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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1267页 > CD74HC166E
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS157
CD74HC166,
CD74HCT166
高速CMOS逻辑
8位并行输入/串行输出移位寄存器
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
1998年2月
特点
缓冲输入
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
[ /标题
(CD74
HC166
,
CD74
HCT16
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
Paral-
lel-
在/斯里
订购信息
产品型号
CD74HC166E
CD74HCT166E
CD74HC166M
CD74HCT166M
CD54HC166W
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或哈里斯
客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
晶圆
PKG 。
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
引脚
CD74HC166 , CD74HCT166 ( PDIP , SOIC )
顶视图
DS 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
CE 6
CP 7
GND 8
16 V
CC
15 PE
14 D7
13 Q7
12 D6
11 D5
10 D4
9 MR
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1501.1
1
CD74HC166 , CD74HCT166
工作原理图
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
PE
并联使能电路
D0
D
S
8 - 寄存器
Q7
CP
CE
MR
D7
真值表
输入
并行
RESET
L
H
H
H
H
H
并行
启用
X
X
L
H
H
X
时钟
启用
X
L
L
L
L
H
时钟
X
L
串行
X
X
X
H
L
X
D0 D7
X
X
一... H
X
X
X
Q0
L
Q00
a
H
L
Q00
国内
Q态
Q1
L
Q10
b
Q0n
Q0n
Q10
产量
Q7
L
Q0
h
Q6n
Q6n
Q70
注意事项:
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
=转型从低到高级别
一... H =稳态输入的输入端D0 D7直通水平,分别为。
Q00 , Q10, Q70 = Q0,Q1或Q7分别的电平,则所指示的稳态输入条件建立之前。
Q0n , Q6n = Q 0或Q 6 ,分别水平,之前的最近
时钟过渡。
2
CD74HC166 , CD74HCT166
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
160
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD74HC166 , CD74HCT166
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
(注4 )
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C
-
最大
80
-55
o
C至125
o
C
-
最大
160
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
DS, D0-D7
PE
CP ,CE
MR
单位负载
0.2
0.35
0.5
0.2
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
时钟频率
(图1)
f
最大
2
4.5
6
6
30
35
-
-
-
5
25
29
-
-
-
4
20
23
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
符号
V
CC
(V)
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD74HC166 , CD74HCT166
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
MR脉冲宽度
(图1)
符号
t
w
V
CC
(V)
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
(图1)
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据和CE时钟
(图5)
保持时间
数据时钟
(图5)
拆除时间
MR时钟
(图5)
建立时间
PE到CP
(图5)
保持时间
PE到CP或CE
(图5)
HCT类型
时钟频率(图2)
磁共振脉冲宽度(图2)
时钟脉冲宽度(图2)
建立实时数据和行政长官
时钟(图6)
数据保持时间,以时钟
(图6)
拆除时间MR到时钟
(图6)
设置时间PE为CP (图6 )
保持时间为PE的CP或CE
(图6)
f
最大
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
t
SU
t
H
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
35
20
16
0
0
30
0
-
-
-
-
-
-
-
-
20
44
25
20
0
0
38
0
-
-
-
-
-
-
-
-
16
53
30
24
0
0
45
0
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
SU
2
4.5
6
t
H
2
4.5
6
t
REM
2
4.5
6
t
SU
2
4.5
6
t
H
2
4.5
6
(续)
25
o
C
100
20
17
80
16
14
80
16
14
1
1
1
0
0
0
145
29
25
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
100
20
17
100
20
17
1
1
1
0
0
0
180
36
31
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
120
24
20
120
24
20
1
1
1
0
0
0
220
44
38
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,
时钟到输出(图3 )
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
典型值
-
-
13
-
最大
160
32
-
27
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
200
40
-
34
最大
240
48
-
41
单位
ns
ns
ns
ns
符号
t
PLH
, t
PHL
5
CD54HC166 , CD74HC166 ,
CD54HCT166 , CD74HCT166
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS157C
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8位并行输入/串行输出移位寄存器
描述
的“ HC166和' HCT166 8位的移位寄存器被制造
与硅栅CMOS技术。它具有低
标准CMOS集成电路的功率消耗,
并且可以在运行速度相媲美的等效低
功率肖特基器件。
在“ HCT166在功能和引脚兼容
标准“ LS166 。
166是一个具有全同步的一个8位的移位寄存器
由低电平有效的并行选择串行或并行数据输入
使能( PE)的输入。当PE是前低1建立时间
在低到高的时钟跳变,并行数据输入到
该寄存器。当PE是HIGH时,数据被输入到内部
从串行数据输入( DS)中的比特位置Q0 ,其余
位被移位一个位置于右侧( Q0
Q1
Q2 ,等等)
与每个正向时钟过渡。对于扩张
在并行到串行转换器注册时, Q7输出所配置
连接至后级的DS输入。
时钟输入门控或结构允许一个
输入要用作有源低时钟使能(CE)输入。
引脚分配为CP和CE输入是任意的,
是可以逆转的布局方便。低到高
CE输入的过渡只发生而CP是
高可预测的操作。
一个低的主复位( MR)输入覆盖所有其他
输入和清除寄存器异步,强迫所有位
职位到低状态。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC166
,
CD74
HCT16
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
Paral-
lel-
在/斯里
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
引脚
CD54HC166 , CD54HCT166
( CERDIP )
CD74HC166 , CD74HCT166
( PDIP , SOIC )
顶视图
DS 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
CE 6
CP 7
GND 8
16 V
CC
15 PE
14 D7
13 Q7
12 D6
11 D5
10 D4
9 MR
订购信息
产品型号
CD54HC166F3A
CD54HCT166F3A
CD74HC166E
CD74HC166M
CD74HC166MT
CD74HC166M96
CD74HCT166E
CD74HCT166M
CD74HCT166MT
CD74HCT166M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC166 , CD74HC166 , CD54HCT166 , CD74HCT166
工作原理图
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
PE
并联使能电路
D0
D
S
8 - 寄存器
Q7
CP
CE
MR
D7
真值表
输入
并行
RESET
L
H
H
H
H
H
并行
启用
X
X
L
H
H
X
时钟
启用
X
L
L
L
L
H
时钟
X
L
串行
X
X
X
H
L
X
D0 D7
X
X
一... H
X
X
X
Q0
L
Q00
a
H
L
Q00
国内
Q态
Q1
L
Q10
b
Q0n
Q0n
Q10
产量
Q7
L
Q0
h
Q6n
Q6n
Q70
H =高电压电平
L =低电压电平
X =无关
↑=
到高电平的过渡,从低
一... H =稳态输入的输入端D0 D7直通水平,分别为。
Q00 , Q10, Q70 = Q0,Q1或Q7分别的电平,则所指示的稳态输入条件建立之前。
Q0n , Q6n = Q 0或Q 6 ,分别水平,之前的最近
时钟过渡。
2
CD54HC166 , CD74HC166 , CD54HCT166 , CD74HCT166
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC166 , CD74HC166 , CD54HCT166 , CD74HCT166
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C
-
最大
80
-55
o
C至125
o
C
-
最大
160
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
DS, D0-D7
PE
CP ,CE
MR
单位负载
0.2
0.35
0.5
0.2
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
时钟频率
(图1)
f
最大
2
4.5
6
6
30
35
-
-
-
5
25
29
-
-
-
4
20
23
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
符号
V
CC
(V)
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD54HC166 , CD74HC166 , CD54HCT166 , CD74HCT166
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
MR脉冲宽度
(图1)
符号
t
w
V
CC
(V)
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
(图1)
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据和CE时钟
(图5)
保持时间
数据时钟
(图5)
拆除时间
MR时钟
(图5)
建立时间
PE到CP
(图5)
保持时间
PE到CP或CE
(图5)
HCT类型
时钟频率(图2)
磁共振脉冲宽度(图2)
时钟脉冲宽度(图2)
建立实时数据和行政长官
时钟(图6)
数据保持时间,以时钟
(图6)
拆除时间MR到时钟
(图6)
设置时间PE为CP (图6 )
保持时间为PE的CP或CE
(图6)
f
最大
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
t
SU
t
H
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
35
20
16
0
0
30
0
-
-
-
-
-
-
-
-
20
44
25
20
0
0
38
0
-
-
-
-
-
-
-
-
16
53
30
24
0
0
45
0
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
SU
2
4.5
6
t
H
2
4.5
6
t
REM
2
4.5
6
t
SU
2
4.5
6
t
H
2
4.5
6
(续)
25
o
C
100
20
17
80
16
14
80
16
14
1
1
1
0
0
0
145
29
25
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
100
20
17
100
20
17
1
1
1
0
0
0
180
36
31
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
120
24
20
120
24
20
1
1
1
0
0
0
220
44
38
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,
时钟到输出(图3 )
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
典型值
-
-
13
-
最大
160
32
-
27
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
200
40
-
34
最大
240
48
-
41
单位
ns
ns
ns
ns
符号
t
PLH
, t
PHL
5
CD54HC166 , CD74HC166 ,
CD54HCT166 , CD74HCT166
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS157C
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8位并行输入/串行输出移位寄存器
描述
的“ HC166和' HCT166 8位的移位寄存器被制造
与硅栅CMOS技术。它具有低
标准CMOS集成电路的功率消耗,
并且可以在运行速度相媲美的等效低
功率肖特基器件。
在“ HCT166在功能和引脚兼容
标准“ LS166 。
166是一个具有全同步的一个8位的移位寄存器
由低电平有效的并行选择串行或并行数据输入
使能( PE)的输入。当PE是前低1建立时间
在低到高的时钟跳变,并行数据输入到
该寄存器。当PE是HIGH时,数据被输入到内部
从串行数据输入( DS)中的比特位置Q0 ,其余
位被移位一个位置于右侧( Q0
Q1
Q2 ,等等)
与每个正向时钟过渡。对于扩张
在并行到串行转换器注册时, Q7输出所配置
连接至后级的DS输入。
时钟输入门控或结构允许一个
输入要用作有源低时钟使能(CE)输入。
引脚分配为CP和CE输入是任意的,
是可以逆转的布局方便。低到高
CE输入的过渡只发生而CP是
高可预测的操作。
一个低的主复位( MR)输入覆盖所有其他
输入和清除寄存器异步,强迫所有位
职位到低状态。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC166
,
CD74
HCT16
6)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
Paral-
lel-
在/斯里
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
引脚
CD54HC166 , CD54HCT166
( CERDIP )
CD74HC166 , CD74HCT166
( PDIP , SOIC )
顶视图
DS 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
CE 6
CP 7
GND 8
16 V
CC
15 PE
14 D7
13 Q7
12 D6
11 D5
10 D4
9 MR
订购信息
产品型号
CD54HC166F3A
CD54HCT166F3A
CD74HC166E
CD74HC166M
CD74HC166MT
CD74HC166M96
CD74HCT166E
CD74HCT166M
CD74HCT166MT
CD74HCT166M96
TEMP 。 RANGE (
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC166 , CD74HC166 , CD54HCT166 , CD74HCT166
工作原理图
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
PE
并联使能电路
D0
D
S
8 - 寄存器
Q7
CP
CE
MR
D7
真值表
输入
并行
RESET
L
H
H
H
H
H
并行
启用
X
X
L
H
H
X
时钟
启用
X
L
L
L
L
H
时钟
X
L
串行
X
X
X
H
L
X
D0 D7
X
X
一... H
X
X
X
Q0
L
Q00
a
H
L
Q00
国内
Q态
Q1
L
Q10
b
Q0n
Q0n
Q10
产量
Q7
L
Q0
h
Q6n
Q6n
Q70
H =高电压电平
L =低电压电平
X =无关
↑=
到高电平的过渡,从低
一... H =稳态输入的输入端D0 D7直通水平,分别为。
Q00 , Q10, Q70 = Q0,Q1或Q7分别的电平,则所指示的稳态输入条件建立之前。
Q0n , Q6n = Q 0或Q 6 ,分别水平,之前的最近
时钟过渡。
2
CD54HC166 , CD74HC166 , CD54HCT166 , CD74HCT166
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC166 , CD74HC166 , CD54HCT166 , CD74HCT166
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C
-
最大
80
-55
o
C至125
o
C
-
最大
160
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
DS, D0-D7
PE
CP ,CE
MR
单位负载
0.2
0.35
0.5
0.2
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,例如,最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
时钟频率
(图1)
f
最大
2
4.5
6
6
30
35
-
-
-
5
25
29
-
-
-
4
20
23
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
符号
V
CC
(V)
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD54HC166 , CD74HC166 , CD54HCT166 , CD74HCT166
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
MR脉冲宽度
(图1)
符号
t
w
V
CC
(V)
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
(图1)
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据和CE时钟
(图5)
保持时间
数据时钟
(图5)
拆除时间
MR时钟
(图5)
建立时间
PE到CP
(图5)
保持时间
PE到CP或CE
(图5)
HCT类型
时钟频率(图2)
磁共振脉冲宽度(图2)
时钟脉冲宽度(图2)
建立实时数据和行政长官
时钟(图6)
数据保持时间,以时钟
(图6)
拆除时间MR到时钟
(图6)
设置时间PE为CP (图6 )
保持时间为PE的CP或CE
(图6)
f
最大
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
t
SU
t
H
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
35
20
16
0
0
30
0
-
-
-
-
-
-
-
-
20
44
25
20
0
0
38
0
-
-
-
-
-
-
-
-
16
53
30
24
0
0
45
0
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
SU
2
4.5
6
t
H
2
4.5
6
t
REM
2
4.5
6
t
SU
2
4.5
6
t
H
2
4.5
6
(续)
25
o
C
100
20
17
80
16
14
80
16
14
1
1
1
0
0
0
145
29
25
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
125
25
21
100
20
17
100
20
17
1
1
1
0
0
0
180
36
31
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
150
30
26
120
24
20
120
24
20
1
1
1
0
0
0
220
44
38
0
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,
时钟到输出(图3 )
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
典型值
-
-
13
-
最大
160
32
-
27
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
200
40
-
34
最大
240
48
-
41
单位
ns
ns
ns
ns
符号
t
PLH
, t
PHL
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联系人:朱
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