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CD54HC112 , CD74HC112 ,
CD54HCT112 , CD74HCT112
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS141H
1998年3月 - 修订2003年10月
双J- K触发器具有置位和复位
负边沿触发
描述
在“ HC112和” HCT112采用硅栅CMOS
技术,实现运行速度相当于LSTTL
件。它们表现出的标准的低功率消耗
CMOS集成电路,具有带动10的能力一起
LSTTL负载。
这些FL IP- FL OPS具有独立的J,K ,设置,复位和
时钟输入和Q及输出。他们更改国家
负向的时钟脉冲的过渡。设置和重置
是异步由低电平的输入来完成的。
在HCT逻辑系列在功能和引脚
与标准LS逻辑系列兼容。
.
特点
[ /标题
(CD74
HC112
,
CD74
HCT11
2)
/子
拍摄对象
(双
J-K·
倒装
拍击
RESET
负面
滞后的时钟输入,提高了噪音
免疫力和增加输入上升和下降时间
异步置位和复位
互补输出
缓冲输入
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC112F3A
CD54HCT112F3A
CD74HC112E
CD74HC112MT
CD74HC112M96
CD74HC112NSR
CD74HC112PW
CD74HC112PWR
CD74HC112PWT
CD74HCT112E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
引脚
CD54HC112 , CD54HCT112 ( CERDIP )
CD74HC112 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT112 ( PDIP )
顶视图
1CP 1
1K 2
1J 3
1S 4
1Q 5
1Q 6
2Q 7
GND 8
16 V
CC
15 1R
14 2R
13 2CP
12 2K
11 2J
10 2S
9 2Q
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC112 , CD74HC112 , CD54HCT112 , CD74HCT112
工作原理图
1S
1J
1K
1CP
1R
2S
2J
2K
2CP
2R
4
3
2
1
15
10
11
12
13
14
F/F 2
F/F 1
5
1Q
6
1Q
9
2Q
7
2Q
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
S
L
H
L
H
H
H
H
H
R
H
L
L
H
H
H
H
H
CP
X
X
X
H
J
X
X
X
L
H
L
H
X
K
X
X
X
L
L
H
H
X
H
L
切换
没有变化
Q
H
L
H(注1 )
输出
Q
L
H
H(注1 )
没有变化
L
H
H =高级别(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=高向低转换
注意:
1.输出状态不可预测,如果S和R两后同时都为低电平的同时变为高。
2
CD54HC112 , CD74HC112 , CD54HCT112 , CD74HCT112
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
D( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温(密封包装或死亡) 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间,t
r
, t
f
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0ms的(最大)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
2
4.5
6
-
-4
-5.2
0.02
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4
5.2
-
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC112 , CD74HC112 , CD54HCT112 , CD74HCT112
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
4
-40
o
C至85
o
C
-
最大
40
-55
o
C至125
o
C
-
最大
80
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4
4.5
4.5
-
-
-
-
0.1
0.26
-
-
0.1
0.33
-
-
0.1
0.4
V
V
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注3)
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
4
360
-
-
40
450
-
-
80
490
A
A
HCT输入负载表
输入
1S, 2S
1K, 2K
1R, 2R
1J , 2J , 1CP , 2CP
单位负载
0.5
0.6
0.65
1
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
脉冲宽度CP
t
W
-
2
4.5
6
80
16
14
-
-
-
-
-
-
100
20
17
-
-
-
120
24
20
-
-
-
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC112 , CD74HC112 , CD54HCT112 , CD74HCT112
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
脉冲宽度R,S
符号
t
W
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间J,K ,到CP
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间J,K,给CP的
t
H
-
2
4.5
6
拆除时间R为CP ,S为CP
t
REM
-
2
4.5
6
CP频率
f
最大
-
2
4.5
6
HCT类型
脉冲宽度CP
脉冲宽度R,S
建立时间J,K ,到CP
保持时间J,K,给CP的
拆除时间R为CP ,S为CP
CP频率
t
SU
t
W
t
H
t
REM
t
W
f
最大
-
-
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
16
18
16
3
20
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
23
20
3
25
25
-
-
-
-
-
-
24
27
24
3
30
20
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
25
o
C
80
16
14
80
16
14
0
0
0
80
16
14
6
30
35
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
100
20
17
100
20
17
0
0
0
100
20
17
5
25
29
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
120
24
20
0
0
0
120
24
20
4
20
23
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
TEST
条件
-
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
CP为Q,Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
S到Q,Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
传播延迟,
R键Q,Q
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
-
13
-
-
-
15
-
175
35
-
30
155
31
-
26
180
36
-
31
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
220
44
-
37
195
39
-
33
225
45
-
38
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
265
53
-
45
235
47
-
40
270
54
-
46
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
5
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    -
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