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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第563页 > CD54HC563F3A
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 ,
CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS187C
1998年1月 - 修订2003年7月
高速CMOS逻辑八路反相
透明锁存器,三态输出
描述
在“ HC533 ” HCT533 , “ HC563和CD74HCT563是
高速的八路透明锁存器制造的
硅栅CMOS技术。它们具有低功
标准的CMOS集成电路,以及消费
的能力以驱动15输入通道的设备。
输出是透明的输入时,锁存器
使能(LE)是高的。当锁存使能(LE)变低的
数据被锁存。输出使能(OE )控制
三态输出。当输出使能(OE )为高时
输出处于高阻抗状态。锁存操作
是独立的输出使能的状态。
的“ HC533和' HCT533是相同的在功能上与
“ HC563和CD74HCT563 ,但有不同的引脚。该
“ HC533和' HCT533类似于” HC373和' HCT373 ;
后者被非反相的类型。
特点
通用锁存使能控制
[ /标题
(CD74H
C533,
CD74H
CT533,
CD74H
C563,
CD74H
CT563)
/主题
(高
速度
通用三态输出使能控制
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C(数据到输出)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC533F3A
CD54HC563F3A
CD54HCT533F3A
CD74HC533E
CD74HC563E
CD74HC563M
CD74HCT533E
CD74HCT563E
CD74HCT563M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
引脚配置
CD54HC533 , CD54HCT533
( CERDIP )
CD74HC533 , CD74HCT533
( PDIP )
顶视图
OE 1
Q0 2
D0 3
D1 4
Q1 5
Q2 6
D2 7
D3 8
Q3 9
GND 10
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 LE
CD54HC563
( CERDIP )
CD74HC563 , CD74HCT563
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
D4 6
D5 7
D6 8
D7 9
GND 10
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
功能框图
HC/HCT533
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
真值表
OUTPUT ENABLE
L
L
L
L
H
LATCH ENABLE
H
H
L
L
X
数据
H
L
l
h
X
Q输出
L
H
H
L
Z
H =高电平, L =低电压等级,X =无关, Z =高阻态, L =低电压等级之前一个建立时间
高到低锁存使能过渡, H =高压一级建立时间的前高后低锁存使能转换之前。
2
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
-
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
-
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±5
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
(注2 )
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
D0 - D7
LE
OE
单位负载
0.15
0.30
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
建立时间的数据,以LE
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间,数据为LE
(533)
t
H
-
2
4.5
6
保持时间,数据为LE
(563)
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
LE脉冲宽度
建立时间的数据,以LE
保持时间,数据为LE ( 533 )
保持时间,数据为LE ( 563 )
t
w
t
w
t
H
t
H
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
数据至Qn
(HC563)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
LE至Qn
(HC533)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
LE至Qn
(HC563)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
16
10
8
5
-
-
-
-
-
-
-
-
20
13
10
5
-
-
-
-
24
15
12
5
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
80
16
14
50
10
9
35
7
6
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
65
13
11
45
9
8
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
75
15
13
55
11
7
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,
数据至Qn
(HC533)
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
13
-
-
-
12
-
-
-
14
-
-
-
13
165
33
28
-
150
30
26
-
175
35
30
-
165
33
28
-
205
41
35
-
190
38
33
-
220
44
37
-
205
41
35
-
250
50
43
-
225
45
38
-
265
53
45
-
250
50
43
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 ,
CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS187C
1998年1月 - 修订2003年7月
高速CMOS逻辑八路反相
透明锁存器,三态输出
描述
在“ HC533 ” HCT533 , “ HC563和CD74HCT563是
高速的八路透明锁存器制造的
硅栅CMOS技术。它们具有低功
标准的CMOS集成电路,以及消费
的能力以驱动15输入通道的设备。
输出是透明的输入时,锁存器
使能(LE)是高的。当锁存使能(LE)变低的
数据被锁存。输出使能(OE )控制
三态输出。当输出使能(OE )为高时
输出处于高阻抗状态。锁存操作
是独立的输出使能的状态。
的“ HC533和' HCT533是相同的在功能上与
“ HC563和CD74HCT563 ,但有不同的引脚。该
“ HC533和' HCT533类似于” HC373和' HCT373 ;
后者被非反相的类型。
特点
通用锁存使能控制
[ /标题
(CD74H
C533,
CD74H
CT533,
CD74H
C563,
CD74H
CT563)
/主题
(高
速度
通用三态输出使能控制
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C(数据到输出)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC533F3A
CD54HC563F3A
CD54HCT533F3A
CD74HC533E
CD74HC563E
CD74HC563M
CD74HCT533E
CD74HCT563E
CD74HCT563M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
引脚配置
CD54HC533 , CD54HCT533
( CERDIP )
CD74HC533 , CD74HCT533
( PDIP )
顶视图
OE 1
Q0 2
D0 3
D1 4
Q1 5
Q2 6
D2 7
D3 8
Q3 9
GND 10
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 LE
CD54HC563
( CERDIP )
CD74HC563 , CD74HCT563
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
D4 6
D5 7
D6 8
D7 9
GND 10
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
功能框图
HC/HCT533
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
真值表
OUTPUT ENABLE
L
L
L
L
H
LATCH ENABLE
H
H
L
L
X
数据
H
L
l
h
X
Q输出
L
H
H
L
Z
H =高电平, L =低电压等级,X =无关, Z =高阻态, L =低电压等级之前一个建立时间
高到低锁存使能过渡, H =高压一级建立时间的前高后低锁存使能转换之前。
2
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
-
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
-
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±5
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
(注2 )
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
D0 - D7
LE
OE
单位负载
0.15
0.30
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
建立时间的数据,以LE
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间,数据为LE
(533)
t
H
-
2
4.5
6
保持时间,数据为LE
(563)
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
LE脉冲宽度
建立时间的数据,以LE
保持时间,数据为LE ( 533 )
保持时间,数据为LE ( 563 )
t
w
t
w
t
H
t
H
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
数据至Qn
(HC563)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
LE至Qn
(HC533)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
LE至Qn
(HC563)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
16
10
8
5
-
-
-
-
-
-
-
-
20
13
10
5
-
-
-
-
24
15
12
5
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
80
16
14
50
10
9
35
7
6
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
65
13
11
45
9
8
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
75
15
13
55
11
7
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,
数据至Qn
(HC533)
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
13
-
-
-
12
-
-
-
14
-
-
-
13
165
33
28
-
150
30
26
-
175
35
30
-
165
33
28
-
205
41
35
-
190
38
33
-
220
44
37
-
205
41
35
-
250
50
43
-
225
45
38
-
265
53
45
-
250
50
43
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 ,
CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS187C
1998年1月 - 修订2003年7月
高速CMOS逻辑八路反相
透明锁存器,三态输出
描述
在“ HC533 ” HCT533 , “ HC563和CD74HCT563是
高速的八路透明锁存器制造的
硅栅CMOS技术。它们具有低功
标准的CMOS集成电路,以及消费
的能力以驱动15输入通道的设备。
输出是透明的输入时,锁存器
使能(LE)是高的。当锁存使能(LE)变低的
数据被锁存。输出使能(OE )控制
三态输出。当输出使能(OE )为高时
输出处于高阻抗状态。锁存操作
是独立的输出使能的状态。
的“ HC533和' HCT533是相同的在功能上与
“ HC563和CD74HCT563 ,但有不同的引脚。该
“ HC533和' HCT533类似于” HC373和' HCT373 ;
后者被非反相的类型。
特点
通用锁存使能控制
[ /标题
(CD74H
C533,
CD74H
CT533,
CD74H
C563,
CD74H
CT563)
/主题
(高
速度
通用三态输出使能控制
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C(数据到输出)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC533F3A
CD54HC563F3A
CD54HCT533F3A
CD74HC533E
CD74HC563E
CD74HC563M
CD74HCT533E
CD74HCT563E
CD74HCT563M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
引脚配置
CD54HC533 , CD54HCT533
( CERDIP )
CD74HC533 , CD74HCT533
( PDIP )
顶视图
OE 1
Q0 2
D0 3
D1 4
Q1 5
Q2 6
D2 7
D3 8
Q3 9
GND 10
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 LE
CD54HC563
( CERDIP )
CD74HC563 , CD74HCT563
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
D4 6
D5 7
D6 8
D7 9
GND 10
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
功能框图
HC/HCT533
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
真值表
OUTPUT ENABLE
L
L
L
L
H
LATCH ENABLE
H
H
L
L
X
数据
H
L
l
h
X
Q输出
L
H
H
L
Z
H =高电平, L =低电压等级,X =无关, Z =高阻态, L =低电压等级之前一个建立时间
高到低锁存使能过渡, H =高压一级建立时间的前高后低锁存使能转换之前。
2
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
-
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
-
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±5
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
(注2 )
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
D0 - D7
LE
OE
单位负载
0.15
0.30
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
建立时间的数据,以LE
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间,数据为LE
(533)
t
H
-
2
4.5
6
保持时间,数据为LE
(563)
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
LE脉冲宽度
建立时间的数据,以LE
保持时间,数据为LE ( 533 )
保持时间,数据为LE ( 563 )
t
w
t
w
t
H
t
H
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
数据至Qn
(HC563)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
LE至Qn
(HC533)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
LE至Qn
(HC563)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
16
10
8
5
-
-
-
-
-
-
-
-
20
13
10
5
-
-
-
-
24
15
12
5
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
80
16
14
50
10
9
35
7
6
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
65
13
11
45
9
8
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
75
15
13
55
11
7
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,
数据至Qn
(HC533)
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
13
-
-
-
12
-
-
-
14
-
-
-
13
165
33
28
-
150
30
26
-
175
35
30
-
165
33
28
-
205
41
35
-
190
38
33
-
220
44
37
-
205
41
35
-
250
50
43
-
225
45
38
-
265
53
45
-
250
50
43
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 ,
CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS187C
1998年1月 - 修订2003年7月
高速CMOS逻辑八路反相
透明锁存器,三态输出
描述
在“ HC533 ” HCT533 , “ HC563和CD74HCT563是
高速的八路透明锁存器制造的
硅栅CMOS技术。它们具有低功
标准的CMOS集成电路,以及消费
的能力以驱动15输入通道的设备。
输出是透明的输入时,锁存器
使能(LE)是高的。当锁存使能(LE)变低的
数据被锁存。输出使能(OE )控制
三态输出。当输出使能(OE )为高时
输出处于高阻抗状态。锁存操作
是独立的输出使能的状态。
的“ HC533和' HCT533是相同的在功能上与
“ HC563和CD74HCT563 ,但有不同的引脚。该
“ HC533和' HCT533类似于” HC373和' HCT373 ;
后者被非反相的类型。
特点
通用锁存使能控制
[ /标题
(CD74H
C533,
CD74H
CT533,
CD74H
C563,
CD74H
CT563)
/主题
(高
速度
通用三态输出使能控制
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C(数据到输出)
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC533F3A
CD54HC563F3A
CD54HCT533F3A
CD74HC533E
CD74HC563E
CD74HC563M
CD74HCT533E
CD74HCT563E
CD74HCT563M
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
引脚配置
CD54HC533 , CD54HCT533
( CERDIP )
CD74HC533 , CD74HCT533
( PDIP )
顶视图
OE 1
Q0 2
D0 3
D1 4
Q1 5
Q2 6
D2 7
D3 8
Q3 9
GND 10
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 LE
CD54HC563
( CERDIP )
CD74HC563 , CD74HCT563
( PDIP , SOIC )
顶视图
OE 1
D0 2
D1 3
D2 4
D3 5
D4 6
D5 7
D6 8
D7 9
GND 10
20 V
CC
19 Q0
18 Q1
17 Q2
16 Q3
15 Q4
14 Q5
13 Q6
12 Q7
11 LE
功能框图
HC/HCT533
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
G
LE
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
D
G
O
OE
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
真值表
OUTPUT ENABLE
L
L
L
L
H
LATCH ENABLE
H
H
L
L
X
数据
H
L
l
h
X
Q输出
L
H
H
L
Z
H =高电平, L =低电压等级,X =无关, Z =高阻态, L =低电压等级之前一个建立时间
高到低锁存使能过渡, H =高压一级建立时间的前高后低锁存使能转换之前。
2
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
69
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
58
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
-
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
-
V
I
(V)
V
IL
or
V
IH
I
O
(毫安)V
CC
(V)
V
O
=
V
CC
or
GND
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.5
-40
o
C至85
o
C
-
最大
±5
-55
o
C至125
o
C
-
最大
±10
单位
A
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
(注2 )
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
D0 - D7
LE
OE
单位负载
0.15
0.30
0.55
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,例如, 360μA最大值在25
o
C.
4
CD54 / 74HC533 , CD54 / 74HCT533 , CD54 / 74HC563 , CD74HCT563
用于交换特定网络阳离子前提条件
参数
HC类型
LE脉冲宽度
t
W
-
2
4.5
6
建立时间的数据,以LE
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间,数据为LE
(533)
t
H
-
2
4.5
6
保持时间,数据为LE
(563)
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
LE脉冲宽度
建立时间的数据,以LE
保持时间,数据为LE ( 533 )
保持时间,数据为LE ( 563 )
t
w
t
w
t
H
t
H
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
数据至Qn
(HC563)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
LE至Qn
(HC533)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
传播延迟,
LE至Qn
(HC563)
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
5
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
16
10
8
5
-
-
-
-
-
-
-
-
20
13
10
5
-
-
-
-
24
15
12
5
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
80
16
14
50
10
9
35
7
6
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
17
65
13
11
45
9
8
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
24
20
75
15
13
55
11
7
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟,
数据至Qn
(HC533)
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
13
-
-
-
12
-
-
-
14
-
-
-
13
165
33
28
-
150
30
26
-
175
35
30
-
165
33
28
-
205
41
35
-
190
38
33
-
220
44
37
-
205
41
35
-
250
50
43
-
225
45
38
-
265
53
45
-
250
50
43
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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联系人:朱
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