添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1352页 > CD74HC195E
CD54HC195 , CD74HC195
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS165E
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4位并行存取寄存器
描述
该装置是在各种各样的变速有用,计数
和存储的应用程序。它执行串行,并行,串行到
平行,或者并行 - 串行数据传输以非常高的
速度。
在两种操作模式下,右移(Q
0
-Q
1
)和并行
负载,通过并联使能( PE)的状态控制
输入。串行数据进入网络连接第一个IP- FL佛罗里达州运(Q
0
)通过J和K
输入时,在PE输入为高,而被转移到一个位
Q方向
0
-Q
1
-Q
2
-Q
3
在每次从低到高的时钟
过渡。在J和K输入提供JK-的灵活性
输入型的特殊应用和捆绑的两个引脚
一起,简单的D型输入,用于一般应用。
该设备显示为四种常见的超频 FL IP- FL OPS
当PE输入为低电平。之后,从低到高的时钟
过渡,对并行输入端(D0 - D3)的数据传送
到相应的Q
0
-Q
3
输出。左移位操作(Q
3
-Q
2
)
可以通过捆绑的Q来实现
n
输出到DN- 1的输入
并保持PE输入低电平。
所有的并行和串行数据传输是同步的,发生
之后每次从低到高时钟跳变。在“ HC195系列
利用边沿触发;因此,存在对没有限制
在J,K ,光合活性和PE的投入来进行逻辑操作,其他
比建立和保持时间的要求。低导的
异步主复位( MR)输入设置所有的Q输出低电平,
独立于任何其他输入条件。
特点
异步主复位
[ /标题
(CD74
HC195
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
Paral-
LEL
ACCESS
寄存器
之三)
/ Autho
J,K (D )输入到第一阶段
完全同步串行或并行数据传输
右移和并行负载能力
互补输出从末级
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
引脚
CD54HC195
( CERDIP )
CD74HC195
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
MR 1
J 2
K 3
D0 4
D1 5
D2 6
D3 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 Q
3
10 CP
9 PE
产品型号
CD54HC195F3A
CD74HC195E
CD74HC195M
CD74HC195NSR
CD74HC195PW
CD74HC195PWR
CD74HC195PWT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻个R
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC195 , CD74HC195
工作原理图
PE
0
D
1
D
2
D
3
9
J
CP
K
MR
2
10
3
1
15
14
13
12
4
5
6
7
11
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
真值表
输入
操作模式
异步复位
移,设置网络连接的第一个阶段
转向,重置连接RST阶段
移动,切换网络连接第一个阶段
转移,保留科幻RST阶段
并行加载
MR
L
H
H
H
H
H
CP
X
PE
X
h
h
h
h
l
J
X
h
l
h
l
X
K
X
h
l
l
h
X
Dn
X
X
X
X
X
dn
Q
0
L
H
产量
Q
1
L
q
0
q
0
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
1
q
1
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
2
q
2
q
2
q
2
d3
Q
3
H
q
2
q
2
q
2
q
2
d2
L
q
0
q
0
d
0
H =高电压等级
L =低电压电平,
X =无关
=转型从低到高级别
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
H =低电平一建立时间之前高至低时钟转换,
DN (Q
n
) =小写字母表示的参考输入(或输出)一个建立时间之前低到高时钟状态
过渡。
2
CD54HC195 , CD74HC195
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
3
CD54HC195 , CD74HC195
前提切换功能
参数
时钟频率
符号
f
最大
TEST
条件V
CC
(V)
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
建立时间
J,K , PE时钟
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
J,K , PE时钟
t
H
-
2
4.5
6
搬迁时间,
MR时钟
t
REM
-
2
4.5
6
25
o
C
6
30
35
80
16
14
80
16
14
100
20
17
3
3
5
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
5
25
29
100
20
17
100
20
17
125
25
21
3
3
3
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
150
30
26
3
3
3
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,以CP
产量
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
13
50
45
175
35
30
150
30
26
75
15
13
10
-
-
-
-
220
44
37
190
38
33
95
19
16
10
-
-
-
-
265
53
45
225
45
38
110
22
19
10
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
ns
ns
兆赫
pF
传播延迟,
MR toOutput
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
CP到Q
n
传播延迟
MR到Q
n
最大时钟频率
功耗
电容(注2,3)
注意事项:
C
IN
t
PLH
, t
PHL
t
PHL
f
最大
C
PD
-
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
-
5
5
5
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个触发器。
3. P
D
= V
CC2
f
i
+
(C
L
V
CC2
+ f
O
) ,其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
4
CD54HC195 , CD74HC195
测试电路和波形
t
W
RESET
t
r
时钟V
S
90%
10%
t
W
升/女
最大
t
PLH
t
PHL
Q或Q
90%
10%
t
TLH
0.5 V
CC
t
THL
时钟
t
f
V
CC
GND
Q
t
PHL
Q
V
S
t
REM
0.5 V
CC
V
CC
GND
t
PLH
0.5 V
CC
V
S
V
CC
GND
图1.时钟前提和传播
时滞及输出转换时间
图2.主复位前提和
传播延迟
有效
PE ,K
J
t
SU
时钟
V
S
t
h
0.5 V
CC
GND
V
CC
GND
图3, J,K ,或并行ENABLE PREREQUISITE时代
5
CD74HC195
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS165
1997年9月
高速CMOS逻辑
4位并行存取寄存器
描述
该装置是在各种各样的变速有用,计数
和存储的应用程序。它执行串行,并行,串行到
平行,或者并行 - 串行数据传输以非常高的
速度。
在两种操作模式下,右移(Q
0
-Q
1
)和并行
负载,通过并联使能( PE)的状态控制
输入。串行数据进入网络连接第一个IP- FL佛罗里达州运(Q
0
)通过J和K
输入时,在PE输入为高,而被转移到一个位
Q方向
0
-Q
1
-Q
2
-Q
3
在每次从低到高的时钟
过渡。在J和K输入提供JK-的灵活性
输入型的特殊应用和捆绑的两个引脚
一起,简单的D型输入,用于一般应用。
该设备显示为四种常见的超频 FL IP- FL OPS
当PE输入为低电平。之后,从低到高的时钟跃迁
化,对并行输入端(D0 - D3)的数据传送到
相应的Q
0
-Q
3
输出。左移位操作(Q
3
-Q
2
)可以
被捆绑的Q实现
n
输出到DN- 1的输入和
抱着PE输入低电平。
所有的并行和串行数据传输是同步的,发生
之后每次从低到高时钟跳变。该CD74HC195系列
利用边沿触发;因此,存在对没有限制
在J,K ,光合活性和PE的投入来进行逻辑操作,其他
比建立和保持时间的要求。低导的
异步主复位( MR)输入设置所有的Q输出低电平,
独立于任何其他输入条件。
特点
异步主复位
J,K (D )输入到第一阶段
完全同步串行或并行数据传输
右移和并行负载能力
互补输出从末级
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
[ /标题
(CD74
HC195
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
Paral-
LEL
ACCESS
寄存器
之三)
/ Autho
订购信息
引脚
CD74HC195
( PDIP , SOIC )
顶视图
MR 1
J 2
K 3
D0 4
D1 5
D2 6
D3 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 Q
3
10 CP
9 PE
产品型号
CD74HC195E
CD74HC195M
注意事项:
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
M16.15
1,订货时,使用整个零件编号。
2.模具的这一部分数量可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或哈里斯
客户服务的订购信息。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1482.1
1
CD74HC195
工作原理图
PE
0
D
1
D
2
D
3
9
J
CP
K
MR
2
10
3
1
15
14
13
12
4
5
6
7
11
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
真值表
输入
操作模式
异步复位
移,设置网络连接的第一个阶段
转向,重置连接RST阶段
移动,切换网络连接第一个阶段
转移,保留科幻RST阶段
并行加载
MR
L
H
H
H
H
H
CP
X
PE
X
h
h
h
h
l
J
X
h
l
h
l
X
K
X
h
l
l
h
X
Dn
X
X
X
X
X
dn
Q
0
L
H
产量
Q
1
L
q
0
q
0
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
1
q
1
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
2
q
2
q
2
q
2
d3
Q
3
H
q
2
q
2
q
2
q
2
d2
L
q
0
q
0
d
0
注:H =高电压等级
L =低电压电平,
X =无关
=转型从低到高级别
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
H =低电平一建立时间之前高至低时钟转换,
DN (Q
n
) =小写字母表示的参考输入(或输出)一个建立时间之前低到高时钟状态
过渡。
2
CD74HC195
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
190
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
电流(注)
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
注:对于双电源供电系统理论分析最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
3
CD74HC195
前提切换功能
参数
时钟频率
符号
f
最大
TEST
条件V
CC
(V)
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
建立时间
J,K , PE时钟
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
J,K , PE时钟
t
H
-
2
4.5
6
搬迁时间,
MR时钟
t
REM
-
2
4.5
6
25
o
C
6
30
35
80
16
14
80
16
14
100
20
17
3
3
5
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
5
25
29
100
20
17
100
20
17
125
25
21
3
3
3
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
150
30
26
3
3
3
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,以CP
产量
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
13
50
45
175
35
30
150
30
26
75
15
13
10
-
-
-
-
220
44
37
190
38
33
95
19
16
10
-
-
-
-
265
53
45
225
45
38
110
22
19
10
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
ns
ns
兆赫
pF
传播延迟,
MR toOutput
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
CP到Q
n
传播延迟
MR到Q
n
最大时钟频率
功耗
电容(注4,5)
注意事项:
C
IN
t
PLH
, t
PHL
t
PHL
f
最大
C
PD
-
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
-
5
5
5
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个触发器。
5. P
D
= V
CC2
f
i
+
(C
L
V
CC2
+ f
O
) ,其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
4
CD74HC195
测试电路和波形
t
W
RESET
t
r
时钟V
S
90%
10%
t
W
升/女
最大
t
PLH
t
PHL
Q或Q
90%
10%
t
TLH
0.5 V
CC
t
THL
时钟
t
f
V
CC
GND
Q
t
PHL
Q
V
S
t
REM
0.5 V
CC
V
CC
GND
t
PLH
0.5 V
CC
V
S
V
CC
GND
图1.时钟的先决条件和传播
时滞及输出转换时间
图2.主复位先决条件和
传播延迟
有效
PE ,K
J
t
SU
时钟
V
S
t
h
0.5 V
CC
GND
V
CC
GND
图3: J,K或并行ENABLE先决条件TIMES
5
CD74HC195
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS165
1997年9月
高速CMOS逻辑
4位并行存取寄存器
描述
该装置是在各种各样的变速有用,计数
和存储的应用程序。它执行串行,并行,串行到
平行,或者并行 - 串行数据传输以非常高的
速度。
在两种操作模式下,右移(Q
0
-Q
1
)和并行
负载,通过并联使能( PE)的状态控制
输入。串行数据进入网络连接第一个IP- FL佛罗里达州运(Q
0
)通过J和K
输入时,在PE输入为高,而被转移到一个位
Q方向
0
-Q
1
-Q
2
-Q
3
在每次从低到高的时钟
过渡。在J和K输入提供JK-的灵活性
输入型的特殊应用和捆绑的两个引脚
一起,简单的D型输入,用于一般应用。
该设备显示为四种常见的超频 FL IP- FL OPS
当PE输入为低电平。之后,从低到高的时钟跃迁
化,对并行输入端(D0 - D3)的数据传送到
相应的Q
0
-Q
3
输出。左移位操作(Q
3
-Q
2
)可以
被捆绑的Q实现
n
输出到DN- 1的输入和
抱着PE输入低电平。
所有的并行和串行数据传输是同步的,发生
之后每次从低到高时钟跳变。该CD74HC195系列
利用边沿触发;因此,存在对没有限制
在J,K ,光合活性和PE的投入来进行逻辑操作,其他
比建立和保持时间的要求。低导的
异步主复位( MR)输入设置所有的Q输出低电平,
独立于任何其他输入条件。
特点
异步主复位
J,K (D )输入到第一阶段
完全同步串行或并行数据传输
右移和并行负载能力
互补输出从末级
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
[ /标题
(CD74
HC195
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
Paral-
LEL
ACCESS
寄存器
之三)
/ Autho
订购信息
引脚
CD74HC195
( PDIP , SOIC )
顶视图
MR 1
J 2
K 3
D0 4
D1 5
D2 6
D3 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 Q
3
10 CP
9 PE
产品型号
CD74HC195E
CD74HC195M
注意事项:
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
PKG 。
E16.3
M16.15
1,订货时,使用整个零件编号。
2.模具的这一部分数量可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或哈里斯
客户服务的订购信息。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1482.1
1
CD74HC195
工作原理图
PE
0
D
1
D
2
D
3
9
J
CP
K
MR
2
10
3
1
15
14
13
12
4
5
6
7
11
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
真值表
输入
操作模式
异步复位
移,设置网络连接的第一个阶段
转向,重置连接RST阶段
移动,切换网络连接第一个阶段
转移,保留科幻RST阶段
并行加载
MR
L
H
H
H
H
H
CP
X
PE
X
h
h
h
h
l
J
X
h
l
h
l
X
K
X
h
l
l
h
X
Dn
X
X
X
X
X
dn
Q
0
L
H
产量
Q
1
L
q
0
q
0
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
1
q
1
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
2
q
2
q
2
q
2
d3
Q
3
H
q
2
q
2
q
2
q
2
d2
L
q
0
q
0
d
0
注:H =高电压等级
L =低电压电平,
X =无关
=转型从低到高级别
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
H =低电平一建立时间之前高至低时钟转换,
DN (Q
n
) =小写字母表示的参考输入(或输出)一个建立时间之前低到高时钟状态
过渡。
2
CD74HC195
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
190
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
电流(注)
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
注:对于双电源供电系统理论分析最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
3
CD74HC195
前提切换功能
参数
时钟频率
符号
f
最大
TEST
条件V
CC
(V)
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
建立时间
J,K , PE时钟
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
J,K , PE时钟
t
H
-
2
4.5
6
搬迁时间,
MR时钟
t
REM
-
2
4.5
6
25
o
C
6
30
35
80
16
14
80
16
14
100
20
17
3
3
5
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
5
25
29
100
20
17
100
20
17
125
25
21
3
3
3
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
150
30
26
3
3
3
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,以CP
产量
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
13
50
45
175
35
30
150
30
26
75
15
13
10
-
-
-
-
220
44
37
190
38
33
95
19
16
10
-
-
-
-
265
53
45
225
45
38
110
22
19
10
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
ns
ns
兆赫
pF
传播延迟,
MR toOutput
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
CP到Q
n
传播延迟
MR到Q
n
最大时钟频率
功耗
电容(注4,5)
注意事项:
C
IN
t
PLH
, t
PHL
t
PHL
f
最大
C
PD
-
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
-
5
5
5
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个触发器。
5. P
D
= V
CC2
f
i
+
(C
L
V
CC2
+ f
O
) ,其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
4
CD74HC195
测试电路和波形
t
W
RESET
t
r
时钟V
S
90%
10%
t
W
升/女
最大
t
PLH
t
PHL
Q或Q
90%
10%
t
TLH
0.5 V
CC
t
THL
时钟
t
f
V
CC
GND
Q
t
PHL
Q
V
S
t
REM
0.5 V
CC
V
CC
GND
t
PLH
0.5 V
CC
V
S
V
CC
GND
图1.时钟的先决条件和传播
时滞及输出转换时间
图2.主复位先决条件和
传播延迟
有效
PE ,K
J
t
SU
时钟
V
S
t
h
0.5 V
CC
GND
V
CC
GND
图3: J,K或并行ENABLE先决条件TIMES
5
CD54HC195 , CD74HC195
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS165E
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4位并行存取寄存器
描述
该装置是在各种各样的变速有用,计数
和存储的应用程序。它执行串行,并行,串行到
平行,或者并行 - 串行数据传输以非常高的
速度。
在两种操作模式下,右移(Q
0
-Q
1
)和并行
负载,通过并联使能( PE)的状态控制
输入。串行数据进入网络连接第一个IP- FL佛罗里达州运(Q
0
)通过J和K
输入时,在PE输入为高,而被转移到一个位
Q方向
0
-Q
1
-Q
2
-Q
3
在每次从低到高的时钟
过渡。在J和K输入提供JK-的灵活性
输入型的特殊应用和捆绑的两个引脚
一起,简单的D型输入,用于一般应用。
该设备显示为四种常见的超频 FL IP- FL OPS
当PE输入为低电平。之后,从低到高的时钟
过渡,对并行输入端(D0 - D3)的数据传送
到相应的Q
0
-Q
3
输出。左移位操作(Q
3
-Q
2
)
可以通过捆绑的Q来实现
n
输出到DN- 1的输入
并保持PE输入低电平。
所有的并行和串行数据传输是同步的,发生
之后每次从低到高时钟跳变。在“ HC195系列
利用边沿触发;因此,存在对没有限制
在J,K ,光合活性和PE的投入来进行逻辑操作,其他
比建立和保持时间的要求。低导的
异步主复位( MR)输入设置所有的Q输出低电平,
独立于任何其他输入条件。
特点
异步主复位
[ /标题
(CD74
HC195
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
Paral-
LEL
ACCESS
寄存器
之三)
/ Autho
J,K (D )输入到第一阶段
完全同步串行或并行数据传输
右移和并行负载能力
互补输出从末级
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
引脚
CD54HC195
( CERDIP )
CD74HC195
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
MR 1
J 2
K 3
D0 4
D1 5
D2 6
D3 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 Q
3
10 CP
9 PE
产品型号
CD54HC195F3A
CD74HC195E
CD74HC195M
CD74HC195NSR
CD74HC195PW
CD74HC195PWR
CD74HC195PWT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻个R
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC195 , CD74HC195
工作原理图
PE
0
D
1
D
2
D
3
9
J
CP
K
MR
2
10
3
1
15
14
13
12
4
5
6
7
11
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
真值表
输入
操作模式
异步复位
移,设置网络连接的第一个阶段
转向,重置连接RST阶段
移动,切换网络连接第一个阶段
转移,保留科幻RST阶段
并行加载
MR
L
H
H
H
H
H
CP
X
PE
X
h
h
h
h
l
J
X
h
l
h
l
X
K
X
h
l
l
h
X
Dn
X
X
X
X
X
dn
Q
0
L
H
产量
Q
1
L
q
0
q
0
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
1
q
1
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
2
q
2
q
2
q
2
d3
Q
3
H
q
2
q
2
q
2
q
2
d2
L
q
0
q
0
d
0
H =高电压等级
L =低电压电平,
X =无关
=转型从低到高级别
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
H =低电平一建立时间之前高至低时钟转换,
DN (Q
n
) =小写字母表示的参考输入(或输出)一个建立时间之前低到高时钟状态
过渡。
2
CD54HC195 , CD74HC195
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
3
CD54HC195 , CD74HC195
前提切换功能
参数
时钟频率
符号
f
最大
TEST
条件V
CC
(V)
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
建立时间
J,K , PE时钟
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
J,K , PE时钟
t
H
-
2
4.5
6
搬迁时间,
MR时钟
t
REM
-
2
4.5
6
25
o
C
6
30
35
80
16
14
80
16
14
100
20
17
3
3
5
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
5
25
29
100
20
17
100
20
17
125
25
21
3
3
3
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
150
30
26
3
3
3
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,以CP
产量
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
13
50
45
175
35
30
150
30
26
75
15
13
10
-
-
-
-
220
44
37
190
38
33
95
19
16
10
-
-
-
-
265
53
45
225
45
38
110
22
19
10
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
ns
ns
兆赫
pF
传播延迟,
MR toOutput
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
CP到Q
n
传播延迟
MR到Q
n
最大时钟频率
功耗
电容(注2,3)
注意事项:
C
IN
t
PLH
, t
PHL
t
PHL
f
最大
C
PD
-
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
-
5
5
5
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个触发器。
3. P
D
= V
CC2
f
i
+
(C
L
V
CC2
+ f
O
) ,其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
4
CD54HC195 , CD74HC195
测试电路和波形
t
W
RESET
t
r
时钟V
S
90%
10%
t
W
升/女
最大
t
PLH
t
PHL
Q或Q
90%
10%
t
TLH
0.5 V
CC
t
THL
时钟
t
f
V
CC
GND
Q
t
PHL
Q
V
S
t
REM
0.5 V
CC
V
CC
GND
t
PLH
0.5 V
CC
V
S
V
CC
GND
图1.时钟前提和传播
时滞及输出转换时间
图2.主复位前提和
传播延迟
有效
PE ,K
J
t
SU
时钟
V
S
t
h
0.5 V
CC
GND
V
CC
GND
图3, J,K ,或并行ENABLE PREREQUISITE时代
5
CD54HC195 , CD74HC195
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS165E
1997年9月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
4位并行存取寄存器
描述
该装置是在各种各样的变速有用,计数
和存储的应用程序。它执行串行,并行,串行到
平行,或者并行 - 串行数据传输以非常高的
速度。
在两种操作模式下,右移(Q
0
-Q
1
)和并行
负载,通过并联使能( PE)的状态控制
输入。串行数据进入网络连接第一个IP- FL佛罗里达州运(Q
0
)通过J和K
输入时,在PE输入为高,而被转移到一个位
Q方向
0
-Q
1
-Q
2
-Q
3
在每次从低到高的时钟
过渡。在J和K输入提供JK-的灵活性
输入型的特殊应用和捆绑的两个引脚
一起,简单的D型输入,用于一般应用。
该设备显示为四种常见的超频 FL IP- FL OPS
当PE输入为低电平。之后,从低到高的时钟
过渡,对并行输入端(D0 - D3)的数据传送
到相应的Q
0
-Q
3
输出。左移位操作(Q
3
-Q
2
)
可以通过捆绑的Q来实现
n
输出到DN- 1的输入
并保持PE输入低电平。
所有的并行和串行数据传输是同步的,发生
之后每次从低到高时钟跳变。在“ HC195系列
利用边沿触发;因此,存在对没有限制
在J,K ,光合活性和PE的投入来进行逻辑操作,其他
比建立和保持时间的要求。低导的
异步主复位( MR)输入设置所有的Q输出低电平,
独立于任何其他输入条件。
特点
异步主复位
[ /标题
(CD74
HC195
)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
Paral-
LEL
ACCESS
寄存器
之三)
/ Autho
J,K (D )输入到第一阶段
完全同步串行或并行数据传输
右移和并行负载能力
互补输出从末级
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
at
V
CC
= 5V
订购信息
引脚
CD54HC195
( CERDIP )
CD74HC195
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
顶视图
MR 1
J 2
K 3
D0 4
D1 5
D2 6
D3 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 Q
3
10 CP
9 PE
产品型号
CD54HC195F3A
CD74HC195E
CD74HC195M
CD74HC195NSR
CD74HC195PW
CD74HC195PWR
CD74HC195PWT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻个R
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC195 , CD74HC195
工作原理图
PE
0
D
1
D
2
D
3
9
J
CP
K
MR
2
10
3
1
15
14
13
12
4
5
6
7
11
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
真值表
输入
操作模式
异步复位
移,设置网络连接的第一个阶段
转向,重置连接RST阶段
移动,切换网络连接第一个阶段
转移,保留科幻RST阶段
并行加载
MR
L
H
H
H
H
H
CP
X
PE
X
h
h
h
h
l
J
X
h
l
h
l
X
K
X
h
l
l
h
X
Dn
X
X
X
X
X
dn
Q
0
L
H
产量
Q
1
L
q
0
q
0
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
1
q
1
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
2
q
2
q
2
q
2
d3
Q
3
H
q
2
q
2
q
2
q
2
d2
L
q
0
q
0
d
0
H =高电压等级
L =低电压电平,
X =无关
=转型从低到高级别
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换
H =低电平一建立时间之前高至低时钟转换,
DN (Q
n
) =小写字母表示的参考输入(或输出)一个建立时间之前低到高时钟状态
过渡。
2
CD54HC195 , CD74HC195
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
输入高电平
电压
符号
V
IH
V
I
(V)
-
I
O
(MA )
-
V
CC
(V)
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
25
o
C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
3
CD54HC195 , CD74HC195
前提切换功能
参数
时钟频率
符号
f
最大
TEST
条件V
CC
(V)
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
w
-
2
4.5
6
建立时间
J,K , PE时钟
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
J,K , PE时钟
t
H
-
2
4.5
6
搬迁时间,
MR时钟
t
REM
-
2
4.5
6
25
o
C
6
30
35
80
16
14
80
16
14
100
20
17
3
3
5
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
5
25
29
100
20
17
100
20
17
125
25
21
3
3
3
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
150
30
26
3
3
3
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,以CP
产量
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
13
50
45
175
35
30
150
30
26
75
15
13
10
-
-
-
-
220
44
37
190
38
33
95
19
16
10
-
-
-
-
265
53
45
225
45
38
110
22
19
10
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
ns
ns
兆赫
pF
传播延迟,
MR toOutput
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输出转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
CP到Q
n
传播延迟
MR到Q
n
最大时钟频率
功耗
电容(注2,3)
注意事项:
C
IN
t
PLH
, t
PHL
t
PHL
f
最大
C
PD
-
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
-
5
5
5
2. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个触发器。
3. P
D
= V
CC2
f
i
+
(C
L
V
CC2
+ f
O
) ,其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
4
CD54HC195 , CD74HC195
测试电路和波形
t
W
RESET
t
r
时钟V
S
90%
10%
t
W
升/女
最大
t
PLH
t
PHL
Q或Q
90%
10%
t
TLH
0.5 V
CC
t
THL
时钟
t
f
V
CC
GND
Q
t
PHL
Q
V
S
t
REM
0.5 V
CC
V
CC
GND
t
PLH
0.5 V
CC
V
S
V
CC
GND
图1.时钟前提和传播
时滞及输出转换时间
图2.主复位前提和
传播延迟
有效
PE ,K
J
t
SU
时钟
V
S
t
h
0.5 V
CC
GND
V
CC
GND
图3, J,K ,或并行ENABLE PREREQUISITE时代
5
查看更多CD74HC195EPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD74HC195E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
CD74HC195E
TI/德州仪器
25+
88280
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
CD74HC195E
RCA
1922+
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
CD74HC195E
TI
2425+
11280
DIP-16
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
CD74HC195E
TI
21+
12000
PDIP (N)
███全新原装正品,可配单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HC195E
Texas Instruments
24+
10000
16-PDIP
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CD74HC195E
Texas Instruments
24+
10000
16-DIP (0.300, 7.62mm)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CD74HC195E
TIS
24+
8420
PDIP16
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
CD74HC195E
TI
22+
1071
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
CD74HC195E
TI
21+
13454
PDIP (N)
只做原装,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393564 复制

电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
CD74HC195E
Texas Instruments
23+
847
原厂原封装
全新原装,现货优势库存
查询更多CD74HC195E供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!