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CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 ,
CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS188A
1998年1月 - 修订2000年5月
高速CMOS逻辑八路D型触发器,
三态反相上升沿触发
描述
的“ HC534 , ' HCT534 , ” HC564 ,和' HCT564是高速
八D型触发器与硅栅CMOS制造
技术。它们具有标为低功耗
准CMOS集成电路,以及用于驱动能力
15输入通道负载。由于大的输出驱动能力和
三态功能,这些器件非常适用于
在总线系统组织的公交线路连接。两
类型在功能上是相同的,区别仅在于它们的引脚
安排。
的“ HC534 , ' HCT534 , ” HC564 ,和' HCT564是正
边沿触发的触发器。数据在D输入,满足
建立时间和保持时间的要求,被反转和反
ferred上的正跳变的Q输出
时钟输入。当一个高逻辑电平被施加到OUT-
PUT ENABLE输入,所有的输出为高阻态,
无论什么信号都出现在其另一输入端和
该存储元件的状态。
在HCT逻辑系列是速度,功能和引脚兼容
与标准LS逻辑系列。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC534
,
CD74
HCT53
4,
CD74
HC564
,
CD74
HCT56
通用三态输出使能控制
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C(时钟到输出)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC534F3A
CD74HC534E
CD54HCT534F3A
CD74HCT534E
CD54HC564F3A
CD74HC564E
CD74HC564M
CD54HCT564F3A
CD74HCT564E
CD74HCT564M
注意事项:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片这部分数量可满足所有
电气规格。请联系您当地的TI销售办事处
或客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2000年,德州仪器
1
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
引脚配置
CD54HC534 , CD54HCT534
( CERDIP )
CD74HC534 , CD74HCT534
( PDIP )
顶视图
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
CD54HC564 , CD54HCT564
( CERDIP )
CD74HC564 , CD74HCT564
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 CP
GND 10
GND 10
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
CP
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
OE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
O
7
真值表
输入
OE
L
L
L
H
CP
L
X
Dn
H
L
X
X
产量
Qn
L
H
没有变化
Z
注意:
H =高电平(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
=转型从低到高级别
Z =高阻抗状态
2
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
125
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
-
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
或GND
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
-
5.5
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
±0.5
360
-
-
-
-
±1
80
±5.0
450
-
-
-
-
±1
160
±10
490
A
A
A
A
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
当前
或GND
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
I
CC
V
CC
-2.1
注:对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
D0 - D7
CP
OE
单位负载
0.15
0.30
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据时钟
t
SU
2
4.5
6
保持时间
数据时钟
t
H
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
建立时间
数据时钟
保持时间
数据时钟( 534 )
保持时间
数据时钟( 564 )
f
最大
t
W
t
SU
t
H
t
H
4.5
25
-
-
20
-
-
16
-
-
兆赫
6
30
35
80
16
14
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
75
15
13
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
90
18
15
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
4.5
20
20
-
-
-
-
25
25
-
-
-
-
30
30
-
-
-
-
ns
ns
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
4.5
3
-
-
3
-
-
3
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
时钟到输出
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
12
-
165
33
-
28
150
30
-
26
-
-
-
-
-
-
-
-
205
41
-
35
190
38
-
33
-
-
-
-
-
-
-
-
250
50
-
43
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出禁止向Q( 534 )
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
5
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 ,
CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS188C
1998年1月 - 修订2004年4月
高速CMOS逻辑八路D型触发器,
三态反相上升沿触发
描述
的“ HC534 , ' HCT534 , ” HC564 ,和' HCT564是高速
八D型触发器与硅栅CMOS制造
技术。它们具有标为低功耗
准CMOS集成电路,以及用于驱动能力
15输入通道负载。由于大的输出驱动能力和
三态功能,这些器件非常适用于
在总线系统组织的公交线路连接。两
类型在功能上是相同的,区别仅在于它们的引脚
安排。
的“ HC534 , ' HCT534 , ” HC564 ,和' HCT564是正
边沿触发的触发器。数据在D输入,满足
建立时间和保持时间的要求,被反转和反
ferred上的正跳变的Q输出
时钟输入。当一个高逻辑电平被施加到OUT-
PUT ENABLE输入,所有的输出为高阻态,
无论什么信号都出现在其另一输入端和
该存储元件的状态。
在HCT逻辑系列是速度,功能和引脚兼容
与标准LS逻辑系列。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC534
,
CD74
HCT53
4,
CD74
HC564
,
CD74
HCT56
通用三态输出使能控制
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C(时钟到输出)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC534F3A
CD54HC564F3A
CD54HCT534F3A
CD54HCT564F3A
CD74HC534E
CD74HC564E
CD74HC564M
CD74HC564M96
CD74HCT534E
CD74HCT564E
CD74HCT564M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
引脚配置
CD54HC534 , CD54HCT534
( CERDIP )
CD74HC534 , CD74HCT534
( PDIP )
顶视图
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
CD54HC564 , CD54HCT564
( CERDIP )
CD74HC564 , CD74HCT564
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 CP
GND 10
GND 10
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
CP
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
OE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
O
7
真值表
输入
OE
L
L
L
H
CP
L
X
Dn
H
L
X
X
产量
Qn
L
H
没有变化
Z
H =高电平(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
↑=
到高电平的过渡,从低
Z =高阻抗状态
2
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.包装阻抗计算根据JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
-
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
或GND
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
-
5.5
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
±0.5
360
-
-
-
-
±1
80
±5.0
450
-
-
-
-
±1
160
±10
490
A
A
A
A
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
当前
或GND
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
V
CC
-2.1
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
D0 - D7
CP
OE
单位负载
0.15
0.30
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据时钟
t
SU
2
4.5
6
保持时间
数据时钟
t
H
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
建立时间
数据时钟
保持时间
数据时钟( 534 )
保持时间
数据时钟( 564 )
f
最大
t
W
t
SU
t
H
t
H
4.5
25
-
-
20
-
-
16
-
-
兆赫
6
30
35
80
16
14
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
75
15
13
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
90
18
15
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
4.5
20
20
-
-
-
-
25
25
-
-
-
-
30
30
-
-
-
-
ns
ns
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
4.5
3
-
-
3
-
-
3
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
时钟到输出
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
12
-
165
33
-
28
150
30
-
26
-
-
-
-
-
-
-
-
205
41
-
35
190
38
-
33
-
-
-
-
-
-
-
-
250
50
-
43
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出禁止向Q( 534 )
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
5
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 ,
CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS188C
1998年1月 - 修订2004年4月
高速CMOS逻辑八路D型触发器,
三态反相上升沿触发
描述
的“ HC534 , ' HCT534 , ” HC564 ,和' HCT564是高速
八D型触发器与硅栅CMOS制造
技术。它们具有标为低功耗
准CMOS集成电路,以及用于驱动能力
15输入通道负载。由于大的输出驱动能力和
三态功能,这些器件非常适用于
在总线系统组织的公交线路连接。两
类型在功能上是相同的,区别仅在于它们的引脚
安排。
的“ HC534 , ' HCT534 , ” HC564 ,和' HCT564是正
边沿触发的触发器。数据在D输入,满足
建立时间和保持时间的要求,被反转和反
ferred上的正跳变的Q输出
时钟输入。当一个高逻辑电平被施加到OUT-
PUT ENABLE输入,所有的输出为高阻态,
无论什么信号都出现在其另一输入端和
该存储元件的状态。
在HCT逻辑系列是速度,功能和引脚兼容
与标准LS逻辑系列。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC534
,
CD74
HCT53
4,
CD74
HC564
,
CD74
HCT56
通用三态输出使能控制
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C(时钟到输出)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC534F3A
CD54HC564F3A
CD54HCT534F3A
CD54HCT564F3A
CD74HC534E
CD74HC564E
CD74HC564M
CD74HC564M96
CD74HCT534E
CD74HCT564E
CD74HCT564M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
引脚配置
CD54HC534 , CD54HCT534
( CERDIP )
CD74HC534 , CD74HCT534
( PDIP )
顶视图
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
CD54HC564 , CD54HCT564
( CERDIP )
CD74HC564 , CD74HCT564
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 CP
GND 10
GND 10
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
CP
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
OE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
O
7
真值表
输入
OE
L
L
L
H
CP
L
X
Dn
H
L
X
X
产量
Qn
L
H
没有变化
Z
H =高电平(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
↑=
到高电平的过渡,从低
Z =高阻抗状态
2
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.包装阻抗计算根据JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
-
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
或GND
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
-
5.5
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
±0.5
360
-
-
-
-
±1
80
±5.0
450
-
-
-
-
±1
160
±10
490
A
A
A
A
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
当前
或GND
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
V
CC
-2.1
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
D0 - D7
CP
OE
单位负载
0.15
0.30
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据时钟
t
SU
2
4.5
6
保持时间
数据时钟
t
H
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
建立时间
数据时钟
保持时间
数据时钟( 534 )
保持时间
数据时钟( 564 )
f
最大
t
W
t
SU
t
H
t
H
4.5
25
-
-
20
-
-
16
-
-
兆赫
6
30
35
80
16
14
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
75
15
13
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
90
18
15
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
4.5
20
20
-
-
-
-
25
25
-
-
-
-
30
30
-
-
-
-
ns
ns
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
4.5
3
-
-
3
-
-
3
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
时钟到输出
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
12
-
165
33
-
28
150
30
-
26
-
-
-
-
-
-
-
-
205
41
-
35
190
38
-
33
-
-
-
-
-
-
-
-
250
50
-
43
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出禁止向Q( 534 )
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
5
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 ,
CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS188C
1998年1月 - 修订2004年4月
高速CMOS逻辑八路D型触发器,
三态反相上升沿触发
描述
的“ HC534 , ' HCT534 , ” HC564 ,和' HCT564是高速
八D型触发器与硅栅CMOS制造
技术。它们具有标为低功耗
准CMOS集成电路,以及用于驱动能力
15输入通道负载。由于大的输出驱动能力和
三态功能,这些器件非常适用于
在总线系统组织的公交线路连接。两
类型在功能上是相同的,区别仅在于它们的引脚
安排。
的“ HC534 , ' HCT534 , ” HC564 ,和' HCT564是正
边沿触发的触发器。数据在D输入,满足
建立时间和保持时间的要求,被反转和反
ferred上的正跳变的Q输出
时钟输入。当一个高逻辑电平被施加到OUT-
PUT ENABLE输入,所有的输出为高阻态,
无论什么信号都出现在其另一输入端和
该存储元件的状态。
在HCT逻辑系列是速度,功能和引脚兼容
与标准LS逻辑系列。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC534
,
CD74
HCT53
4,
CD74
HC564
,
CD74
HCT56
通用三态输出使能控制
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C(时钟到输出)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC534F3A
CD54HC564F3A
CD54HCT534F3A
CD54HCT564F3A
CD74HC534E
CD74HC564E
CD74HC564M
CD74HC564M96
CD74HCT534E
CD74HCT564E
CD74HCT564M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
引脚配置
CD54HC534 , CD54HCT534
( CERDIP )
CD74HC534 , CD74HCT534
( PDIP )
顶视图
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
CD54HC564 , CD54HCT564
( CERDIP )
CD74HC564 , CD74HCT564
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 CP
GND 10
GND 10
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
CP
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
OE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
O
7
真值表
输入
OE
L
L
L
H
CP
L
X
Dn
H
L
X
X
产量
Qn
L
H
没有变化
Z
H =高电平(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
↑=
到高电平的过渡,从低
Z =高阻抗状态
2
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.包装阻抗计算根据JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
-
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
或GND
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
-
5.5
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
±0.5
360
-
-
-
-
±1
80
±5.0
450
-
-
-
-
±1
160
±10
490
A
A
A
A
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
当前
或GND
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
V
CC
-2.1
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
D0 - D7
CP
OE
单位负载
0.15
0.30
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据时钟
t
SU
2
4.5
6
保持时间
数据时钟
t
H
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
建立时间
数据时钟
保持时间
数据时钟( 534 )
保持时间
数据时钟( 564 )
f
最大
t
W
t
SU
t
H
t
H
4.5
25
-
-
20
-
-
16
-
-
兆赫
6
30
35
80
16
14
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
75
15
13
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
90
18
15
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
4.5
20
20
-
-
-
-
25
25
-
-
-
-
30
30
-
-
-
-
ns
ns
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
4.5
3
-
-
3
-
-
3
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
时钟到输出
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
12
-
165
33
-
28
150
30
-
26
-
-
-
-
-
-
-
-
205
41
-
35
190
38
-
33
-
-
-
-
-
-
-
-
250
50
-
43
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出禁止向Q( 534 )
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
5
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 ,
CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS188C
1998年1月 - 修订2004年4月
高速CMOS逻辑八路D型触发器,
三态反相上升沿触发
描述
的“ HC534 , ' HCT534 , ” HC564 ,和' HCT564是高速
八D型触发器与硅栅CMOS制造
技术。它们具有标为低功耗
准CMOS集成电路,以及用于驱动能力
15输入通道负载。由于大的输出驱动能力和
三态功能,这些器件非常适用于
在总线系统组织的公交线路连接。两
类型在功能上是相同的,区别仅在于它们的引脚
安排。
的“ HC534 , ' HCT534 , ” HC564 ,和' HCT564是正
边沿触发的触发器。数据在D输入,满足
建立时间和保持时间的要求,被反转和反
ferred上的正跳变的Q输出
时钟输入。当一个高逻辑电平被施加到OUT-
PUT ENABLE输入,所有的输出为高阻态,
无论什么信号都出现在其另一输入端和
该存储元件的状态。
在HCT逻辑系列是速度,功能和引脚兼容
与标准LS逻辑系列。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC534
,
CD74
HCT53
4,
CD74
HC564
,
CD74
HCT56
通用三态输出使能控制
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C(时钟到输出)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC534F3A
CD54HC564F3A
CD54HCT534F3A
CD54HCT564F3A
CD74HC534E
CD74HC564E
CD74HC564M
CD74HC564M96
CD74HCT534E
CD74HCT564E
CD74HCT564M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
引脚配置
CD54HC534 , CD54HCT534
( CERDIP )
CD74HC534 , CD74HCT534
( PDIP )
顶视图
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
CD54HC564 , CD54HCT564
( CERDIP )
CD74HC564 , CD74HCT564
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 CP
GND 10
GND 10
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
CP
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
D
CP
Q
OE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
O
7
真值表
输入
OE
L
L
L
H
CP
L
X
Dn
H
L
X
X
产量
Qn
L
H
没有变化
Z
H =高电平(稳态)
L =低电平(稳态)
X =无关
↑=
到高电平的过渡,从低
Z =高阻抗状态
2
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.包装阻抗计算根据JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
-
25
o
C
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
最大
80
±5.0
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
或GND
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
-
5.5
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
±0.5
360
-
-
-
-
±1
80
±5.0
450
-
-
-
-
±1
160
±10
490
A
A
A
A
三态泄漏V
IL
或V
IH
V
O
= V
CC
当前
或GND
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
I
CC
(注2 )
V
CC
-2.1
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
D0 - D7
CP
OE
单位负载
0.15
0.30
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表,例如, 360μA最大值。在25
o
C.
4
CD54 / 74HC534 , CD54 / 74HCT534 , CD54 / 74HC564 , CD54 / 74HCT564
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟
频率
f
最大
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
建立时间
数据时钟
t
SU
2
4.5
6
保持时间
数据时钟
t
H
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟
频率
时钟脉冲宽度
建立时间
数据时钟
保持时间
数据时钟( 534 )
保持时间
数据时钟( 564 )
f
最大
t
W
t
SU
t
H
t
H
4.5
25
-
-
20
-
-
16
-
-
兆赫
6
30
35
80
16
14
60
12
10
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
75
15
13
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
90
18
15
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
4.5
4.5
20
20
-
-
-
-
25
25
-
-
-
-
30
30
-
-
-
-
ns
ns
4.5
5
-
-
5
-
-
5
-
-
ns
4.5
3
-
-
3
-
-
3
-
-
ns
交换特定网络阳离子
C
L
= 50pF的,输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C到
85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟
时钟到输出
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
12
-
165
33
-
28
150
30
-
26
-
-
-
-
-
-
-
-
205
41
-
35
190
38
-
33
-
-
-
-
-
-
-
-
250
50
-
43
225
45
-
38
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出禁止向Q( 534 )
t
PLZ
, t
PHZ
C
L
= 50pF的
5
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