【CD54HC08 ， CD74HC08 ，CD54HCT08 ， CD74HCT08从哈里斯半导体数】,IC型号CD74HC08MG4,CD74HC08MG4 PDF资料,CD74HC08MG4经销商,ic,电子元器件-51电子网

CD54HC08 ， CD74HC08 ，

CD54HCT08 ， CD74HCT08

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS118C

1997年8月 - 修订2004年7月

高速CMOS逻辑器件

四2输入与门

描述

该

CD54HC08,

CD54HCT08,

CD74HC08,

和

CD74HCT08逻辑门采用硅栅CMOS

技术，实现运行速度类似于LSTTL

闸门与标准CMOS的低功耗

集成电路。所有器件都具有驱动10的能力

LSTTL负载。该74HCT逻辑系列在功能引脚

与标准74LS逻辑系列兼容。

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD54H

C08,

CD54H

CT08,

CD74H

C08,

CD74H

CT08)

/子

拍摄对象

（高

典型传播延迟：为7ns在V

CC

= 5V,

C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC08F3A

CD54HCT08F3A

CD74HC08E

CD74HC08M

CD74HC08MT

CD74HC08M96

CD74HC08PW

CD74HC08PWR

CD74HCT08E

CD74HCT08M

CD74HCT08MT

CD74HCT08M96

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的CERDIP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的TSSOP

14 Ld的PDIP

14 Ld的SOIC

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小批量卷轴

250 。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2004年，德州仪器

1

CD54HC08 ， CD74HC08 ， CD54HCT08 ， CD74HCT08

引脚

CD54HC08 ， CD54HCT08 ，

（ CERDIP ）

CD74HC08

（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）

CD74HCT08

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

1A 1

1B 2

1Y 3

2A 4

2B 5

2Y 6

7 GND

14 V

CC

13 4B

12 4A

11 4Y

10 3B

9 3A

8 3Y

工作原理图

1

1A

2

1B

1Y

2A

2B

2Y

GND

3

4

5

6

7

12

4A

11

4Y

10

3B

9

3A

8

3Y

13

4B

14

V

CC

真值表

输入

nA

L

H

nB

L

H

L

H

产量

nY

L

H

H =高电平， L =低电压电平

2

CD54HC08 ， CD74HC08 ， CD54HCT08 ， CD74HCT08

HC逻辑符号

HCT逻辑符号

nA

nB

nY

nB

nY

3

CD54HC08 ， CD74HC08 ， CD54HCT08 ， CD74HCT08

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

cc或

I

GND

。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 80

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 86

PW （ TSSOP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 113

最高结温（密封包装或死亡）。。。 175

o

C

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

I

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

OH

V

IH

or

V

IL

-0.02

-

-4

-5.2

0.02

-

4

5.2

-

2

4.5

6

-

4.5

6

2

4.5

6

-

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

-

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

-

0.26

±0.1

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

-

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

-

0.33

±1

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

-

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

-

0.4

±1

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（毫安）V

CC

(V)

民

25

o

C

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C

民

最大

-55

o

C至125

o

C

民

最大

单位

4

CD54HC08 ， CD74HC08 ， CD54HCT08 ， CD74HCT08

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

静态器件

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

V

CC

和

GND

V

CC

or

GND

V

CC

- 2.1

V

OL

V

IH

or

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

or

V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

I

CC

V

I

(V)

V

CC

or

GND

I

O

（毫安）V

CC

(V)

0

6

民

-

25

o

C

典型值

-

最大

2

-40

o

C至85

o

C

民

-

最大

20

-55

o

C至125

o

C

民

-

最大

40

单位

A

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

5.5

-

±0.1

-

±1

-

±1

A

I

CC

I

CC

（注2 ）

0

-

5.5

4.5

5.5

-

100

2

360

-

20

450

-

40

490

A

HCT输入负载表

输入

所有

单位负载

0.6

注：机组负荷为

I

CC

在直流电气限制特定网络版

特定网络阳离子表，如最大360μA 25

o

C.

交换特定网络阳离子

输入吨

r

, t

f

= 6ns的

参数

HC类型

传播延迟，

输入到输出（图1 ）

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 50pF的

2

4.5

6

传播延迟，数据输入到

输出y

t

PLH

, t

PHL

C

L

= 15pF的

5

-

7

90

18

15

-

115

23

20

-

135

27

23

-

ns

符号

TEST

条件

V

CC

(V)

25

o

C

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

最大

民

最大

单位

5