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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第545页 > CD54HC541F3A
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ，
CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS189C
1998年1月 - 修订2004年7月
高速CMOS逻辑器件
八路缓冲器和线路驱动器，三态
描述
在“ HC540和CD74HCT540是反相八路缓冲器
并线与三态输出和驱动能力
开车15 LSTTL负载。在“ HC541和” HCT541是非
反向八路缓冲器和线路与三态输出驱动器
使能驱动15个LSTTL负载。输出启用
（ OE1 ）和（ OE2 ）控制的三态输出。如果任
OE1或OE2为高电平的输出将是高阻抗
ANCE状态。对于数据输出OE1和OE2两者都必须是低的。
特点
“ HC540 ， CD74HCT540 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。反相
[ /标题
(CD74
HC540
,
CD74
HCT54
0,
CD74
HC541
,
CD74
HCT54
“ HC541 ” HCT541 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。非反相
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 9ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC540F3A
CD54HC541F3A
CD54HCT541F3A
CD74HC540E
CD74HC540M
CD74HC540M96
CD74HC541E
CD74HC541M
CD74HC541M96
CD74HC541PW
CD74HC541PWR
CD74HCT540E
CD74HCT540M
CD74HCT540M96
CD74HCT541E
CD74HCT541M
CD74HCT541M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
引脚配置
CD54HC540
（ CERDIP ）
CD74HC540 ， CD74HCT540
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
CD54HC541 ， CD54HCT541
（ CERDIP ）
CD74HC541
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
CD74HCT541
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
GND 10
GND 10
工作原理图
OE
A
OE
B
540
D
0
Y
0
541
Y
0
D
1
Y
1
Y
1
D
2
Y
2
Y
2
D
3
Y
3
Y
3
D
4
Y
4
Y
4
D
5
Y
5
Y
5
D
6
Y
6
Y
6
D
7
Y
7
Y
7
2
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
真值表
输入
OE1
L
H
X
L
OE2
L
X
H
L
An
H
X
X
L
540
L
Z
Z
H
输出
541
H
Z
Z
L
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
3
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
（MA ）
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
民
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
80
±5.0
民
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5.0
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
（注2 ）
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
A0 - A7
OE2
OE1
HCT540
1
0.75
1.15
HCT541
0.4
0.75
1.15
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表，例如， 360μA最大值。在25
o
C.
5
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ，
CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS189C
1998年1月 - 修订2004年7月
高速CMOS逻辑器件
八路缓冲器和线路驱动器，三态
描述
在“ HC540和CD74HCT540是反相八路缓冲器
并线与三态输出和驱动能力
开车15 LSTTL负载。在“ HC541和” HCT541是非
反向八路缓冲器和线路与三态输出驱动器
使能驱动15个LSTTL负载。输出启用
（ OE1 ）和（ OE2 ）控制的三态输出。如果任
OE1或OE2为高电平的输出将是高阻抗
ANCE状态。对于数据输出OE1和OE2两者都必须是低的。
特点
“ HC540 ， CD74HCT540 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。反相
[ /标题
(CD74
HC540
,
CD74
HCT54
0,
CD74
HC541
,
CD74
HCT54
“ HC541 ” HCT541 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。非反相
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 9ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC540F3A
CD54HC541F3A
CD54HCT541F3A
CD74HC540E
CD74HC540M
CD74HC540M96
CD74HC541E
CD74HC541M
CD74HC541M96
CD74HC541PW
CD74HC541PWR
CD74HCT540E
CD74HCT540M
CD74HCT540M96
CD74HCT541E
CD74HCT541M
CD74HCT541M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
引脚配置
CD54HC540
（ CERDIP ）
CD74HC540 ， CD74HCT540
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
CD54HC541 ， CD54HCT541
（ CERDIP ）
CD74HC541
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
CD74HCT541
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
GND 10
GND 10
工作原理图
OE
A
OE
B
540
D
0
Y
0
541
Y
0
D
1
Y
1
Y
1
D
2
Y
2
Y
2
D
3
Y
3
Y
3
D
4
Y
4
Y
4
D
5
Y
5
Y
5
D
6
Y
6
Y
6
D
7
Y
7
Y
7
2
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
真值表
输入
OE1
L
H
X
L
OE2
L
X
H
L
An
H
X
X
L
540
L
Z
Z
H
输出
541
H
Z
Z
L
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
3
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
（MA ）
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
民
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
80
±5.0
民
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5.0
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
（注2 ）
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
A0 - A7
OE2
OE1
HCT540
1
0.75
1.15
HCT541
0.4
0.75
1.15
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表，例如， 360μA最大值。在25
o
C.
5
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ，
CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS189C
1998年1月 - 修订2004年7月
高速CMOS逻辑器件
八路缓冲器和线路驱动器，三态
描述
在“ HC540和CD74HCT540是反相八路缓冲器
并线与三态输出和驱动能力
开车15 LSTTL负载。在“ HC541和” HCT541是非
反向八路缓冲器和线路与三态输出驱动器
使能驱动15个LSTTL负载。输出启用
（ OE1 ）和（ OE2 ）控制的三态输出。如果任
OE1或OE2为高电平的输出将是高阻抗
ANCE状态。对于数据输出OE1和OE2两者都必须是低的。
特点
“ HC540 ， CD74HCT540 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。反相
[ /标题
(CD74
HC540
,
CD74
HCT54
0,
CD74
HC541
,
CD74
HCT54
“ HC541 ” HCT541 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。非反相
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 9ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC540F3A
CD54HC541F3A
CD54HCT541F3A
CD74HC540E
CD74HC540M
CD74HC540M96
CD74HC541E
CD74HC541M
CD74HC541M96
CD74HC541PW
CD74HC541PWR
CD74HCT540E
CD74HCT540M
CD74HCT540M96
CD74HCT541E
CD74HCT541M
CD74HCT541M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
引脚配置
CD54HC540
（ CERDIP ）
CD74HC540 ， CD74HCT540
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
CD54HC541 ， CD54HCT541
（ CERDIP ）
CD74HC541
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
CD74HCT541
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
GND 10
GND 10
工作原理图
OE
A
OE
B
540
D
0
Y
0
541
Y
0
D
1
Y
1
Y
1
D
2
Y
2
Y
2
D
3
Y
3
Y
3
D
4
Y
4
Y
4
D
5
Y
5
Y
5
D
6
Y
6
Y
6
D
7
Y
7
Y
7
2
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
真值表
输入
OE1
L
H
X
L
OE2
L
X
H
L
An
H
X
X
L
540
L
Z
Z
H
输出
541
H
Z
Z
L
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
3
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
（MA ）
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
民
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
80
±5.0
民
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5.0
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
（注2 ）
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
A0 - A7
OE2
OE1
HCT540
1
0.75
1.15
HCT541
0.4
0.75
1.15
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表，例如， 360μA最大值。在25
o
C.
5
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ，
CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS189C
1998年1月 - 修订2004年7月
高速CMOS逻辑器件
八路缓冲器和线路驱动器，三态
描述
在“ HC540和CD74HCT540是反相八路缓冲器
并线与三态输出和驱动能力
开车15 LSTTL负载。在“ HC541和” HCT541是非
反向八路缓冲器和线路与三态输出驱动器
使能驱动15个LSTTL负载。输出启用
（ OE1 ）和（ OE2 ）控制的三态输出。如果任
OE1或OE2为高电平的输出将是高阻抗
ANCE状态。对于数据输出OE1和OE2两者都必须是低的。
特点
“ HC540 ， CD74HCT540 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。反相
[ /标题
(CD74
HC540
,
CD74
HCT54
0,
CD74
HC541
,
CD74
HCT54
“ HC541 ” HCT541 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。非反相
缓冲输入
三态输出
公交线路驱动能力
典型传播延迟= 9ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC540F3A
CD54HC541F3A
CD54HCT541F3A
CD74HC540E
CD74HC540M
CD74HC540M96
CD74HC541E
CD74HC541M
CD74HC541M96
CD74HC541PW
CD74HC541PWR
CD74HCT540E
CD74HCT540M
CD74HCT540M96
CD74HCT541E
CD74HCT541M
CD74HCT541M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的CERDIP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的TSSOP
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
20 Ld的PDIP
20 Ld的SOIC
20 Ld的SOIC
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
1
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
引脚配置
CD54HC540
（ CERDIP ）
CD74HC540 ， CD74HCT540
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
CD54HC541 ， CD54HCT541
（ CERDIP ）
CD74HC541
（ PDIP ， SOIC ， TSSOP ）
CD74HCT541
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 OE2
18 Y0
17 Y1
16 Y2
15 Y3
14 Y4
13 Y5
12 Y6
11 Y7
GND 10
GND 10
工作原理图
OE
A
OE
B
540
D
0
Y
0
541
Y
0
D
1
Y
1
Y
1
D
2
Y
2
Y
2
D
3
Y
3
Y
3
D
4
Y
4
Y
4
D
5
Y
5
Y
5
D
6
Y
6
Y
6
D
7
Y
7
Y
7
2
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
真值表
输入
OE1
L
H
X
L
OE2
L
X
H
L
An
H
X
X
L
540
L
Z
Z
H
输出
541
H
Z
Z
L
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
3
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 83
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
-
6
7.8
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
（MA ）
V
CC
(V)
25
o
C
民
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC540 ， CD74HCT540 ， CD54 / 74HC541 ， CD54 / 74HCT541
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
（MA ）
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
民
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
80
±5.0
民
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5.0
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
（注2 ）
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
单位负载
输入
A0 - A7
OE2
OE1
HCT540
1
0.75
1.15
HCT541
0.4
0.75
1.15
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络
表，例如， 360μA最大值。在25
o
C.
5
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CAT25C16YE
CD4825D1VRH
CD214B-B220
CPCC-10
CY7C1334-133AC
CVCO55CC-0775-0800
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