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CD54HC4060 , CD74HC4060 ,
CD54HCT4060 , CD74HCT4060
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS207G
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
14级二进制计数器与振荡器
的负跳变
φI
(和
φO).
所有输入和输出
被缓冲。对输入脉冲线施密特触发器动作
允许无限上升和下降时间。
为了达到在振荡器对称波形
部的HCT4060输入脉冲开关点是相同的
如在HC4060 ;仅在HCT4060 MR输入有
TTL开关电平。
特点
板载振荡器
[ /标题
(CD74
HC406
0,
CD74
HCT40
60)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
通用复位
负沿时钟
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4060F3A
CD54HCT4060F3A
CD74HC4060E
CD74HC4060M
CD74HC4060MT
CD74HC4060M96
CD74HC4060PW
CD74HC4060PWR
CD74HC4060PWT
CD74HCT4060E
CD74HCT4060M
CD74HCT4060MT
CD74HCT4060M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的' HC4060和' HCT4060各由一个振荡器
第14纹波进行二进制计数器阶段。该
振荡器CON组fi guration允许使用RC或晶体的设计
振荡电路。主复位输入提供了
将计数器复位为全0的状态和禁用
振荡器。高水平的MR线完成复位
功能。所有的柜台阶段是主从IP- FL佛罗里达州欢声笑语。该
计数器的状态是先进的二进制顺序一步上
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4060 , CD54HCT4060 ( CERDIP )
CD74HC4060 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4060 ( PDIP , SOIC )
顶视图
Q12 1
Q13 2
Q14 3
Q6 4
Q5 5
Q7 6
Q4 7
GND 8
16 V
CC
15 Q10
14 Q8
13 Q9
12 MR
11
φI
10
φO
9
φO
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
工作原理图
7
Q4
5
Q5
12
MR
4
Q6
6
Q7
14-STAGE
纹波
计数器
振荡器
14
Q8
13
Q9
15
Q10
1
Q12
2
Q13
3
Q14
9
10
GND = 8
V
CC
= 16
φ
I
11
φ
O
φ
O
O
O
1
9
1
10
11
Q1
4
Q4
5
Q13
14
Q14
FF1
FF4
FF5 - FF13
FF14
1
R
Q1
4
R
Q4
5
R
Q13
14
Q14
R
MR
12
7
2
Q14
3
Q4 5, 4, 6, 14, 13, 15, 1 Q13
Q5 - Q10, Q12
图1.逻辑框图
真值表
I
X
MR
L
L
H
输出状态
没有变化
前进到下一个状态
所有的输出为低
2
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
108
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-0.02
-0.02
-0.02
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
(注3)
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
OH
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
-2.6
-3.3
25
o
C
3.98
5.48
典型值
-
-
最大
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3.84
5.34
最大
-
-
3.7
5.2
最大
-
-
单位
V
V
V
CC
(V)
4.5
6
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
0.02
0.02
2
4.5
6
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
OL
V
CC
or
GND
2.6
3.3
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
-4.2
4.5
6
3.98
5.48
-
-
-
-
3.84
5.34
-
-
3.7
5.2
-
-
V
V
V
OL
V
IL
或V
IH
-2.6
-3.3
4.5
6
-
-
-
-
0.26
0.26
-
-
0.33
0.33
-
-
0.4
0.4
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
-
0
6
6
-
-
-
-
±0.1
8
-
-
±1
80
-
-
±1
160
A
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-0.02
4.5
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
V
OH
V
CC
or
GND
-2.6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
符号
V
OL
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
2.6
25
o
C
-
典型值
-
最大
0.26
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
0.33
-
最大
0.4
单位
V
V
CC
(V)
4.5
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
3.2
4.5
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
I
I
任何
电压
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
I
CC
I
CC
(注4 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
8
360
-
-
80
450
-
-
160
490
A
A
2.限制无效时,销12 (而不是引脚11 )作为控制输入。
3.对于销11 V
IH
= 3.15V, V
IL
= 0.9V.
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
MR
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大输入脉冲
频率
f
最大
2
4.5
6
输入脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
5
CD54HC4060 , CD74HC4060 ,
CD54HCT4060 , CD74HCT4060
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS207G
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
14级二进制计数器与振荡器
的负跳变
φI
(和
φO).
所有输入和输出
被缓冲。对输入脉冲线施密特触发器动作
允许无限上升和下降时间。
为了达到在振荡器对称波形
部的HCT4060输入脉冲开关点是相同的
如在HC4060 ;仅在HCT4060 MR输入有
TTL开关电平。
特点
板载振荡器
[ /标题
(CD74
HC406
0,
CD74
HCT40
60)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
通用复位
负沿时钟
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4060F3A
CD54HCT4060F3A
CD74HC4060E
CD74HC4060M
CD74HC4060MT
CD74HC4060M96
CD74HC4060PW
CD74HC4060PWR
CD74HC4060PWT
CD74HCT4060E
CD74HCT4060M
CD74HCT4060MT
CD74HCT4060M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的' HC4060和' HCT4060各由一个振荡器
第14纹波进行二进制计数器阶段。该
振荡器CON组fi guration允许使用RC或晶体的设计
振荡电路。主复位输入提供了
将计数器复位为全0的状态和禁用
振荡器。高水平的MR线完成复位
功能。所有的柜台阶段是主从IP- FL佛罗里达州欢声笑语。该
计数器的状态是先进的二进制顺序一步上
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4060 , CD54HCT4060 ( CERDIP )
CD74HC4060 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4060 ( PDIP , SOIC )
顶视图
Q12 1
Q13 2
Q14 3
Q6 4
Q5 5
Q7 6
Q4 7
GND 8
16 V
CC
15 Q10
14 Q8
13 Q9
12 MR
11
φI
10
φO
9
φO
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
工作原理图
7
Q4
5
Q5
12
MR
4
Q6
6
Q7
14-STAGE
纹波
计数器
振荡器
14
Q8
13
Q9
15
Q10
1
Q12
2
Q13
3
Q14
9
10
GND = 8
V
CC
= 16
φ
I
11
φ
O
φ
O
O
O
1
9
1
10
11
Q1
4
Q4
5
Q13
14
Q14
FF1
FF4
FF5 - FF13
FF14
1
R
Q1
4
R
Q4
5
R
Q13
14
Q14
R
MR
12
7
2
Q14
3
Q4 5, 4, 6, 14, 13, 15, 1 Q13
Q5 - Q10, Q12
图1.逻辑框图
真值表
I
X
MR
L
L
H
输出状态
没有变化
前进到下一个状态
所有的输出为低
2
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
108
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-0.02
-0.02
-0.02
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
(注3)
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
OH
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
-2.6
-3.3
25
o
C
3.98
5.48
典型值
-
-
最大
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3.84
5.34
最大
-
-
3.7
5.2
最大
-
-
单位
V
V
V
CC
(V)
4.5
6
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
0.02
0.02
2
4.5
6
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
OL
V
CC
or
GND
2.6
3.3
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
-4.2
4.5
6
3.98
5.48
-
-
-
-
3.84
5.34
-
-
3.7
5.2
-
-
V
V
V
OL
V
IL
或V
IH
-2.6
-3.3
4.5
6
-
-
-
-
0.26
0.26
-
-
0.33
0.33
-
-
0.4
0.4
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
-
0
6
6
-
-
-
-
±0.1
8
-
-
±1
80
-
-
±1
160
A
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-0.02
4.5
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
V
OH
V
CC
or
GND
-2.6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
符号
V
OL
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
2.6
25
o
C
-
典型值
-
最大
0.26
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
0.33
-
最大
0.4
单位
V
V
CC
(V)
4.5
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
3.2
4.5
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
I
I
任何
电压
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
I
CC
I
CC
(注4 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
8
360
-
-
80
450
-
-
160
490
A
A
2.限制无效时,销12 (而不是引脚11 )作为控制输入。
3.对于销11 V
IH
= 3.15V, V
IL
= 0.9V.
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
MR
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大输入脉冲
频率
f
最大
2
4.5
6
输入脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
5
CD54HC4060 , CD74HC4060 ,
CD54HCT4060 , CD74HCT4060
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS207G
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
14级二进制计数器与振荡器
的负跳变
φI
(和
φO).
所有输入和输出
被缓冲。对输入脉冲线施密特触发器动作
允许无限上升和下降时间。
为了达到在振荡器对称波形
部的HCT4060输入脉冲开关点是相同的
如在HC4060 ;仅在HCT4060 MR输入有
TTL开关电平。
特点
板载振荡器
[ /标题
(CD74
HC406
0,
CD74
HCT40
60)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
通用复位
负沿时钟
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4060F3A
CD54HCT4060F3A
CD74HC4060E
CD74HC4060M
CD74HC4060MT
CD74HC4060M96
CD74HC4060PW
CD74HC4060PWR
CD74HC4060PWT
CD74HCT4060E
CD74HCT4060M
CD74HCT4060MT
CD74HCT4060M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的' HC4060和' HCT4060各由一个振荡器
第14纹波进行二进制计数器阶段。该
振荡器CON组fi guration允许使用RC或晶体的设计
振荡电路。主复位输入提供了
将计数器复位为全0的状态和禁用
振荡器。高水平的MR线完成复位
功能。所有的柜台阶段是主从IP- FL佛罗里达州欢声笑语。该
计数器的状态是先进的二进制顺序一步上
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4060 , CD54HCT4060 ( CERDIP )
CD74HC4060 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4060 ( PDIP , SOIC )
顶视图
Q12 1
Q13 2
Q14 3
Q6 4
Q5 5
Q7 6
Q4 7
GND 8
16 V
CC
15 Q10
14 Q8
13 Q9
12 MR
11
φI
10
φO
9
φO
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
工作原理图
7
Q4
5
Q5
12
MR
4
Q6
6
Q7
14-STAGE
纹波
计数器
振荡器
14
Q8
13
Q9
15
Q10
1
Q12
2
Q13
3
Q14
9
10
GND = 8
V
CC
= 16
φ
I
11
φ
O
φ
O
O
O
1
9
1
10
11
Q1
4
Q4
5
Q13
14
Q14
FF1
FF4
FF5 - FF13
FF14
1
R
Q1
4
R
Q4
5
R
Q13
14
Q14
R
MR
12
7
2
Q14
3
Q4 5, 4, 6, 14, 13, 15, 1 Q13
Q5 - Q10, Q12
图1.逻辑框图
真值表
I
X
MR
L
L
H
输出状态
没有变化
前进到下一个状态
所有的输出为低
2
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
108
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-0.02
-0.02
-0.02
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
(注3)
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
OH
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
-2.6
-3.3
25
o
C
3.98
5.48
典型值
-
-
最大
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3.84
5.34
最大
-
-
3.7
5.2
最大
-
-
单位
V
V
V
CC
(V)
4.5
6
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
0.02
0.02
2
4.5
6
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
OL
V
CC
or
GND
2.6
3.3
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
-4.2
4.5
6
3.98
5.48
-
-
-
-
3.84
5.34
-
-
3.7
5.2
-
-
V
V
V
OL
V
IL
或V
IH
-2.6
-3.3
4.5
6
-
-
-
-
0.26
0.26
-
-
0.33
0.33
-
-
0.4
0.4
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
-
0
6
6
-
-
-
-
±0.1
8
-
-
±1
80
-
-
±1
160
A
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-0.02
4.5
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
V
OH
V
CC
or
GND
-2.6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
符号
V
OL
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
2.6
25
o
C
-
典型值
-
最大
0.26
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
0.33
-
最大
0.4
单位
V
V
CC
(V)
4.5
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
3.2
4.5
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
I
I
任何
电压
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
I
CC
I
CC
(注4 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
8
360
-
-
80
450
-
-
160
490
A
A
2.限制无效时,销12 (而不是引脚11 )作为控制输入。
3.对于销11 V
IH
= 3.15V, V
IL
= 0.9V.
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
MR
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大输入脉冲
频率
f
最大
2
4.5
6
输入脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
5
CD54HC4060 , CD74HC4060 ,
CD54HCT4060 , CD74HCT4060
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS207G
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
14级二进制计数器与振荡器
的负跳变
φI
(和
φO).
所有输入和输出
被缓冲。对输入脉冲线施密特触发器动作
允许无限上升和下降时间。
为了达到在振荡器对称波形
部的HCT4060输入脉冲开关点是相同的
如在HC4060 ;仅在HCT4060 MR输入有
TTL开关电平。
特点
板载振荡器
[ /标题
(CD74
HC406
0,
CD74
HCT40
60)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
通用复位
负沿时钟
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4060F3A
CD54HCT4060F3A
CD74HC4060E
CD74HC4060M
CD74HC4060MT
CD74HC4060M96
CD74HC4060PW
CD74HC4060PWR
CD74HC4060PWT
CD74HCT4060E
CD74HCT4060M
CD74HCT4060MT
CD74HCT4060M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的' HC4060和' HCT4060各由一个振荡器
第14纹波进行二进制计数器阶段。该
振荡器CON组fi guration允许使用RC或晶体的设计
振荡电路。主复位输入提供了
将计数器复位为全0的状态和禁用
振荡器。高水平的MR线完成复位
功能。所有的柜台阶段是主从IP- FL佛罗里达州欢声笑语。该
计数器的状态是先进的二进制顺序一步上
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4060 , CD54HCT4060 ( CERDIP )
CD74HC4060 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4060 ( PDIP , SOIC )
顶视图
Q12 1
Q13 2
Q14 3
Q6 4
Q5 5
Q7 6
Q4 7
GND 8
16 V
CC
15 Q10
14 Q8
13 Q9
12 MR
11
φI
10
φO
9
φO
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
工作原理图
7
Q4
5
Q5
12
MR
4
Q6
6
Q7
14-STAGE
纹波
计数器
振荡器
14
Q8
13
Q9
15
Q10
1
Q12
2
Q13
3
Q14
9
10
GND = 8
V
CC
= 16
φ
I
11
φ
O
φ
O
O
O
1
9
1
10
11
Q1
4
Q4
5
Q13
14
Q14
FF1
FF4
FF5 - FF13
FF14
1
R
Q1
4
R
Q4
5
R
Q13
14
Q14
R
MR
12
7
2
Q14
3
Q4 5, 4, 6, 14, 13, 15, 1 Q13
Q5 - Q10, Q12
图1.逻辑框图
真值表
I
X
MR
L
L
H
输出状态
没有变化
前进到下一个状态
所有的输出为低
2
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
108
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-0.02
-0.02
-0.02
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
(注3)
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
OH
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
-2.6
-3.3
25
o
C
3.98
5.48
典型值
-
-
最大
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3.84
5.34
最大
-
-
3.7
5.2
最大
-
-
单位
V
V
V
CC
(V)
4.5
6
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
0.02
0.02
2
4.5
6
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
OL
V
CC
or
GND
2.6
3.3
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
-4.2
4.5
6
3.98
5.48
-
-
-
-
3.84
5.34
-
-
3.7
5.2
-
-
V
V
V
OL
V
IL
或V
IH
-2.6
-3.3
4.5
6
-
-
-
-
0.26
0.26
-
-
0.33
0.33
-
-
0.4
0.4
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
-
0
6
6
-
-
-
-
±0.1
8
-
-
±1
80
-
-
±1
160
A
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-0.02
4.5
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
V
OH
V
CC
or
GND
-2.6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
符号
V
OL
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
2.6
25
o
C
-
典型值
-
最大
0.26
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
0.33
-
最大
0.4
单位
V
V
CC
(V)
4.5
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
3.2
4.5
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
I
I
任何
电压
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
I
CC
I
CC
(注4 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
8
360
-
-
80
450
-
-
160
490
A
A
2.限制无效时,销12 (而不是引脚11 )作为控制输入。
3.对于销11 V
IH
= 3.15V, V
IL
= 0.9V.
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
MR
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大输入脉冲
频率
f
最大
2
4.5
6
输入脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
5
CD54HC4060 , CD74HC4060 ,
CD54HCT4060 , CD74HCT4060
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS207G
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
14级二进制计数器与振荡器
的负跳变
φI
(和
φO).
所有输入和输出
被缓冲。对输入脉冲线施密特触发器动作
允许无限上升和下降时间。
为了达到在振荡器对称波形
部的HCT4060输入脉冲开关点是相同的
如在HC4060 ;仅在HCT4060 MR输入有
TTL开关电平。
特点
板载振荡器
[ /标题
(CD74
HC406
0,
CD74
HCT40
60)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
通用复位
负沿时钟
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4060F3A
CD54HCT4060F3A
CD74HC4060E
CD74HC4060M
CD74HC4060MT
CD74HC4060M96
CD74HC4060PW
CD74HC4060PWR
CD74HC4060PWT
CD74HCT4060E
CD74HCT4060M
CD74HCT4060MT
CD74HCT4060M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的' HC4060和' HCT4060各由一个振荡器
第14纹波进行二进制计数器阶段。该
振荡器CON组fi guration允许使用RC或晶体的设计
振荡电路。主复位输入提供了
将计数器复位为全0的状态和禁用
振荡器。高水平的MR线完成复位
功能。所有的柜台阶段是主从IP- FL佛罗里达州欢声笑语。该
计数器的状态是先进的二进制顺序一步上
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4060 , CD54HCT4060 ( CERDIP )
CD74HC4060 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4060 ( PDIP , SOIC )
顶视图
Q12 1
Q13 2
Q14 3
Q6 4
Q5 5
Q7 6
Q4 7
GND 8
16 V
CC
15 Q10
14 Q8
13 Q9
12 MR
11
φI
10
φO
9
φO
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
工作原理图
7
Q4
5
Q5
12
MR
4
Q6
6
Q7
14-STAGE
纹波
计数器
振荡器
14
Q8
13
Q9
15
Q10
1
Q12
2
Q13
3
Q14
9
10
GND = 8
V
CC
= 16
φ
I
11
φ
O
φ
O
O
O
1
9
1
10
11
Q1
4
Q4
5
Q13
14
Q14
FF1
FF4
FF5 - FF13
FF14
1
R
Q1
4
R
Q4
5
R
Q13
14
Q14
R
MR
12
7
2
Q14
3
Q4 5, 4, 6, 14, 13, 15, 1 Q13
Q5 - Q10, Q12
图1.逻辑框图
真值表
I
X
MR
L
L
H
输出状态
没有变化
前进到下一个状态
所有的输出为低
2
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
108
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-0.02
-0.02
-0.02
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
(注3)
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
OH
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
-2.6
-3.3
25
o
C
3.98
5.48
典型值
-
-
最大
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3.84
5.34
最大
-
-
3.7
5.2
最大
-
-
单位
V
V
V
CC
(V)
4.5
6
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
0.02
0.02
2
4.5
6
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
OL
V
CC
or
GND
2.6
3.3
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
-4.2
4.5
6
3.98
5.48
-
-
-
-
3.84
5.34
-
-
3.7
5.2
-
-
V
V
V
OL
V
IL
或V
IH
-2.6
-3.3
4.5
6
-
-
-
-
0.26
0.26
-
-
0.33
0.33
-
-
0.4
0.4
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
-
0
6
6
-
-
-
-
±0.1
8
-
-
±1
80
-
-
±1
160
A
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-0.02
4.5
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
V
OH
V
CC
or
GND
-2.6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
符号
V
OL
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
2.6
25
o
C
-
典型值
-
最大
0.26
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
0.33
-
最大
0.4
单位
V
V
CC
(V)
4.5
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
3.2
4.5
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
I
I
任何
电压
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
I
CC
I
CC
(注4 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
8
360
-
-
80
450
-
-
160
490
A
A
2.限制无效时,销12 (而不是引脚11 )作为控制输入。
3.对于销11 V
IH
= 3.15V, V
IL
= 0.9V.
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
MR
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大输入脉冲
频率
f
最大
2
4.5
6
输入脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
5
CD54HC4060 , CD74HC4060 ,
CD54HCT4060 , CD74HCT4060
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS207G
1998年2月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑器件
14级二进制计数器与振荡器
的负跳变
φI
(和
φO).
所有输入和输出
被缓冲。对输入脉冲线施密特触发器动作
允许无限上升和下降时间。
为了达到在振荡器对称波形
部的HCT4060输入脉冲开关点是相同的
如在HC4060 ;仅在HCT4060 MR输入有
TTL开关电平。
特点
板载振荡器
[ /标题
(CD74
HC406
0,
CD74
HCT40
60)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
通用复位
负沿时钟
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC4060F3A
CD54HCT4060F3A
CD74HC4060E
CD74HC4060M
CD74HC4060MT
CD74HC4060M96
CD74HC4060PW
CD74HC4060PWR
CD74HC4060PWT
CD74HCT4060E
CD74HCT4060M
CD74HCT4060MT
CD74HCT4060M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的' HC4060和' HCT4060各由一个振荡器
第14纹波进行二进制计数器阶段。该
振荡器CON组fi guration允许使用RC或晶体的设计
振荡电路。主复位输入提供了
将计数器复位为全0的状态和禁用
振荡器。高水平的MR线完成复位
功能。所有的柜台阶段是主从IP- FL佛罗里达州欢声笑语。该
计数器的状态是先进的二进制顺序一步上
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
引脚
CD54HC4060 , CD54HCT4060 ( CERDIP )
CD74HC4060 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
CD74HCT4060 ( PDIP , SOIC )
顶视图
Q12 1
Q13 2
Q14 3
Q6 4
Q5 5
Q7 6
Q4 7
GND 8
16 V
CC
15 Q10
14 Q8
13 Q9
12 MR
11
φI
10
φO
9
φO
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
工作原理图
7
Q4
5
Q5
12
MR
4
Q6
6
Q7
14-STAGE
纹波
计数器
振荡器
14
Q8
13
Q9
15
Q10
1
Q12
2
Q13
3
Q14
9
10
GND = 8
V
CC
= 16
φ
I
11
φ
O
φ
O
O
O
1
9
1
10
11
Q1
4
Q4
5
Q13
14
Q14
FF1
FF4
FF5 - FF13
FF14
1
R
Q1
4
R
Q4
5
R
Q13
14
Q14
R
MR
12
7
2
Q14
3
Q4 5, 4, 6, 14, 13, 15, 1 Q13
Q5 - Q10, Q12
图1.逻辑框图
真值表
I
X
MR
L
L
H
输出状态
没有变化
前进到下一个状态
所有的输出为低
2
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
108
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-0.02
-0.02
-0.02
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
-
-
-
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压Q输出
CMOS负载
高电平输出
电压Q输出
TTL负载
低电平输出
电压Q输出
CMOS负载
低电平输出
电压Q输出
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载(注2 )
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
CMOS负载
V
OH
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
(注3)
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
OH
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
-2.6
-3.3
25
o
C
3.98
5.48
典型值
-
-
最大
-
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
3.84
5.34
最大
-
-
3.7
5.2
最大
-
-
单位
V
V
V
CC
(V)
4.5
6
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
0.02
0.02
2
4.5
6
4.5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
OL
V
CC
or
GND
2.6
3.3
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
-4.2
4.5
6
3.98
5.48
-
-
-
-
3.84
5.34
-
-
3.7
5.2
-
-
V
V
V
OL
V
IL
或V
IH
-2.6
-3.3
4.5
6
-
-
-
-
0.26
0.26
-
-
0.33
0.33
-
-
0.4
0.4
V
V
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
-
0
6
6
-
-
-
-
±0.1
8
-
-
±1
80
-
-
±1
160
A
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-0.02
4.5
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
V
OH
V
CC
or
GND
-2.6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
CC
or
GND
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
CD54 / 74HC4060 , CD54 / 74HCT4060
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚10 )
TTL负载
高电平的输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
低电平输出
电压
φO
产量
(引脚9 )
TTL负载
输入漏
当前
符号
V
OL
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
2.6
25
o
C
-
典型值
-
最大
0.26
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
0.33
-
最大
0.4
单位
V
V
CC
(V)
4.5
V
OH
V
IL
或V
IH
-3.2
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
V
OL
V
IH
或V
IL
(注3)
3.2
4.5
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
I
I
任何
电压
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
-
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意事项:
I
CC
I
CC
(注4 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
8
360
-
-
80
450
-
-
160
490
A
A
2.限制无效时,销12 (而不是引脚11 )作为控制输入。
3.对于销11 V
IH
= 3.15V, V
IL
= 0.9V.
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
MR
单位负载
0.35
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气连接特定钙限制特定网络版
系统蒸发散表,如最大360μA 25
o
C.
用于交换特定网络阳离子前提条件
25
o
C
参数
HC类型
最大输入脉冲
频率
f
最大
2
4.5
6
输入脉冲宽度
t
W
2
4.5
6
复位移走时间
t
REM
2
4.5
6
6
30
35
80
16
14
100
20
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
25
29
100
20
17
125
25
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
150
30
26
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
典型值
最大
-55
o
C至125
o
C
典型值
最大
单位
5
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