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CD54HC4538 , CD74HC4538 ,
CD54HCT4538 , CD74HCT4538
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS123E
1998年6月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑双路可重触发
精密单稳多谐振荡器
描述
’HC4538
’HCT4538
可再触发/复位单稳态多谐振荡器的精度
对于网络连接固定的电压定时应用。外部电阻
(R
X
)和一个外部电容器(C
X
)控制的定时和
精度的电路。的R调整
X
和C
X
提供宽范围的输出脉冲宽度的从Q和
Q端子。从触发输入,用于─传播延迟
输出转换和复位的传播延迟输入 -
到输出的转变是自主研发的
X
和C
X
.
前沿触发( A)和下降沿触发(B )
提供从的边沿触发输入
输入脉冲。一个未使用的“A”输入应连接到GND和
未使用的B应连接到V
CC
。接通电源后, IC是
复位。未使用的复位和部分必须被终止。在
正常操作上的应用程序中的电路重新触发
每一个新的触发脉冲。在非触发的操作
模式, Q是连接前缘时触发, B( A)
使用或Q是下降沿触发时,连接到A
(B)中被使用。周期( τ ),可由下式计算
τ
= (0.7)
R
X
, C
X
; R
为5kΩ的。
是0pF 。
特点
可重触发/复位功能
触发和复位的传播延迟独立
R
X
, C
X
从上升或下降沿触发
Q和Q缓冲输出可用
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
在A和B输入施密特触发器输入
重新触发时间是独立的C
X
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD54
HC453
8,
CD74
HC453
8,
CD74
HCT45
38)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
订购信息
产品型号
CD54HC4538F3A
CD54HCT4538F3A
CD74HC4538E
CD74HC4538M
CD74HC4538MT
CD74HC4538M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC4538 , CD54HCT4538
( CERDIP )
CD74HC4538
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT4538
( PDIP , SOIC )
顶视图
1C
X
1
1R
X
C
X
2
1R 3
1A 4
1B 5
1Q 6
1Q 7
GND 8
16 V
CC
15 2C
X
14 2R
X
C
X
13 2R
12 2A
11 2B
10 2Q
9 2Q
CD74HC4538NSR
CD74HC4538PW
CD74HC4538PWR
CD74HC4538PWT
CD74HCT4538E
CD74HCT4538M
CD74HCT4538MT
CD74HCT4538M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4538 , CD74HC4538 , CD54HCT4538 , CD74HCT4538
工作原理图
1Cx
1
1Cx
4
1A
5
1B
3
1R
13
12
2A
11
2B
2Cx
15
GND = 8
V
CC
= 16
2Cx
2RxCx
14
V
CC
2Rx
MONO 2
9
2Q
10
2Q
MONO 1
7
1Q
2
1RxCx
6
1Q
1Rx
V
CC
2R
真值表
R2
输入
R
L
X
X
H
H
A
X
H
X
L
B
X
X
L
H
Q
L
L
L
输出
Q
H
D
CL
R1
CL
p
n
CL
CL
Q
p
n
CL
CL
p
n
CL
Q
H
H
R1
H =高电平,L =低的水平,
=转型从低到高,
=转型从高至低,
一个高电平脉冲,
一个低电平脉冲,X =无关。
图1: FF细节
2
CD54HC4538 , CD74HC4538 , CD54HCT4538 , CD74HCT4538
16
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
R
X
2(14)
C
X
1(15)
R2
V
CC
R1
+
COMP II
6(10)
Q
-
8
V
CC
高Z
7(9)
Q
3(13)
R
V
CC
4(12)
A
5(11)
B
R1
CL
FF
CL
R2
Q
Q
图2.逻辑图( 1 MONO )
官能端连接
V
CC
TO
终端数
功能
前沿
触发/可重触发
前沿
触发/非可重触发
后缘
触发/可重触发
后缘
触发/非可重触发
注意事项:
1,一种可重触发单稳态多谐振荡器具有一个输出脉冲宽度被应用的最后的后延长一个完整时间周期(T)的
触发脉冲。
2,一种非触发的单稳态多谐振荡器具有与第一触发脉冲的应用程序引用一个时间周期(T ) 。
单声道
1
3, 5
3
3
3
单声道
2
11, 13
13
13
13
4
12
GND TO
终端数
单声道
1
单声道
2
输入脉冲
终端数
单声道
1
4
4
5
5
单声道
2
12
12
11
11
4-6
12-10
5-7
11-9
其他
连接
单声道
1
单声道
2
T
T
图3.输入脉冲串
图4.可重触发模式
脉冲宽度( A模式)
图5.非可重触发模式
脉冲宽度
( A模式)
3
CD54HC4538 , CD74HC4538 , CD54HCT4538 , CD74HCT4538
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注5 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
(注3)
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间,T
r
, t
f
复位输入:
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
触发器输入A或B :
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限(最大)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限(最大)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限(最大)
外部定时电阻,R
X
(注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .5kΩ (最小值)
外接的定时电容,C
X
(注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 (最小值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
3.除非另有说明,所有电压以地为参考。
4. R的最大允许值
X
和C
X
是电容器C的泄漏的功能
X
的' HC4538的,漏,和渗漏由于
板布局和表面电阻。的R值
X
和C
X
应选择以使最大电流成销2或销14为30mA 。
易感性的外部引起的,可能会出现对R的噪声信号
X
> 1MΩ 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC4538 , CD74HC4538 , CD54HCT4538 , CD74HCT4538
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
目前A , B,R
输入漏
当前
X
C
X
(注6 )
静态器件
当前
有源器件电流
Q =高&引脚2 , 14
在V
CC
/4
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
输入漏
当前
X
C
X
(注6 )
静态器件
当前
有源器件电流
Q =高&引脚2 , 14
在V
CC
/4
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
6.当我测试
IL
Q输出必须是高的。如果Q为低(设备未触发)上拉P设备将开启,低阻抗路径
从V
DD
到测试引脚将引起电流远远超过了规范。
7.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
CC
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
I
I
V
CC
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
I
CC
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
I
V
CC
or
GND
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
或V
IL
I
O
(MA )
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
-
25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
±0.05
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
±0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
±0.5
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
(V)
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
0
0
6
6
-
-
-
-
8
0.6
-
-
80
0.8
-
-
160
1
A
mA
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
-
5.5
5.5
-
-
-
±0.1
±0.05
-
-
±1
±0.5
-
-
±1
±0.5
A
A
0
0
5.5
5.5
-
-
-
-
8
0.6
-
-
80
0.8
-
-
160
1
A
mA
I
CC
(注7 )
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
5
CD54HC4538 , CD74HC4538 ,
CD54HCT4538 , CD74HCT4538
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS123E
1998年6月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑双路可重触发
精密单稳多谐振荡器
描述
’HC4538
’HCT4538
可再触发/复位单稳态多谐振荡器的精度
对于网络连接固定的电压定时应用。外部电阻
(R
X
)和一个外部电容器(C
X
)控制的定时和
精度的电路。的R调整
X
和C
X
提供宽范围的输出脉冲宽度的从Q和
Q端子。从触发输入,用于─传播延迟
输出转换和复位的传播延迟输入 -
到输出的转变是自主研发的
X
和C
X
.
前沿触发( A)和下降沿触发(B )
提供从的边沿触发输入
输入脉冲。一个未使用的“A”输入应连接到GND和
未使用的B应连接到V
CC
。接通电源后, IC是
复位。未使用的复位和部分必须被终止。在
正常操作上的应用程序中的电路重新触发
每一个新的触发脉冲。在非触发的操作
模式, Q是连接前缘时触发, B( A)
使用或Q是下降沿触发时,连接到A
(B)中被使用。周期( τ ),可由下式计算
τ
= (0.7)
R
X
, C
X
; R
为5kΩ的。
是0pF 。
特点
可重触发/复位功能
触发和复位的传播延迟独立
R
X
, C
X
从上升或下降沿触发
Q和Q缓冲输出可用
独立的复位
输出脉冲宽度宽范围
在A和B输入施密特触发器输入
重新触发时间是独立的C
X
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD54
HC453
8,
CD74
HC453
8,
CD74
HCT45
38)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
订购信息
产品型号
CD54HC4538F3A
CD54HCT4538F3A
CD74HC4538E
CD74HC4538M
CD74HC4538MT
CD74HC4538M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
引脚
CD54HC4538 , CD54HCT4538
( CERDIP )
CD74HC4538
( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT4538
( PDIP , SOIC )
顶视图
1C
X
1
1R
X
C
X
2
1R 3
1A 4
1B 5
1Q 6
1Q 7
GND 8
16 V
CC
15 2C
X
14 2R
X
C
X
13 2R
12 2A
11 2B
10 2Q
9 2Q
CD74HC4538NSR
CD74HC4538PW
CD74HC4538PWR
CD74HC4538PWT
CD74HCT4538E
CD74HCT4538M
CD74HCT4538MT
CD74HCT4538M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC4538 , CD74HC4538 , CD54HCT4538 , CD74HCT4538
工作原理图
1Cx
1
1Cx
4
1A
5
1B
3
1R
13
12
2A
11
2B
2Cx
15
GND = 8
V
CC
= 16
2Cx
2RxCx
14
V
CC
2Rx
MONO 2
9
2Q
10
2Q
MONO 1
7
1Q
2
1RxCx
6
1Q
1Rx
V
CC
2R
真值表
R2
输入
R
L
X
X
H
H
A
X
H
X
L
B
X
X
L
H
Q
L
L
L
输出
Q
H
D
CL
R1
CL
p
n
CL
CL
Q
p
n
CL
CL
p
n
CL
Q
H
H
R1
H =高电平,L =低的水平,
=转型从低到高,
=转型从高至低,
一个高电平脉冲,
一个低电平脉冲,X =无关。
图1: FF细节
2
CD54HC4538 , CD74HC4538 , CD54HCT4538 , CD74HCT4538
16
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
R
X
2(14)
C
X
1(15)
R2
V
CC
R1
+
COMP II
6(10)
Q
-
8
V
CC
高Z
7(9)
Q
3(13)
R
V
CC
4(12)
A
5(11)
B
R1
CL
FF
CL
R2
Q
Q
图2.逻辑图( 1 MONO )
官能端连接
V
CC
TO
终端数
功能
前沿
触发/可重触发
前沿
触发/非可重触发
后缘
触发/可重触发
后缘
触发/非可重触发
注意事项:
1,一种可重触发单稳态多谐振荡器具有一个输出脉冲宽度被应用的最后的后延长一个完整时间周期(T)的
触发脉冲。
2,一种非触发的单稳态多谐振荡器具有与第一触发脉冲的应用程序引用一个时间周期(T ) 。
单声道
1
3, 5
3
3
3
单声道
2
11, 13
13
13
13
4
12
GND TO
终端数
单声道
1
单声道
2
输入脉冲
终端数
单声道
1
4
4
5
5
单声道
2
12
12
11
11
4-6
12-10
5-7
11-9
其他
连接
单声道
1
单声道
2
T
T
图3.输入脉冲串
图4.可重触发模式
脉冲宽度( A模式)
图5.非可重触发模式
脉冲宽度
( A模式)
3
CD54HC4538 , CD74HC4538 , CD54HCT4538 , CD74HCT4538
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注5 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
(注3)
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间,T
r
, t
f
复位输入:
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
触发器输入A或B :
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限(最大)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限(最大)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限(最大)
外部定时电阻,R
X
(注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .5kΩ (最小值)
外接的定时电容,C
X
(注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 (最小值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
3.除非另有说明,所有电压以地为参考。
4. R的最大允许值
X
和C
X
是电容器C的泄漏的功能
X
的' HC4538的,漏,和渗漏由于
板布局和表面电阻。的R值
X
和C
X
应选择以使最大电流成销2或销14为30mA 。
易感性的外部引起的,可能会出现对R的噪声信号
X
> 1MΩ 。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
2
4.5
6
-
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC4538 , CD74HC4538 , CD54HCT4538 , CD74HCT4538
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
目前A , B,R
输入漏
当前
X
C
X
(注6 )
静态器件
当前
有源器件电流
Q =高&引脚2 , 14
在V
CC
/4
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
输入漏
当前
X
C
X
(注6 )
静态器件
当前
有源器件电流
Q =高&引脚2 , 14
在V
CC
/4
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
6.当我测试
IL
Q输出必须是高的。如果Q为低(设备未触发)上拉P设备将开启,低阻抗路径
从V
DD
到测试引脚将引起电流远远超过了规范。
7.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
CC
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
I
I
V
CC
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
I
CC
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
I
V
CC
or
GND
符号
V
OL
V
I
(V)
V
IH
或V
IL
I
O
(MA )
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
-
25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
±0.05
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
±0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
±0.5
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
(V)
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
0
0
6
6
-
-
-
-
8
0.6
-
-
80
0.8
-
-
160
1
A
mA
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
-
5.5
5.5
-
-
-
±0.1
±0.05
-
-
±1
±0.5
-
-
±1
±0.5
A
A
0
0
5.5
5.5
-
-
-
-
8
0.6
-
-
80
0.8
-
-
160
1
A
mA
I
CC
(注7 )
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
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    -
    -
    -
    -
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电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
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TI
21+
12000
CDIP (J)
███全新原装正品,可配单
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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TI
21+
19200
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电话:15289608497
联系人:韦
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12
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地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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15+
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