达州运(Q
0
)通过J和K
输入时,在PE输入为高,而被转移到一个位
Q方向
0
-Q
1
-Q
2
-Q
3
在每次从低到高的时钟
过渡。在J和K输入提供JK-的灵活性
输入型的特殊应用和捆绑的两个引脚
一起,简单的D型输入,用于一般应用。
该设备显示为四种常见的超频 FL IP- FL OPS
当PE输入为低电平。之后,从低到高的时钟
过渡,对并行输入端(D0 - D3)的数据传送
到相应的Q
0
-Q
3
输出。左移位操作(Q
3
-Q
2
)
可以通过捆绑的Q来实现
n
输出到DN- 1的输入
并保持PE输入低电平。
所有的并行和串行数据传输是同步的,发生
之后每次从低到高时钟跳变。在“ HC195系列
利用边沿触发;因此,存在对没有限制
在J,K ,光合活性和PE的投入来进行逻辑操作,其他
比建立和保持时间的要求。低导的
异步主复位( MR)输入设置所有的Q输出低电平,
独立于任何其他输入条件。
特点
异步主复位
[ /标题
(CD74
HC195
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
Paral-
LEL
ACCESS
寄存器
之三)
/ Autho
J,K (D )输入到第一阶段
完全同步串行或并行数据传输
右移和并行负载能力
互补输出从末级
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
引脚
CD54HC195
( CERDIP )
CD74HC195
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
MR 1
J 2
K 3
D0 4
D1 5
D2 6
D3 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 Q
3
10 CP
9 PE
产品型号
CD54HC195F3A
CD74HC195E
CD74HC195M
CD74HC195NSR
CD74HC195PW
CD74HC195PWR
CD74HC195PWT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻个R
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC195 , CD74HC195
工作原理图
PE
0
D
1
D
2
D
3
9
J
CP
K
MR
2
10
3
1
15
14
13
12
4
5
6
7
11
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
真值表
输入
操作模式
异步复位
移,设置网络连接的第一个阶段
转向,重置连接RST阶段
移动,切换网络连接第一个阶段
转移,保留科幻RST阶段
并行加载
MR
L
H
H
H
H
H
CP
X
PE
X
h
h
h
h
l
J
X
h
l
h
l
X
K
X
h
l
l
h
X
Dn
X
X
X
X
X
dn
Q
0
L
H
产量
Q
1
L
q
0
q
0
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
1
q
1
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
2
q
2
q
2
q
2
d3
Q
3
H
q
2
q
2
q
2
q
2
d2
L
q
0
q
0
d
0
H =高电压等级
L =低电压电平,
X =无关
=转型从低到高级别
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
H =低电平一建立时间之前高至低时钟转换,
DN (Q
n
) =小写字母表示的参考输入(或输出)一个建立时间之前低到高时钟状态
过渡。
2
CD54HC195 , CD74HC195
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
3
CD54HC195 , CD74HC195
前提切换功能
参数
时钟频率
符号
f
最大
TEST
条件V
CC
(V)
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
建立时间
J,K , PE时钟
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
J,K , PE时钟
t
H
-
2
4.5
6
搬迁时间,
MR时钟
t
REM
-
2
4.5
6
25
o
C
6
30
35
80
16
14
80
16
14
100
20
17
3
3
5
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
5
25
29
100
20
17
100
20
17
125
25
21
3
3
3
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
150
30
26
3
3
3
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,以CP
产量
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
13
50
45
175
35
30
150
30
26
75
15
13
10
-
-
-
-
220
44
37
190
38
33
95
19
16
10
-
-
-
-
265
53
45
225
45
38
110
22
19
10
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
ns
ns
兆赫
pF
传播延迟,
MR toOutput
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
CP到Q
n
传播延迟
MR到Q
n
最大时钟频率
功耗
电容(注2,3)
注意事项:
C
IN
t
PLH
, t
PHL
t
PHL
f
最大
C
PD
-
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
-
5
5
5
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个触发器。
3. P
D
= V
CC2
f
i
+
(C
L
V
CC2
+ f
O
) ,其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
4
CD54HC195 , CD74HC195
测试电路和波形
t
W
RESET
t
r
时钟V
S
90%
10%
t
W
升/女
最大
t
PLH
t
PHL
Q或Q
90%
10%
t
TLH
0.5 V
CC
t
THL
时钟
t
f
V
CC
GND
Q
t
PHL
Q
V
S
t
REM
0.5 V
CC
V
CC
GND
t
PLH
0.5 V
CC
V
S
V
CC
GND
图1.时钟前提和传播
时滞及输出转换时间
图2.主复位前提和
传播延迟
有效
PE ,K
J
t
SU
时钟
V
S
t
h
0.5 V
CC
GND
V
CC
GND
图3, J,K ,或并行ENABLE PREREQUISITE时代
5
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