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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1366页 > CD74HC137PW
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS146F
CD74HC137 , CD74HCT137 ,
CD54HC237 , CD74HC237 ,
CD74HCT237
高速CMOS逻辑, 3-8线
解码器/多路解复用器与地址锁存器
两电路具有三个二进制选择输入端( A0,A1和A2)的
可以通过活性高锁存锁存使能( LE)的
信号隔离从选择输入变化的输出。一
“低” LE使输出透明的输入和
电路功能为一体-的- 8的解码器。两个输出
使能输入( OE
1
和OE
0
)被提供,以简化
级联
to
便利
解复用。
解复用功能,通过A完成
0
, A
1
,
A
2
输入来选择所期望的输出,并使用所述一个
其他输出使能输入,数据输入的同时按住
其他输出使能输入激活状态。在
CD74HC137和CD74HCT137所选择的输出是一
“低” ;在“ HC237和CD74HCT237所选择的输出是
一个“高” 。
1998年3月 - 修订2003年10月
特点
[ /标题
(CD74
HC137
,
CD74
HCT13
7,
CD74
HC237
,
CD74
HCT23
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
选择之一八个数据输出
- 有效低电平CD74HC137和CD74HCT137
- 高有效的“ HC237和CD74HCT237
L / O端口或内存选择
两个使能输入,以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
15pF的,T
A
= 25
o
C( CD74HC237 )
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30% ,第V
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC237F3A
CD74HC137E
CD74HC137PW
CD74HC137PWR
CD74HC137PWT
CD74HC237E
CD74HC237M
CD74HC237MT
CD74HC237M96
CD74HC237NSR
CD74HC237PW
CD74HC237PWR
CD74HC237PWT
CD74HCT137E
CD74HCT137MT
CD74HCT137M96
CD74HCT237E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
CD74HC137,
CD74HCT137,
’HC237,
CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路,具有低功耗
通常与CMOS电路有关,但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
引脚
CD54HC237 ( CERDIP )
CD74HC137 ( PDIP , TSSOP )
CD74HCT137 ( PDIP , SOIC )
CD74HC237 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT237 ( PDIP )
顶视图
A
0
1
A
1
2
A
3
3
LE 4
OE
1
5
OE
0
6
Y
7
7
GND 8
16 V
CC
15 Y
0
14 Y
1
13 Y
2
12 Y
3
11 Y
4
10 Y
5
9 Y
6
OE
1
OE
0
5
6
GND = 8
V
CC
= 16
10
9
7
LE
工作原理图
1
2
3
4
3-BIT
LATCH
HC / HCT HC / HCT
237
137
15
Y
0
Y
0
14
1第8
解码器13
12
11
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
A
0
A
1
A
2
“ HC137 ” HCT137真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y
3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
取决于先前应用,而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
“ HC237 ” HCT237真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y
1
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y
2
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y
3
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y
4
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y
5
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y
6
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y
7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
取决于先前应用,而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
2
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
功能框图
A
0
LE
1
A
0
p
n
LE
LE
p
n
LE
A
1
2
A
1
A1 LATCH
A
0
11
Y
4
10
3
A
2
A2 LATCH
A
2
A
2
9
Y
6
LE
4
LE
LE
7
Y
7
Y
5
12
Y
3
13
Y
2
A
0
15
Y
0
14
Y
1
5
OE
1
6
OE
0
3
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
A
n
到LE建立时间
符号
t
SU
V
CC
(V)
2
4.5
6
A
n
到LE保持时间
t
H
2
4.5
6
25
o
C
50
10
9
30
6
5
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
65
13
11
40
8
7
最大
-
-
-
-
-
-
75
15
13
45
9
8
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS146F
CD74HC137 , CD74HCT137 ,
CD54HC237 , CD74HC237 ,
CD74HCT237
高速CMOS逻辑, 3-8线
解码器/多路解复用器与地址锁存器
两电路具有三个二进制选择输入端( A0,A1和A2)的
可以通过活性高锁存锁存使能( LE)的
信号隔离从选择输入变化的输出。一
“低” LE使输出透明的输入和
电路功能为一体-的- 8的解码器。两个输出
使能输入( OE
1
和OE
0
)被提供,以简化
级联
to
便利
解复用。
解复用功能,通过A完成
0
, A
1
,
A
2
输入来选择所期望的输出,并使用所述一个
其他输出使能输入,数据输入的同时按住
其他输出使能输入激活状态。在
CD74HC137和CD74HCT137所选择的输出是一
“低” ;在“ HC237和CD74HCT237所选择的输出是
一个“高” 。
1998年3月 - 修订2003年10月
特点
[ /标题
(CD74
HC137
,
CD74
HCT13
7,
CD74
HC237
,
CD74
HCT23
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
选择之一八个数据输出
- 有效低电平CD74HC137和CD74HCT137
- 高有效的“ HC237和CD74HCT237
L / O端口或内存选择
两个使能输入,以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
15pF的,T
A
= 25
o
C( CD74HC237 )
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30% ,第V
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC237F3A
CD74HC137E
CD74HC137PW
CD74HC137PWR
CD74HC137PWT
CD74HC237E
CD74HC237M
CD74HC237MT
CD74HC237M96
CD74HC237NSR
CD74HC237PW
CD74HC237PWR
CD74HC237PWT
CD74HCT137E
CD74HCT137MT
CD74HCT137M96
CD74HCT237E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
CD74HC137,
CD74HCT137,
’HC237,
CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路,具有低功耗
通常与CMOS电路有关,但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
引脚
CD54HC237 ( CERDIP )
CD74HC137 ( PDIP , TSSOP )
CD74HCT137 ( PDIP , SOIC )
CD74HC237 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT237 ( PDIP )
顶视图
A
0
1
A
1
2
A
3
3
LE 4
OE
1
5
OE
0
6
Y
7
7
GND 8
16 V
CC
15 Y
0
14 Y
1
13 Y
2
12 Y
3
11 Y
4
10 Y
5
9 Y
6
OE
1
OE
0
5
6
GND = 8
V
CC
= 16
10
9
7
LE
工作原理图
1
2
3
4
3-BIT
LATCH
HC / HCT HC / HCT
237
137
15
Y
0
Y
0
14
1第8
解码器13
12
11
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
A
0
A
1
A
2
“ HC137 ” HCT137真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y
3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
取决于先前应用,而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
“ HC237 ” HCT237真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y
1
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y
2
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y
3
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y
4
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y
5
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y
6
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y
7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
取决于先前应用,而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
2
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
功能框图
A
0
LE
1
A
0
p
n
LE
LE
p
n
LE
A
1
2
A
1
A1 LATCH
A
0
11
Y
4
10
3
A
2
A2 LATCH
A
2
A
2
9
Y
6
LE
4
LE
LE
7
Y
7
Y
5
12
Y
3
13
Y
2
A
0
15
Y
0
14
Y
1
5
OE
1
6
OE
0
3
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
A
n
到LE建立时间
符号
t
SU
V
CC
(V)
2
4.5
6
A
n
到LE保持时间
t
H
2
4.5
6
25
o
C
50
10
9
30
6
5
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
65
13
11
40
8
7
最大
-
-
-
-
-
-
75
15
13
45
9
8
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS146F
CD74HC137 , CD74HCT137 ,
CD54HC237 , CD74HC237 ,
CD74HCT237
高速CMOS逻辑, 3-8线
解码器/多路解复用器与地址锁存器
两电路具有三个二进制选择输入端( A0,A1和A2)的
可以通过活性高锁存锁存使能( LE)的
信号隔离从选择输入变化的输出。一
“低” LE使输出透明的输入和
电路功能为一体-的- 8的解码器。两个输出
使能输入( OE
1
和OE
0
)被提供,以简化
级联
to
便利
解复用。
解复用功能,通过A完成
0
, A
1
,
A
2
输入来选择所期望的输出,并使用所述一个
其他输出使能输入,数据输入的同时按住
其他输出使能输入激活状态。在
CD74HC137和CD74HCT137所选择的输出是一
“低” ;在“ HC237和CD74HCT237所选择的输出是
一个“高” 。
1998年3月 - 修订2003年10月
特点
[ /标题
(CD74
HC137
,
CD74
HCT13
7,
CD74
HC237
,
CD74
HCT23
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
选择之一八个数据输出
- 有效低电平CD74HC137和CD74HCT137
- 高有效的“ HC237和CD74HCT237
L / O端口或内存选择
两个使能输入,以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
15pF的,T
A
= 25
o
C( CD74HC237 )
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30% ,第V
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC237F3A
CD74HC137E
CD74HC137PW
CD74HC137PWR
CD74HC137PWT
CD74HC237E
CD74HC237M
CD74HC237MT
CD74HC237M96
CD74HC237NSR
CD74HC237PW
CD74HC237PWR
CD74HC237PWT
CD74HCT137E
CD74HCT137MT
CD74HCT137M96
CD74HCT237E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
CD74HC137,
CD74HCT137,
’HC237,
CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路,具有低功耗
通常与CMOS电路有关,但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
引脚
CD54HC237 ( CERDIP )
CD74HC137 ( PDIP , TSSOP )
CD74HCT137 ( PDIP , SOIC )
CD74HC237 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT237 ( PDIP )
顶视图
A
0
1
A
1
2
A
3
3
LE 4
OE
1
5
OE
0
6
Y
7
7
GND 8
16 V
CC
15 Y
0
14 Y
1
13 Y
2
12 Y
3
11 Y
4
10 Y
5
9 Y
6
OE
1
OE
0
5
6
GND = 8
V
CC
= 16
10
9
7
LE
工作原理图
1
2
3
4
3-BIT
LATCH
HC / HCT HC / HCT
237
137
15
Y
0
Y
0
14
1第8
解码器13
12
11
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
A
0
A
1
A
2
“ HC137 ” HCT137真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y
3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
取决于先前应用,而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
“ HC237 ” HCT237真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y
1
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y
2
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y
3
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y
4
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y
5
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y
6
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y
7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
取决于先前应用,而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
2
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
功能框图
A
0
LE
1
A
0
p
n
LE
LE
p
n
LE
A
1
2
A
1
A1 LATCH
A
0
11
Y
4
10
3
A
2
A2 LATCH
A
2
A
2
9
Y
6
LE
4
LE
LE
7
Y
7
Y
5
12
Y
3
13
Y
2
A
0
15
Y
0
14
Y
1
5
OE
1
6
OE
0
3
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
A
n
到LE建立时间
符号
t
SU
V
CC
(V)
2
4.5
6
A
n
到LE保持时间
t
H
2
4.5
6
25
o
C
50
10
9
30
6
5
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
65
13
11
40
8
7
最大
-
-
-
-
-
-
75
15
13
45
9
8
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS146F
CD74HC137 , CD74HCT137 ,
CD54HC237 , CD74HC237 ,
CD74HCT237
高速CMOS逻辑, 3-8线
解码器/多路解复用器与地址锁存器
两电路具有三个二进制选择输入端( A0,A1和A2)的
可以通过活性高锁存锁存使能( LE)的
信号隔离从选择输入变化的输出。一
“低” LE使输出透明的输入和
电路功能为一体-的- 8的解码器。两个输出
使能输入( OE
1
和OE
0
)被提供,以简化
级联
to
便利
解复用。
解复用功能,通过A完成
0
, A
1
,
A
2
输入来选择所期望的输出,并使用所述一个
其他输出使能输入,数据输入的同时按住
其他输出使能输入激活状态。在
CD74HC137和CD74HCT137所选择的输出是一
“低” ;在“ HC237和CD74HCT237所选择的输出是
一个“高” 。
1998年3月 - 修订2003年10月
特点
[ /标题
(CD74
HC137
,
CD74
HCT13
7,
CD74
HC237
,
CD74
HCT23
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
选择之一八个数据输出
- 有效低电平CD74HC137和CD74HCT137
- 高有效的“ HC237和CD74HCT237
L / O端口或内存选择
两个使能输入,以简化级联
13ns在V典型传播延迟
CC
= 5V,
15pF的,T
A
= 25
o
C( CD74HC237 )
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
= 30% ,第V
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC237F3A
CD74HC137E
CD74HC137PW
CD74HC137PWR
CD74HC137PWT
CD74HC237E
CD74HC237M
CD74HC237MT
CD74HC237M96
CD74HC237NSR
CD74HC237PW
CD74HC237PWR
CD74HC237PWT
CD74HCT137E
CD74HCT137MT
CD74HCT137M96
CD74HCT237E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
描述
CD74HC137,
CD74HCT137,
’HC237,
CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器
非常适合于存储器地址解码或数据路由
应用程序。这两种电路,具有低功耗
通常与CMOS电路有关,但有速度
可比低功耗肖特基TTL逻辑。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
引脚
CD54HC237 ( CERDIP )
CD74HC137 ( PDIP , TSSOP )
CD74HCT137 ( PDIP , SOIC )
CD74HC237 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT237 ( PDIP )
顶视图
A
0
1
A
1
2
A
3
3
LE 4
OE
1
5
OE
0
6
Y
7
7
GND 8
16 V
CC
15 Y
0
14 Y
1
13 Y
2
12 Y
3
11 Y
4
10 Y
5
9 Y
6
OE
1
OE
0
5
6
GND = 8
V
CC
= 16
10
9
7
LE
工作原理图
1
2
3
4
3-BIT
LATCH
HC / HCT HC / HCT
237
137
15
Y
0
Y
0
14
1第8
解码器13
12
11
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
A
0
A
1
A
2
“ HC137 ” HCT137真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
Y
1
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
Y
2
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
输出
Y
3
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
Y
4
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
Y
5
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Y
6
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
Y
7
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
取决于先前应用,而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
“ HC237 ” HCT237真值表
输入
LE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
OE
0
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
1
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A
2
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
X
A
1
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
0
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
Y
0
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
Y
1
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
Y
2
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
输出
Y
3
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
Y
4
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
Y
5
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
Y
6
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
Y
7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
取决于先前应用,而LE是在一个逻辑低电平的地址。
H =高电平, L =低电压等级, X = Do not护理
2
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
功能框图
A
0
LE
1
A
0
p
n
LE
LE
p
n
LE
A
1
2
A
1
A1 LATCH
A
0
11
Y
4
10
3
A
2
A2 LATCH
A
2
A
2
9
Y
6
LE
4
LE
LE
7
Y
7
Y
5
12
Y
3
13
Y
2
A
0
15
Y
0
14
Y
1
5
OE
1
6
OE
0
3
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD74HC137 , CD74HCT137 , CD54HC237 , CD74HC237 , CD74HCT237
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
所有
单位负载
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
A
n
到LE建立时间
符号
t
SU
V
CC
(V)
2
4.5
6
A
n
到LE保持时间
t
H
2
4.5
6
25
o
C
50
10
9
30
6
5
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
65
13
11
40
8
7
最大
-
-
-
-
-
-
75
15
13
45
9
8
最大
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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联系人:李
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Texas Instruments
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10000
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CD74HC137PW
TIS
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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联系人:张女士
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TI
21+
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