CD54HC132 , CD74HC132 ,
CD54HCT132 , CD74HCT132
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS145E
1997年8月 - 修订2004年3月
高速CMOS逻辑器件
四2输入与非施密特触发器
描述
的“ HC132和' HCT132各包含4个2输入NAND
施密特触发器在一个封装中。这个逻辑器件采用
硅栅CMOS技术来实现的运行速度
类似于LSTTL门电路与低功耗
标准的CMOS集成电路。所有的设备都具有
能够驱动10个LSTTL负载。在HCT逻辑家族
引脚功能与标准LS逻辑系列兼容。
特点
无限输入上升和下降时间
[ /标题
(CD74
HC132
,
CD74
HCT13
2)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
四
2-Input
NAND
SCHMIT
非常高噪声抗扰度
典型传播延迟: 10ns的在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 37%, N
IH
的V = 51 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC132F3A
CD54HCT132F3A
CD74HC132E
CD74HC132M
CD74HC132MT
CD74HC132M96
CD74HCT132E
CD74HCT132M
CD74HCT132MT
CD74HCT132M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC132 , CD54HCT132
( CERDIP )
CD74HC132 , CD74HCT132
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1Y 3
2A 4
2B 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9 3A
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54HC132 , CD74HC132 , CD54HCT132 , CD74HCT132
工作原理图
1
1A
2
1B
1Y
2A
2B
2Y
GND
3
4
5
6
7
12
4A
11
4Y
10
3B
9
3A
8
3Y
13
4B
14
V
CC
真值表
输入
nA
L
L
H
H
nB
L
H
L
H
产量
nY
H
H
H
L
H =高电平, L =低电压电平
逻辑符号
nA
nY
nB
2
CD54HC132 , CD74HC132 , CD54HCT132 , CD74HCT132
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入切换点
(注2 )
V
T
+
-
-
2
4.5
6
V
T
-
-
-
2
4.5
6
V
H
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
T
+或
V
T
-
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
T
+或
V
T
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1
2.2
3
1
1.4
1.6
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1
2.2
3
1
1.4
1.6
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1
2.2
3
1
1.4
1.6
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC132 , CD74HC132 , CD54HCT132 , CD74HCT132
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入切换点
(注2 )
V
T
+
-
-
4.5
5.5
V
T
-
-
-
4.5
5.5
V
H
-
-
4.5
5.5
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
2.滞后的定义,特点和测试设置见测试电路和波形
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
T
+
or
V
T
-
-
25
o
C
民
-
-
典型值
-
-
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
±1
20
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
±1
40
单位
A
A
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
-
0
6
6
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
-
-
-
-
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
V
V
V
V
V
V
V
V
T
+
or
V
T
-
-0.02
4.5
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注3)
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
4
CD54HC132 , CD74HC132 , CD54HCT132 , CD74HCT132
HCT输入负载表
输入
呐, NB
单位负载
0.6
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,如最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟
A,B与Y (图1 )
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟
A,B与Y
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
t
TLH
, t
THL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注4,5)
HCT类型
传播延迟
A,B与Y
(图2)
传播延迟
A,B与Y
转换时间(图2 )
输入电容
功率耗散电容
(注4,5)
注意事项:
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PHL
, t
PHL
C
L
= 50pF的
4.5
-
-
33
-
41
-
50
ns
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
30
125
25
21
-
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
156
31
27
-
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
188
38
32
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
pF
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
PD
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
5
4.5
-
5
-
-
-
-
13
-
-
30
-
15
10
-
-
-
-
-
-
19
10
-
-
-
-
-
-
22
10
-
pF
ns
pF
pF
5
CD54HC132 , CD74HC132 ,
CD54HCT132 , CD74HCT132
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS145E
1997年8月 - 修订2004年3月
高速CMOS逻辑器件
四2输入与非施密特触发器
描述
的“ HC132和' HCT132各包含4个2输入NAND
施密特触发器在一个封装中。这个逻辑器件采用
硅栅CMOS技术来实现的运行速度
类似于LSTTL门电路与低功耗
标准的CMOS集成电路。所有的设备都具有
能够驱动10个LSTTL负载。在HCT逻辑家族
引脚功能与标准LS逻辑系列兼容。
特点
无限输入上升和下降时间
[ /标题
(CD74
HC132
,
CD74
HCT13
2)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
四
2-Input
NAND
SCHMIT
非常高噪声抗扰度
典型传播延迟: 10ns的在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 37%, N
IH
的V = 51 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC132F3A
CD54HCT132F3A
CD74HC132E
CD74HC132M
CD74HC132MT
CD74HC132M96
CD74HCT132E
CD74HCT132M
CD74HCT132MT
CD74HCT132M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC132 , CD54HCT132
( CERDIP )
CD74HC132 , CD74HCT132
( PDIP , SOIC )
顶视图
1A 1
1B 2
1Y 3
2A 4
2B 5
2Y 6
7 GND
14 V
CC
13 4B
12 4A
11 4Y
10 3B
9 3A
8 3Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54HC132 , CD74HC132 , CD54HCT132 , CD74HCT132
工作原理图
1
1A
2
1B
1Y
2A
2B
2Y
GND
3
4
5
6
7
12
4A
11
4Y
10
3B
9
3A
8
3Y
13
4B
14
V
CC
真值表
输入
nA
L
L
H
H
nB
L
H
L
H
产量
nY
H
H
H
L
H =高电平, L =低电压电平
逻辑符号
nA
nY
nB
2
CD54HC132 , CD74HC132 , CD54HCT132 , CD74HCT132
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入切换点
(注2 )
V
T
+
-
-
2
4.5
6
V
T
-
-
-
2
4.5
6
V
H
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
T
+或
V
T
-
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
T
+或
V
T
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1
2.2
3
1
1.4
1.6
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1
2.2
3
1
1.4
1.6
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.7
1.7
2.1
0.3
0.9
1.2
0.2
0.4
0.6
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
1
2.2
3
1
1.4
1.6
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC132 , CD74HC132 , CD54HCT132 , CD74HCT132
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入切换点
(注2 )
V
T
+
-
-
4.5
5.5
V
T
-
-
-
4.5
5.5
V
H
-
-
4.5
5.5
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
2.滞后的定义,特点和测试设置见测试电路和波形
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
T
+
or
V
T
-
-
25
o
C
民
-
-
典型值
-
-
最大
±0.1
2
-40
o
C至85
o
C
民
-
-
最大
±1
20
-55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
±1
40
单位
A
A
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
-
0
6
6
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
-
-
-
-
-
-
-
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
1.2
1.4
0.5
0.6
0.4
0.4
4.4
1.9
2.1
1.2
1.4
1.4
1.5
-
V
V
V
V
V
V
V
V
T
+
or
V
T
-
-0.02
4.5
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注3)
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
4
CD54HC132 , CD74HC132 , CD54HCT132 , CD74HCT132
HCT输入负载表
输入
呐, NB
单位负载
0.6
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,如最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟
A,B与Y (图1 )
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟
A,B与Y
转换时间(图1 )
t
TLH
, t
THL
t
TLH
, t
THL
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注4,5)
HCT类型
传播延迟
A,B与Y
(图2)
传播延迟
A,B与Y
转换时间(图2 )
输入电容
功率耗散电容
(注4,5)
注意事项:
4. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
5. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PHL
, t
PHL
C
L
= 50pF的
4.5
-
-
33
-
41
-
50
ns
C
I
C
PD
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
30
125
25
21
-
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
156
31
27
-
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
188
38
32
-
110
22
19
10
-
ns
ns
ns
pF
ns
ns
ns
pF
pF
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
PD
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
5
4.5
-
5
-
-
-
-
13
-
-
30
-
15
10
-
-
-
-
-
-
19
10
-
-
-
-
-
-
22
10
-
pF
ns
pF
pF
5