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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1108页 > CD54HC368F3A
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，
CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS181D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，
三态非反相和反相
订购信息
产品型号
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC367
,
CD74
HCT36
7,
CD74
HC368
,
CD74
HCT36
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
高电流总线驱动器输出
两个独立的三态使能控制
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
CD54HC367F3A
CD54HC368F3A
CD54HCT367F3A
CD74HC367E
CD74HC367M
CD74HC367MT
CD74HC367M96
CD74HC368E
CD74HC368M
CD74HC368MT
CD74HC368M96
CD74HCT367E
CD74HCT367M
CD74HCT367MT
CD74HCT367M96
CD74HCT368E
CD74HCT368M
CD74HCT368MT
CD74HCT368M96
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
描述
在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅
CMOS三态缓冲器是通用的高速
非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流
租金产出这使即使在高速运转
驾驶大型客车电容。这些电路具有低
CMOS电路的功耗，还具有速度compara-
竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而
在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些
器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4
盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。
在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能
化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
引脚配置
CD54HC367 ， CD54HCT367
（ CERDIP ）
CD74HC367 ， CD74HCT367
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
CD54HC368
（ CERDIP ）
CD74HC368 ， CD74HCT368
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
功能图
HC367 ， HCT367
1
1
HC368 ， CD74HCT368
OE1
16
V
CC
OE2
6A
OE1
16
V
CC
1A
1Y
2
3
15
14
1A
1Y
2
3
15
14
OE2
6A
2A
2Y
4
13
6Y
2A
2Y
3A
4
5
6
13
6Y
5
6
12
5A
12
5A
3A
7
11
10
5Y
4A
11
10
5Y
4A
3Y
3Y
GND
7
8
GND
8
9
4Y
9
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
HC/HCT367
L
H
(Z)
HC/HCT368
H
L
(Z)
输入
OE
L
L
H
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
（注1 ）
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
13
6Y
2A
5
2Y
注意：
1.逆变器不包括在HC / HCT367
图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充
所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）
3
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
±5.0
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
V
O
=
V
CC
or
GND
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟，
数据输出
HC/HCT367
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
24
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，
CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS181D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，
三态非反相和反相
订购信息
产品型号
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC367
,
CD74
HCT36
7,
CD74
HC368
,
CD74
HCT36
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
高电流总线驱动器输出
两个独立的三态使能控制
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
CD54HC367F3A
CD54HC368F3A
CD54HCT367F3A
CD74HC367E
CD74HC367M
CD74HC367MT
CD74HC367M96
CD74HC368E
CD74HC368M
CD74HC368MT
CD74HC368M96
CD74HCT367E
CD74HCT367M
CD74HCT367MT
CD74HCT367M96
CD74HCT368E
CD74HCT368M
CD74HCT368MT
CD74HCT368M96
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
描述
在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅
CMOS三态缓冲器是通用的高速
非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流
租金产出这使即使在高速运转
驾驶大型客车电容。这些电路具有低
CMOS电路的功耗，还具有速度compara-
竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而
在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些
器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4
盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。
在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能
化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
引脚配置
CD54HC367 ， CD54HCT367
（ CERDIP ）
CD74HC367 ， CD74HCT367
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
CD54HC368
（ CERDIP ）
CD74HC368 ， CD74HCT368
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
功能图
HC367 ， HCT367
1
1
HC368 ， CD74HCT368
OE1
16
V
CC
OE2
6A
OE1
16
V
CC
1A
1Y
2
3
15
14
1A
1Y
2
3
15
14
OE2
6A
2A
2Y
4
13
6Y
2A
2Y
3A
4
5
6
13
6Y
5
6
12
5A
12
5A
3A
7
11
10
5Y
4A
11
10
5Y
4A
3Y
3Y
GND
7
8
GND
8
9
4Y
9
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
HC/HCT367
L
H
(Z)
HC/HCT368
H
L
(Z)
输入
OE
L
L
H
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
（注1 ）
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
13
6Y
2A
5
2Y
注意：
1.逆变器不包括在HC / HCT367
图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充
所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）
3
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
±5.0
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
V
O
=
V
CC
or
GND
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟，
数据输出
HC/HCT367
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
24
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，
CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS181D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，
三态非反相和反相
订购信息
产品型号
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC367
,
CD74
HCT36
7,
CD74
HC368
,
CD74
HCT36
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
高电流总线驱动器输出
两个独立的三态使能控制
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
CD54HC367F3A
CD54HC368F3A
CD54HCT367F3A
CD74HC367E
CD74HC367M
CD74HC367MT
CD74HC367M96
CD74HC368E
CD74HC368M
CD74HC368MT
CD74HC368M96
CD74HCT367E
CD74HCT367M
CD74HCT367MT
CD74HCT367M96
CD74HCT368E
CD74HCT368M
CD74HCT368MT
CD74HCT368M96
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
描述
在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅
CMOS三态缓冲器是通用的高速
非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流
租金产出这使即使在高速运转
驾驶大型客车电容。这些电路具有低
CMOS电路的功耗，还具有速度compara-
竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而
在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些
器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4
盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。
在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能
化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
引脚配置
CD54HC367 ， CD54HCT367
（ CERDIP ）
CD74HC367 ， CD74HCT367
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
CD54HC368
（ CERDIP ）
CD74HC368 ， CD74HCT368
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
功能图
HC367 ， HCT367
1
1
HC368 ， CD74HCT368
OE1
16
V
CC
OE2
6A
OE1
16
V
CC
1A
1Y
2
3
15
14
1A
1Y
2
3
15
14
OE2
6A
2A
2Y
4
13
6Y
2A
2Y
3A
4
5
6
13
6Y
5
6
12
5A
12
5A
3A
7
11
10
5Y
4A
11
10
5Y
4A
3Y
3Y
GND
7
8
GND
8
9
4Y
9
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
HC/HCT367
L
H
(Z)
HC/HCT368
H
L
(Z)
输入
OE
L
L
H
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
（注1 ）
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
13
6Y
2A
5
2Y
注意：
1.逆变器不包括在HC / HCT367
图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充
所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）
3
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
±5.0
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
V
O
=
V
CC
or
GND
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟，
数据输出
HC/HCT367
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
24
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，
CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS181D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，
三态非反相和反相
订购信息
产品型号
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC367
,
CD74
HCT36
7,
CD74
HC368
,
CD74
HCT36
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
高电流总线驱动器输出
两个独立的三态使能控制
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
CD54HC367F3A
CD54HC368F3A
CD54HCT367F3A
CD74HC367E
CD74HC367M
CD74HC367MT
CD74HC367M96
CD74HC368E
CD74HC368M
CD74HC368MT
CD74HC368M96
CD74HCT367E
CD74HCT367M
CD74HCT367MT
CD74HCT367M96
CD74HCT368E
CD74HCT368M
CD74HCT368MT
CD74HCT368M96
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
描述
在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅
CMOS三态缓冲器是通用的高速
非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流
租金产出这使即使在高速运转
驾驶大型客车电容。这些电路具有低
CMOS电路的功耗，还具有速度compara-
竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而
在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些
器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4
盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。
在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能
化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
引脚配置
CD54HC367 ， CD54HCT367
（ CERDIP ）
CD74HC367 ， CD74HCT367
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
CD54HC368
（ CERDIP ）
CD74HC368 ， CD74HCT368
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
功能图
HC367 ， HCT367
1
1
HC368 ， CD74HCT368
OE1
16
V
CC
OE2
6A
OE1
16
V
CC
1A
1Y
2
3
15
14
1A
1Y
2
3
15
14
OE2
6A
2A
2Y
4
13
6Y
2A
2Y
3A
4
5
6
13
6Y
5
6
12
5A
12
5A
3A
7
11
10
5Y
4A
11
10
5Y
4A
3Y
3Y
GND
7
8
GND
8
9
4Y
9
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
HC/HCT367
L
H
(Z)
HC/HCT368
H
L
(Z)
输入
OE
L
L
H
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
（注1 ）
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
13
6Y
2A
5
2Y
注意：
1.逆变器不包括在HC / HCT367
图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充
所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）
3
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
±5.0
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
V
O
=
V
CC
or
GND
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟，
数据输出
HC/HCT367
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
24
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，
CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS181D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，
三态非反相和反相
订购信息
产品型号
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC367
,
CD74
HCT36
7,
CD74
HC368
,
CD74
HCT36
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
高电流总线驱动器输出
两个独立的三态使能控制
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
CD54HC367F3A
CD54HC368F3A
CD54HCT367F3A
CD74HC367E
CD74HC367M
CD74HC367MT
CD74HC367M96
CD74HC368E
CD74HC368M
CD74HC368MT
CD74HC368M96
CD74HCT367E
CD74HCT367M
CD74HCT367MT
CD74HCT367M96
CD74HCT368E
CD74HCT368M
CD74HCT368MT
CD74HCT368M96
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
描述
在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅
CMOS三态缓冲器是通用的高速
非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流
租金产出这使即使在高速运转
驾驶大型客车电容。这些电路具有低
CMOS电路的功耗，还具有速度compara-
竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而
在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些
器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4
盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。
在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能
化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
引脚配置
CD54HC367 ， CD54HCT367
（ CERDIP ）
CD74HC367 ， CD74HCT367
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
CD54HC368
（ CERDIP ）
CD74HC368 ， CD74HCT368
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
功能图
HC367 ， HCT367
1
1
HC368 ， CD74HCT368
OE1
16
V
CC
OE2
6A
OE1
16
V
CC
1A
1Y
2
3
15
14
1A
1Y
2
3
15
14
OE2
6A
2A
2Y
4
13
6Y
2A
2Y
3A
4
5
6
13
6Y
5
6
12
5A
12
5A
3A
7
11
10
5Y
4A
11
10
5Y
4A
3Y
3Y
GND
7
8
GND
8
9
4Y
9
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
HC/HCT367
L
H
(Z)
HC/HCT368
H
L
(Z)
输入
OE
L
L
H
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
（注1 ）
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
13
6Y
2A
5
2Y
注意：
1.逆变器不包括在HC / HCT367
图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充
所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）
3
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
±5.0
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
V
O
=
V
CC
or
GND
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟，
数据输出
HC/HCT367
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
24
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
5
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ，
CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS181D
1997年11月 - 修订2003年10月
高速CMOS逻辑六角缓冲器/线路驱动器，
三态非反相和反相
订购信息
产品型号
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC367
,
CD74
HCT36
7,
CD74
HC368
,
CD74
HCT36
8)
/子
拍摄对象
（高
速度
高电流总线驱动器输出
两个独立的三态使能控制
典型传播延迟吨
PLH
, t
PHL
=在V为8ns
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
CD54HC367F3A
CD54HC368F3A
CD54HCT367F3A
CD74HC367E
CD74HC367M
CD74HC367MT
CD74HC367M96
CD74HC368E
CD74HC368M
CD74HC368MT
CD74HC368M96
CD74HCT367E
CD74HCT367M
CD74HCT367MT
CD74HCT367M96
CD74HCT368E
CD74HCT368M
CD74HCT368MT
CD74HCT368M96
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
描述
在“ HC367 ” HCT367 ， “ HC368和CD74HCT368硅栅
CMOS三态缓冲器是通用的高速
非反相和反相缓冲器。它们具有高驱动电流
租金产出这使即使在高速运转
驾驶大型客车电容。这些电路具有低
CMOS电路的功耗，还具有速度compara-
竹叶提取低功耗肖特基TTL电路。这两种电路都能够
驱动多达15个低功率肖特基输入。
的“ HC367和' HCT367都是非反相缓冲器，而
在“ HC368和CD74HCT368是反相缓冲器。这些
器件具有两个输出使能，一个使能（ OE1 ）控制4
盖茨和其他（ OE2 ）控制，其余2门。
在“ HCT367和CD74HCT368逻辑系列是速度快，功能
化和引脚与标准LS逻辑系列兼容。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
引脚配置
CD54HC367 ， CD54HCT367
（ CERDIP ）
CD74HC367 ， CD74HCT367
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
CD54HC368
（ CERDIP ）
CD74HC368 ， CD74HCT368
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OE1 1
1A 2
1Y 3
2A 4
2Y 5
3A 6
3Y 7
GND 8
16 V
CC
15 OE2
14 6A
13 6Y
12 5A
11 5Y
10 4A
9 4Y
功能图
HC367 ， HCT367
1
1
HC368 ， CD74HCT368
OE1
16
V
CC
OE2
6A
OE1
16
V
CC
1A
1Y
2
3
15
14
1A
1Y
2
3
15
14
OE2
6A
2A
2Y
4
13
6Y
2A
2Y
3A
4
5
6
13
6Y
5
6
12
5A
12
5A
3A
7
11
10
5Y
4A
11
10
5Y
4A
3Y
3Y
GND
7
8
GND
8
9
4Y
9
4Y
真值表
输出
(Y)
A
L
H
X
HC/HCT367
L
H
(Z)
HC/HCT368
H
L
(Z)
输入
OE
L
L
H
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗状态（OFF）
2
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
逻辑图
V
CC
16
作者六个相同的电路ONE
2
1A
3
1Y
（注1 ）
GND
8
1
OE1
4
15
OE2
6
3A
10
4A
12
5A
14
6A
7
3Y
9
4Y
11
5Y
13
6Y
2A
5
2Y
注意：
1.逆变器不包括在HC / HCT367
图1.逻辑框图中的HC / HCT367和HC / HCT368 （输出， HC / HCT367是补充
所示的那些，即， 1Y ， 2Y等）
3
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注2 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
6
7.8
-
0
V
O
=
V
CC
or
GND
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
±0.5
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
±5.0
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
±10
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
4
CD54 / 74HC367 ， CD54 / 74HCT367 ， CD54 / 74HC368 ， CD74HCT368
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
3.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
I
OZ
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
IL
or
V
IH
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
V
O
=
V
CC
or
GND
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
OE1
所有其他
单位负载
0.6
0.55
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
C
L
= 15pF的
5
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C到
125
o
C
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟，
数据输出
HC/HCT367
符号
TEST
条件
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
-
-
-
8
105
21
18
-
130
26
24
-
160
32
27
-
ns
ns
ns
ns
5
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CD74ACT157M96G4
CVB1031
C484CD37
CD54HC112F3A
CN18J
C0603X5R1A104K030BC
CRO5750Z-LF
CX1206MKX7R5BB1
CD720660OZ
CD74HC563EE4
CY3764VP208-83BBXC
CY7C1355C-133AXI
CD0805-B0245
CCL450DNY2-TD1
CAT5110SBI-00-T10
CD74HC112MTE4
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