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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1155页 > CD74HC165M
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS156
CD74HC165,
CD74HCT165
高速CMOS逻辑
8位并行输入/串行输出移位寄存器
1998年2月
特点
缓冲输入
异步并行加载
互补输出
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，
T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74H
C165,
CD74H
CT165)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑8
位杆
allel-
引脚
CD74HC165 ， CD74HCT165
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
PL 1
CP 2
D4 3
D5 4
D6 5
D7 6
Q
7
7
GND 8
16 V
CC
15 CE
14 D3
13 D2
12 D1
11 D0
10 DS
9 Q
7
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1672.1
1
CD74HC165 ， CD74HCT165
描述
哈里斯CD74HC165和CD74HCT165是8位并行
或串行输入移位寄存器具有互补串行输出
(Q
7
和Q
7
），可从最后一个阶段。当并行
负载（PL）输入是从D0到D7 LOW时，并行数据
输入加载到寄存器异步。当
PL为高电平时，数据输入寄存器串行的输入DS
并移动一个位置向右侧（Q
0
→Q
1
→Q
2
用等）
每个正向时钟过渡。此功能允许paral-
LEL -串行转换器扩展通过键入Q
7
输出
后续装置的DS输入。
对于可预见的操作低到高CE过渡
只应而CP高。此外， CP的D并行
PL向低到高的转变之前，应低
防止数据转移时， PL变为高电平。
订购信息
产品型号
CD74HC165E
CD74HCT165E
CD74HC165M
CD74HCT165M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或哈里斯
客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。号
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
工作原理图
D0
D1
D2
并行
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
DS
PL
CE
CP
11
12
13
14
3
4
5
6
10
1 15
2
GND = 8
VCC - 16
7
Q
7
9
Q
7
串行
输出
真值表
输入
经营模式
并行加载
PL
L
L
串行移位
H
H
保持不执行任何操作
H
CE
X
X
L
L
H
CP
X
X
↑
↑
X
DS
X
X
l
h
X
D0 - D7
L
H
X
X
X
Q
n
注册
Q
0
L
H
L
H
q
0
Q
1
- Q
6
L-L
H-H
q
0 -
q
5
q
0 -
q
5
q
1 -
q
6
输出
Q
7
L
H
q
6
q
6
q
7
Q
7
H
L
q
6
q
6
q
7
2
CD74HC165 ， CD74HCT165
真值表
输入
经营模式
PL
CE
CP
DS
D0 - D7
Q
n
注册
Q
0
Q
1
- Q
6
输出
Q
7
Q
7
注意：
H =高电压等级
H =高电平电压电平一个建立时间之前的低到高的时钟转变
升=低电压电平的一个建立时间之前，由低到高时钟转变
L =低电压等级
X =无关
↑
=转型从低到高级别
q
n
=小写字母表示的参考输出时钟切换的状态
3
CD74HC165 ， CD74HCT165
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每路输出， IO直流漏电流
对于V
O
< -0.5V V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD74HC165 ， CD74HCT165
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注4 ）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
80
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
160
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
DS中，D0至D7
CP ， PL
单位负载
0.35
0.65
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
CP脉冲宽度
t
WL ，
t
WH
2
4.5
6
80
16
14
-
-
-
100
20
17
-
-
-
120
24
20
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
民
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
5
CD54HC165 ， CD74HC165 ，
CD54HCT165 ， CD74HCT165
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS156C
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8位并行输入/串行输出移位寄存器
描述
的“ HC165和' HCT165是8位并行或串行输入移位
具有互补串行输出寄存器（Q
7
和Q
7
)
可从最后阶段。当并联负载（ PL ）
输入为低时，并行数据从D0到D7的输入是
加载到寄存器异步。当PL为
高电平时，数据输入寄存器串行的DS输入
移动一个位置向右侧（Q
0
→Q
1
→Q
2
与每个等）
正向时钟过渡。此功能允许并联
到串行键入Q变换器扩张
7
输出到
后续设备的DS输入。
对于可预见的操作低到高CE过渡
只应而CP高。此外， CP的D并行
PL向低到高的转变之前，应低
防止数据转移时， PL变为高电平。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74H
C165,
CD74H
CT165)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑8
位杆
allel-
异步并行加载
互补输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC165F3A
CD54HCT165F3A
CD74HC165E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC165 ， CD54HCT165
（ CERDIP ）
CD74HC165 ， CD74HCT165
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
PL 1
CP 2
D4 3
D5 4
D6 5
D7 6
Q
7
7
GND 8
16 V
CC
15 CE
14 D3
13 D2
12 D1
11 D0
10 DS
9 Q
7
CD74HC165M
CD74HC165MT
CD54HC165M96
CD74HCT165E
CD74HCT165M
CD74HCT165MT
CD54HCT165M96
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
工作原理图
D0
D1
D2
并行
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
DS
PL
CE
CP
11
12
13
14
3
4
5
6
10
1 15
2
GND = 8
VCC - 16
7
Q
7
9
Q
7
串行
输出
真值表
输入
经营模式
并行加载
PL
L
L
串行移位
H
H
保持不执行任何操作
H
h
l
L
X
↑
q
n
H
CE
X
X
L
L
H
CP
X
X
↑
↑
X
DS
X
X
l
h
X
D0 - D7
L
H
X
X
X
Q
n
注册
Q
0
L
H
L
H
q
0
Q
1
- Q
6
L-L
H-H
q
0 -
q
5
q
0 -
q
5
q
1 -
q
6
输出
Q
7
L
H
q
6
q
6
q
7
Q
7
H
L
q
6
q
6
q
7
=高电压电平
=高电平一个建立时间之前低到高时钟转换
=低压一级建立时间之前低到高时钟转换
=低电压电平
= DO NOT CARE
=转型从低到高级别
=小写字母表示的参考输出时钟切换的状态
2
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每路输出， IO直流漏电流
对于V
O
< -0.5V V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
80
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
160
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
DS中，D0至D7
CP ， PL
单位负载
0.35
0.65
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
CP脉冲宽度
t
WL ，
t
WH
2
4.5
6
80
16
14
-
-
-
100
20
17
-
-
-
120
24
20
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
民
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
用于交换特定网络阳离子前提条件
（续）
25
o
C
参数
PL脉冲宽度
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
DS到CP
t
SU
2
4.5
6
CE到CP
t
SU（ L）
2
4.5
6
D0-D7向PL
t
SU
2
4.5
6
保持时间
DS到CP或CE
t
H
2
4.5
6
CE到CP
t
H
2
4.5
6
恢复时间
PL到CP
t
REC
2
4.5
6
最大时钟脉冲
频率
f
最大
2
4.5
6
HCT类型
CP脉冲宽度
PL脉冲宽度
建立时间
DS到CP
CE到CP
D0-D7向PL
保持时间
DS到CP或CE
CE到CP
恢复时间
PL到CP
最大时钟脉冲
频率
t
WL
, t
WH
t
WL
t
SU
t
SU（ L）
t
SU
t
H
t
S
, t
H
t
REC
f
最大
4.5
4.5
4.5
4.5
6
4.5
4.5
4.5
4.5
18
20
20
20
20
7
0
20
27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
25
25
25
25
9
0
25
22
-
-
-
-
-
-
-
-
-
27
30
30
30
30
11
0
30
18
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
民
80
16
14
80
16
14
80
16
14
80
16
14
35
7
6
0
0
0
100
20
17
6
30
35
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
民
100
20
17
100
20
17
100
20
17
100
20
17
45
9
8
0
0
0
125
25
21
5
24
28
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
民
120
24
20
120
24
20
120
24
20
120
24
20
55
11
9
0
0
0
150
30
26
4
20
24
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
5
CD54HC165 ， CD74HC165 ，
CD54HCT165 ， CD74HCT165
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS156C
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8位并行输入/串行输出移位寄存器
描述
的“ HC165和' HCT165是8位并行或串行输入移位
具有互补串行输出寄存器（Q
7
和Q
7
)
可从最后阶段。当并联负载（ PL ）
输入为低时，并行数据从D0到D7的输入是
加载到寄存器异步。当PL为
高电平时，数据输入寄存器串行的DS输入
移动一个位置向右侧（Q
0
→Q
1
→Q
2
与每个等）
正向时钟过渡。此功能允许并联
到串行键入Q变换器扩张
7
输出到
后续设备的DS输入。
对于可预见的操作低到高CE过渡
只应而CP高。此外， CP的D并行
PL向低到高的转变之前，应低
防止数据转移时， PL变为高电平。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74H
C165,
CD74H
CT165)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑8
位杆
allel-
异步并行加载
互补输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC165F3A
CD54HCT165F3A
CD74HC165E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC165 ， CD54HCT165
（ CERDIP ）
CD74HC165 ， CD74HCT165
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
PL 1
CP 2
D4 3
D5 4
D6 5
D7 6
Q
7
7
GND 8
16 V
CC
15 CE
14 D3
13 D2
12 D1
11 D0
10 DS
9 Q
7
CD74HC165M
CD74HC165MT
CD54HC165M96
CD74HCT165E
CD74HCT165M
CD74HCT165MT
CD54HCT165M96
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
工作原理图
D0
D1
D2
并行
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
DS
PL
CE
CP
11
12
13
14
3
4
5
6
10
1 15
2
GND = 8
VCC - 16
7
Q
7
9
Q
7
串行
输出
真值表
输入
经营模式
并行加载
PL
L
L
串行移位
H
H
保持不执行任何操作
H
h
l
L
X
↑
q
n
H
CE
X
X
L
L
H
CP
X
X
↑
↑
X
DS
X
X
l
h
X
D0 - D7
L
H
X
X
X
Q
n
注册
Q
0
L
H
L
H
q
0
Q
1
- Q
6
L-L
H-H
q
0 -
q
5
q
0 -
q
5
q
1 -
q
6
输出
Q
7
L
H
q
6
q
6
q
7
Q
7
H
L
q
6
q
6
q
7
=高电压电平
=高电平一个建立时间之前低到高时钟转换
=低压一级建立时间之前低到高时钟转换
=低电压电平
= DO NOT CARE
=转型从低到高级别
=小写字母表示的参考输出时钟切换的状态
2
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每路输出， IO直流漏电流
对于V
O
< -0.5V V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
80
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
160
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
DS中，D0至D7
CP ， PL
单位负载
0.35
0.65
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
CP脉冲宽度
t
WL ，
t
WH
2
4.5
6
80
16
14
-
-
-
100
20
17
-
-
-
120
24
20
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
民
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
用于交换特定网络阳离子前提条件
（续）
25
o
C
参数
PL脉冲宽度
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
DS到CP
t
SU
2
4.5
6
CE到CP
t
SU（ L）
2
4.5
6
D0-D7向PL
t
SU
2
4.5
6
保持时间
DS到CP或CE
t
H
2
4.5
6
CE到CP
t
H
2
4.5
6
恢复时间
PL到CP
t
REC
2
4.5
6
最大时钟脉冲
频率
f
最大
2
4.5
6
HCT类型
CP脉冲宽度
PL脉冲宽度
建立时间
DS到CP
CE到CP
D0-D7向PL
保持时间
DS到CP或CE
CE到CP
恢复时间
PL到CP
最大时钟脉冲
频率
t
WL
, t
WH
t
WL
t
SU
t
SU（ L）
t
SU
t
H
t
S
, t
H
t
REC
f
最大
4.5
4.5
4.5
4.5
6
4.5
4.5
4.5
4.5
18
20
20
20
20
7
0
20
27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
25
25
25
25
9
0
25
22
-
-
-
-
-
-
-
-
-
27
30
30
30
30
11
0
30
18
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
民
80
16
14
80
16
14
80
16
14
80
16
14
35
7
6
0
0
0
100
20
17
6
30
35
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
民
100
20
17
100
20
17
100
20
17
100
20
17
45
9
8
0
0
0
125
25
21
5
24
28
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
民
120
24
20
120
24
20
120
24
20
120
24
20
55
11
9
0
0
0
150
30
26
4
20
24
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS156
CD74HC165,
CD74HCT165
高速CMOS逻辑
8位并行输入/串行输出移位寄存器
1998年2月
特点
缓冲输入
异步并行加载
互补输出
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，
T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74H
C165,
CD74H
CT165)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑8
位杆
allel-
引脚
CD74HC165 ， CD74HCT165
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
PL 1
CP 2
D4 3
D5 4
D6 5
D7 6
Q
7
7
GND 8
16 V
CC
15 CE
14 D3
13 D2
12 D1
11 D0
10 DS
9 Q
7
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1672.1
1
CD74HC165 ， CD74HCT165
描述
哈里斯CD74HC165和CD74HCT165是8位并行
或串行输入移位寄存器具有互补串行输出
(Q
7
和Q
7
），可从最后一个阶段。当并行
负载（PL）输入是从D0到D7 LOW时，并行数据
输入加载到寄存器异步。当
PL为高电平时，数据输入寄存器串行的输入DS
并移动一个位置向右侧（Q
0
→Q
1
→Q
2
用等）
每个正向时钟过渡。此功能允许paral-
LEL -串行转换器扩展通过键入Q
7
输出
后续装置的DS输入。
对于可预见的操作低到高CE过渡
只应而CP高。此外， CP的D并行
PL向低到高的转变之前，应低
防止数据转移时， PL变为高电平。
订购信息
产品型号
CD74HC165E
CD74HCT165E
CD74HC165M
CD74HCT165M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或哈里斯
客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。号
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
工作原理图
D0
D1
D2
并行
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
DS
PL
CE
CP
11
12
13
14
3
4
5
6
10
1 15
2
GND = 8
VCC - 16
7
Q
7
9
Q
7
串行
输出
真值表
输入
经营模式
并行加载
PL
L
L
串行移位
H
H
保持不执行任何操作
H
CE
X
X
L
L
H
CP
X
X
↑
↑
X
DS
X
X
l
h
X
D0 - D7
L
H
X
X
X
Q
n
注册
Q
0
L
H
L
H
q
0
Q
1
- Q
6
L-L
H-H
q
0 -
q
5
q
0 -
q
5
q
1 -
q
6
输出
Q
7
L
H
q
6
q
6
q
7
Q
7
H
L
q
6
q
6
q
7
2
CD74HC165 ， CD74HCT165
真值表
输入
经营模式
PL
CE
CP
DS
D0 - D7
Q
n
注册
Q
0
Q
1
- Q
6
输出
Q
7
Q
7
注意：
H =高电压等级
H =高电平电压电平一个建立时间之前的低到高的时钟转变
升=低电压电平的一个建立时间之前，由低到高时钟转变
L =低电压等级
X =无关
↑
=转型从低到高级别
q
n
=小写字母表示的参考输出时钟切换的状态
3
CD74HC165 ， CD74HCT165
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每路输出， IO直流漏电流
对于V
O
< -0.5V V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD74HC165 ， CD74HCT165
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注4 ）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
80
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
160
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
DS中，D0至D7
CP ， PL
单位负载
0.35
0.65
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
CP脉冲宽度
t
WL ，
t
WH
2
4.5
6
80
16
14
-
-
-
100
20
17
-
-
-
120
24
20
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
民
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
5
CD54HC165 ， CD74HC165 ，
CD54HCT165 ， CD74HCT165
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS156C
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
8位并行输入/串行输出移位寄存器
描述
的“ HC165和' HCT165是8位并行或串行输入移位
具有互补串行输出寄存器（Q
7
和Q
7
)
可从最后阶段。当并联负载（ PL ）
输入为低时，并行数据从D0到D7的输入是
加载到寄存器异步。当PL为
高电平时，数据输入寄存器串行的DS输入
移动一个位置向右侧（Q
0
→Q
1
→Q
2
与每个等）
正向时钟过渡。此功能允许并联
到串行键入Q变换器扩张
7
输出到
后续设备的DS输入。
对于可预见的操作低到高CE过渡
只应而CP高。此外， CP的D并行
PL向低到高的转变之前，应低
防止数据转移时， PL变为高电平。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74H
C165,
CD74H
CT165)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑8
位杆
allel-
异步并行加载
互补输出
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC165F3A
CD54HCT165F3A
CD74HC165E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC165 ， CD54HCT165
（ CERDIP ）
CD74HC165 ， CD74HCT165
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
PL 1
CP 2
D4 3
D5 4
D6 5
D7 6
Q
7
7
GND 8
16 V
CC
15 CE
14 D3
13 D2
12 D1
11 D0
10 DS
9 Q
7
CD74HC165M
CD74HC165MT
CD54HC165M96
CD74HCT165E
CD74HCT165M
CD74HCT165MT
CD54HCT165M96
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
工作原理图
D0
D1
D2
并行
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
DS
PL
CE
CP
11
12
13
14
3
4
5
6
10
1 15
2
GND = 8
VCC - 16
7
Q
7
9
Q
7
串行
输出
真值表
输入
经营模式
并行加载
PL
L
L
串行移位
H
H
保持不执行任何操作
H
h
l
L
X
↑
q
n
H
CE
X
X
L
L
H
CP
X
X
↑
↑
X
DS
X
X
l
h
X
D0 - D7
L
H
X
X
X
Q
n
注册
Q
0
L
H
L
H
q
0
Q
1
- Q
6
L-L
H-H
q
0 -
q
5
q
0 -
q
5
q
1 -
q
6
输出
Q
7
L
H
q
6
q
6
q
7
Q
7
H
L
q
6
q
6
q
7
=高电压电平
=高电平一个建立时间之前低到高时钟转换
=低压一级建立时间之前低到高时钟转换
=低电压电平
= DO NOT CARE
=转型从低到高级别
=小写字母表示的参考输出时钟切换的状态
2
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每路输出， IO直流漏电流
对于V
O
< -0.5V V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
0
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
80
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
160
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
DS中，D0至D7
CP ， PL
单位负载
0.35
0.65
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
CP脉冲宽度
t
WL ，
t
WH
2
4.5
6
80
16
14
-
-
-
100
20
17
-
-
-
120
24
20
-
-
-
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
民
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54HC165 ， CD74HC165 ， CD54HCT165 ， CD74HCT165
用于交换特定网络阳离子前提条件
（续）
25
o
C
参数
PL脉冲宽度
符号
t
WL
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
DS到CP
t
SU
2
4.5
6
CE到CP
t
SU（ L）
2
4.5
6
D0-D7向PL
t
SU
2
4.5
6
保持时间
DS到CP或CE
t
H
2
4.5
6
CE到CP
t
H
2
4.5
6
恢复时间
PL到CP
t
REC
2
4.5
6
最大时钟脉冲
频率
f
最大
2
4.5
6
HCT类型
CP脉冲宽度
PL脉冲宽度
建立时间
DS到CP
CE到CP
D0-D7向PL
保持时间
DS到CP或CE
CE到CP
恢复时间
PL到CP
最大时钟脉冲
频率
t
WL
, t
WH
t
WL
t
SU
t
SU（ L）
t
SU
t
H
t
S
, t
H
t
REC
f
最大
4.5
4.5
4.5
4.5
6
4.5
4.5
4.5
4.5
18
20
20
20
20
7
0
20
27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
25
25
25
25
9
0
25
22
-
-
-
-
-
-
-
-
-
27
30
30
30
30
11
0
30
18
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
民
80
16
14
80
16
14
80
16
14
80
16
14
35
7
6
0
0
0
100
20
17
6
30
35
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
民
100
20
17
100
20
17
100
20
17
100
20
17
45
9
8
0
0
0
125
25
21
5
24
28
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
民
120
24
20
120
24
20
120
24
20
120
24
20
55
11
9
0
0
0
150
30
26
4
20
24
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
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查看更多CD74HC165MPDF信息
推荐型号
CHF1.5KE180
CD214A-T40A
CC0805KKX7R7BB334
CY7C1526V18-300BZI
CWA2410E
CS-191
CS323
CS-323
C202G102C5CX5CA
COP8SGE540Q3
COP8SGE044Q6
C1304
CAT28C161SA-45TE13
CY7C1143V18-300BZXI
CCF5580R6FKR36
CCF-5580R6FKR36
CDRH64NP-15OMC
CY22392FXIT
CRT9006-83
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    CD74HC165M
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人：小邹
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联系人：朱先生
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960
3.9
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