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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第34页 > CD54HC597F3A
CD54HC597 ， CD74HC597 ，
CD74HCT597
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS191C
1998年1月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
具有输入存储的8位移位寄存器
描述
在“ HC597和CD74HCT597是高速硅栅
CMOS器件是引脚兼容的输入通道597
设备。每个器件包含一个8触发器输入寄存器
和一个8位的并行输入/串行输入，串行输出的移位寄存器。每
寄存器是由它自己的时钟来控制。在平行A“很低”
负载输入（ PL ）平行移动的数据存储到异步
移位寄存器。 “低”主输入（ MR）清除移位
注册。串行输入的数据也可以被同步地移动
通过移位寄存器，当PL为高。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC597
,
CD74
HCT59
7)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
异步并行加载
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC597F3A
CD74HC597E
CD74HC597M
CD74HC597MT
CD74HC597M96
CD74HC597NSR
CD74HCT597E
CD74HCT597M
CD74HCT597MT
CD74HCT597M96
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC597
（ CERDIP ）
CD74HC597
（ PDIP ， SOIC ， SOP ）
CD74HCT597
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
D1 1
D2 2
D3 3
D4 4
D5 5
D6 6
D7 7
GND 8
16 V
CC
15 D0
14 D
S
13 PL
12 ST
CP
11 SH
CP
10 MR
9 Q7
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
工作原理图
DS
D0
D1
D2
并行
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
ST
CP
SH
CP
PL
MR
15
1
2
3
8 F/F
存储
注册。
5
4
6
7
12
11
13
10
9
Q7
8-BIT
移
注册。
14
功能表
ST
CP
↑
↑
没有时钟边沿
X
SH
CP
X
X
X
X
PL
X
L
L
L
MR
X
H
H
L
功能
数据加载到输入触发器
从输入移位寄存器加载数据
从输入传输数据FL IP- FL OPS到移位寄存器
无效的逻辑状态转移的，注册的时候不定
信号中去除
移位寄存器清零
移位寄存器时钟控制尺寸Qn = QN- 1 ， Q0 = D
S
X
X
X
↑
H
H
L
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理，
↑
=转型从低到高CP级别
2
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
64
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
25
o
C
民
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
民
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
D
S
D
n
PL ，MR
ST
CP
， SH
CP
单位负载
0.2
0.3
1.5
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气规范中规定的限制
表，例如， 360μA最大值。在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
SH
CP
频率
f
最大
2
4.5
6
6
30
35
-
-
-
-
-
-
5
25
29
-
-
-
-
-
-
4
20
23
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
符号
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
民
典型值
最大
单位
4
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
用于交换特定网络阳离子前提条件
（续）
25
o
C
参数
SH
CP
脉冲宽度
符号
t
W
V
CC
(V)
2
4.5
6
ST
CP
脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
PL脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
t
SU
2
4.5
6
D
S
以SH
CP
建立时间
D
n
以ST
CP
建立时间
t
SU
2
4.5
6
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
t
H
2
4.5
6
D
S
以SH
CP
保持时间
D
n
以ST
CP
保持时间
t
H
2
4.5
6
先生SH
CP
切除
时间
t
REM
2
4.5
6
HCT类型
SH
CP
频率
SH
CP
脉冲宽度
ST
CP
脉冲宽度
MR脉冲宽度
PL脉冲宽度
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
f
最大
t
W
t
W
t
W
t
W
t
SU
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
20
13
18
16
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
25
16
23
20
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
30
20
27
24
36
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
民
80
16
14
60
12
10
80
16
14
70
14
12
100
20
17
50
10
9
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
民
100
20
17
75
15
13
100
20
17
90
18
15
125
25
21
65
13
11
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
民
120
24
20
90
18
15
120
24
20
105
21
18
150
30
26
75
15
13
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
CD54HC597 ， CD74HC597 ，
CD74HCT597
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS191C
1998年1月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
具有输入存储的8位移位寄存器
描述
在“ HC597和CD74HCT597是高速硅栅
CMOS器件是引脚兼容的输入通道597
设备。每个器件包含一个8触发器输入寄存器
和一个8位的并行输入/串行输入，串行输出的移位寄存器。每
寄存器是由它自己的时钟来控制。在平行A“很低”
负载输入（ PL ）平行移动的数据存储到异步
移位寄存器。 “低”主输入（ MR）清除移位
注册。串行输入的数据也可以被同步地移动
通过移位寄存器，当PL为高。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC597
,
CD74
HCT59
7)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
异步并行加载
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC597F3A
CD74HC597E
CD74HC597M
CD74HC597MT
CD74HC597M96
CD74HC597NSR
CD74HCT597E
CD74HCT597M
CD74HCT597MT
CD74HCT597M96
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC597
（ CERDIP ）
CD74HC597
（ PDIP ， SOIC ， SOP ）
CD74HCT597
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
D1 1
D2 2
D3 3
D4 4
D5 5
D6 6
D7 7
GND 8
16 V
CC
15 D0
14 D
S
13 PL
12 ST
CP
11 SH
CP
10 MR
9 Q7
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
工作原理图
DS
D0
D1
D2
并行
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
ST
CP
SH
CP
PL
MR
15
1
2
3
8 F/F
存储
注册。
5
4
6
7
12
11
13
10
9
Q7
8-BIT
移
注册。
14
功能表
ST
CP
↑
↑
没有时钟边沿
X
SH
CP
X
X
X
X
PL
X
L
L
L
MR
X
H
H
L
功能
数据加载到输入触发器
从输入移位寄存器加载数据
从输入传输数据FL IP- FL OPS到移位寄存器
无效的逻辑状态转移的，注册的时候不定
信号中去除
移位寄存器清零
移位寄存器时钟控制尺寸Qn = QN- 1 ， Q0 = D
S
X
X
X
↑
H
H
L
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理，
↑
=转型从低到高CP级别
2
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
64
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
25
o
C
民
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
民
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
D
S
D
n
PL ，MR
ST
CP
， SH
CP
单位负载
0.2
0.3
1.5
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气规范中规定的限制
表，例如， 360μA最大值。在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
SH
CP
频率
f
最大
2
4.5
6
6
30
35
-
-
-
-
-
-
5
25
29
-
-
-
-
-
-
4
20
23
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
符号
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
民
典型值
最大
单位
4
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
用于交换特定网络阳离子前提条件
（续）
25
o
C
参数
SH
CP
脉冲宽度
符号
t
W
V
CC
(V)
2
4.5
6
ST
CP
脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
PL脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
t
SU
2
4.5
6
D
S
以SH
CP
建立时间
D
n
以ST
CP
建立时间
t
SU
2
4.5
6
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
t
H
2
4.5
6
D
S
以SH
CP
保持时间
D
n
以ST
CP
保持时间
t
H
2
4.5
6
先生SH
CP
切除
时间
t
REM
2
4.5
6
HCT类型
SH
CP
频率
SH
CP
脉冲宽度
ST
CP
脉冲宽度
MR脉冲宽度
PL脉冲宽度
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
f
最大
t
W
t
W
t
W
t
W
t
SU
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
20
13
18
16
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
25
16
23
20
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
30
20
27
24
36
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
民
80
16
14
60
12
10
80
16
14
70
14
12
100
20
17
50
10
9
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
民
100
20
17
75
15
13
100
20
17
90
18
15
125
25
21
65
13
11
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
民
120
24
20
90
18
15
120
24
20
105
21
18
150
30
26
75
15
13
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
CD54HC597 ， CD74HC597 ，
CD74HCT597
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS191C
1998年1月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
具有输入存储的8位移位寄存器
描述
在“ HC597和CD74HCT597是高速硅栅
CMOS器件是引脚兼容的输入通道597
设备。每个器件包含一个8触发器输入寄存器
和一个8位的并行输入/串行输入，串行输出的移位寄存器。每
寄存器是由它自己的时钟来控制。在平行A“很低”
负载输入（ PL ）平行移动的数据存储到异步
移位寄存器。 “低”主输入（ MR）清除移位
注册。串行输入的数据也可以被同步地移动
通过移位寄存器，当PL为高。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC597
,
CD74
HCT59
7)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
异步并行加载
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC597F3A
CD74HC597E
CD74HC597M
CD74HC597MT
CD74HC597M96
CD74HC597NSR
CD74HCT597E
CD74HCT597M
CD74HCT597MT
CD74HCT597M96
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC597
（ CERDIP ）
CD74HC597
（ PDIP ， SOIC ， SOP ）
CD74HCT597
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
D1 1
D2 2
D3 3
D4 4
D5 5
D6 6
D7 7
GND 8
16 V
CC
15 D0
14 D
S
13 PL
12 ST
CP
11 SH
CP
10 MR
9 Q7
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
工作原理图
DS
D0
D1
D2
并行
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
ST
CP
SH
CP
PL
MR
15
1
2
3
8 F/F
存储
注册。
5
4
6
7
12
11
13
10
9
Q7
8-BIT
移
注册。
14
功能表
ST
CP
↑
↑
没有时钟边沿
X
SH
CP
X
X
X
X
PL
X
L
L
L
MR
X
H
H
L
功能
数据加载到输入触发器
从输入移位寄存器加载数据
从输入传输数据FL IP- FL OPS到移位寄存器
无效的逻辑状态转移的，注册的时候不定
信号中去除
移位寄存器清零
移位寄存器时钟控制尺寸Qn = QN- 1 ， Q0 = D
S
X
X
X
↑
H
H
L
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理，
↑
=转型从低到高CP级别
2
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
64
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
25
o
C
民
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
民
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
D
S
D
n
PL ，MR
ST
CP
， SH
CP
单位负载
0.2
0.3
1.5
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气规范中规定的限制
表，例如， 360μA最大值。在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
SH
CP
频率
f
最大
2
4.5
6
6
30
35
-
-
-
-
-
-
5
25
29
-
-
-
-
-
-
4
20
23
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
符号
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
民
典型值
最大
单位
4
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
用于交换特定网络阳离子前提条件
（续）
25
o
C
参数
SH
CP
脉冲宽度
符号
t
W
V
CC
(V)
2
4.5
6
ST
CP
脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
PL脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
t
SU
2
4.5
6
D
S
以SH
CP
建立时间
D
n
以ST
CP
建立时间
t
SU
2
4.5
6
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
t
H
2
4.5
6
D
S
以SH
CP
保持时间
D
n
以ST
CP
保持时间
t
H
2
4.5
6
先生SH
CP
切除
时间
t
REM
2
4.5
6
HCT类型
SH
CP
频率
SH
CP
脉冲宽度
ST
CP
脉冲宽度
MR脉冲宽度
PL脉冲宽度
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
f
最大
t
W
t
W
t
W
t
W
t
SU
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
20
13
18
16
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
25
16
23
20
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
30
20
27
24
36
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
民
80
16
14
60
12
10
80
16
14
70
14
12
100
20
17
50
10
9
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
民
100
20
17
75
15
13
100
20
17
90
18
15
125
25
21
65
13
11
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
民
120
24
20
90
18
15
120
24
20
105
21
18
150
30
26
75
15
13
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
CD54HC597 ， CD74HC597 ，
CD74HCT597
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS191C
1998年1月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
具有输入存储的8位移位寄存器
描述
在“ HC597和CD74HCT597是高速硅栅
CMOS器件是引脚兼容的输入通道597
设备。每个器件包含一个8触发器输入寄存器
和一个8位的并行输入/串行输入，串行输出的移位寄存器。每
寄存器是由它自己的时钟来控制。在平行A“很低”
负载输入（ PL ）平行移动的数据存储到异步
移位寄存器。 “低”主输入（ MR）清除移位
注册。串行输入的数据也可以被同步地移动
通过移位寄存器，当PL为高。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC597
,
CD74
HCT59
7)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
异步并行加载
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC597F3A
CD74HC597E
CD74HC597M
CD74HC597MT
CD74HC597M96
CD74HC597NSR
CD74HCT597E
CD74HCT597M
CD74HCT597MT
CD74HCT597M96
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC597
（ CERDIP ）
CD74HC597
（ PDIP ， SOIC ， SOP ）
CD74HCT597
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
D1 1
D2 2
D3 3
D4 4
D5 5
D6 6
D7 7
GND 8
16 V
CC
15 D0
14 D
S
13 PL
12 ST
CP
11 SH
CP
10 MR
9 Q7
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
工作原理图
DS
D0
D1
D2
并行
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
ST
CP
SH
CP
PL
MR
15
1
2
3
8 F/F
存储
注册。
5
4
6
7
12
11
13
10
9
Q7
8-BIT
移
注册。
14
功能表
ST
CP
↑
↑
没有时钟边沿
X
SH
CP
X
X
X
X
PL
X
L
L
L
MR
X
H
H
L
功能
数据加载到输入触发器
从输入移位寄存器加载数据
从输入传输数据FL IP- FL OPS到移位寄存器
无效的逻辑状态转移的，注册的时候不定
信号中去除
移位寄存器清零
移位寄存器时钟控制尺寸Qn = QN- 1 ， Q0 = D
S
X
X
X
↑
H
H
L
H
H =高电平， L =低电压等级， X = Do not护理，
↑
=转型从低到高CP级别
2
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
64
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
3
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
（MA ）
0
25
o
C
民
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
最大
80
民
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
D
S
D
n
PL ，MR
ST
CP
， SH
CP
单位负载
0.2
0.3
1.5
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气规范中规定的限制
表，例如， 360μA最大值。在25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
SH
CP
频率
f
最大
2
4.5
6
6
30
35
-
-
-
-
-
-
5
25
29
-
-
-
-
-
-
4
20
23
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
符号
V
CC
(V)
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
民
典型值
最大
单位
4
CD54HC597 ， CD74HC597 ， CD74HCT597
用于交换特定网络阳离子前提条件
（续）
25
o
C
参数
SH
CP
脉冲宽度
符号
t
W
V
CC
(V)
2
4.5
6
ST
CP
脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
PL脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
t
SU
2
4.5
6
D
S
以SH
CP
建立时间
D
n
以ST
CP
建立时间
t
SU
2
4.5
6
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
t
H
2
4.5
6
D
S
以SH
CP
保持时间
D
n
以ST
CP
保持时间
t
H
2
4.5
6
先生SH
CP
切除
时间
t
REM
2
4.5
6
HCT类型
SH
CP
频率
SH
CP
脉冲宽度
ST
CP
脉冲宽度
MR脉冲宽度
PL脉冲宽度
ST
CP
以SH
CP
格局
时间
f
最大
t
W
t
W
t
W
t
W
t
SU
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
25
20
13
18
16
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
25
16
23
20
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
30
20
27
24
36
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
民
80
16
14
60
12
10
80
16
14
70
14
12
100
20
17
50
10
9
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
民
100
20
17
75
15
13
100
20
17
90
18
15
125
25
21
65
13
11
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
民
120
24
20
90
18
15
120
24
20
105
21
18
150
30
26
75
15
13
0
0
0
3
3
3
3
3
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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