【CD54HC245 ， CD74HC245 ，CD54HCT245 ， CD74HCT245从哈里斯】,IC型号CD54HC245F3A,CD54HC245F3A PDF资料,CD54HC245F3A经销商,ic,电子元器件-51电子网

CD54HC245 ， CD74HC245 ，

CD54HCT245 ， CD74HCT245

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS119A

1997年11月 - 修订2003年5月

高速CMOS逻辑八路总线收发器，

三态，非反相

描述

该CD54HC245 ， CD54HCT245和CD74HC245 ，

CD74HCT245是高速八三态双向

收发器

意

为

双向

异步

数据总线之间的通信。它们具有高驱动

电流输出这使高速运行的同时

驾驶大型客车电容。它们所提供的低功率

标准CMOS电路的速度消耗，

驱动能力媲美LSTTL电路。

该CD54HC245 ， CD54HCT245 ， CD74HC245和

CD74HCT245允许B总线或从数据传输

B总线到A总线。在该方向输入的逻辑电平

（ DIR）的确定的方向。输出使能输入

（ OE ），高的时候，会将I / O端口，在高阻抗

状态。

在HC / HCT245在操作上的HC / HCT640相似

和HC / HCT643 。

特点

缓冲输入

[ /标题

(CD54

HC245

,

CD54

HCT24

5,

CD74

HC245

,

CD74

HCT24

5)

/子

拍摄对象

（高

速度

三态输出

公交线路驱动能力

典型传播延迟（从A到B， B到A ） 9ns在V

CC

= 5V ，C

L

= 15pF的，T

A

= 25

o

C

扇出（整个温度范围内）

- 标准输出。。。。。。。。。。。。。。。 10输入通道负载

- 公交驱动器输出。。。。。。。。。。。。。 15输入通道负载

宽工作温度范围。。。 -55

o

C至125

o

C

平衡传输延迟和转换时间

显着的功耗相比减少LSTTL

逻辑IC

HC类型

- 2V至6V工作

- 高抗噪性：不适用

IL

= 30%, N

IH

的V = 30 ％

CC

在V

CC

= 5V

HCT类型

- 4.5V至5.5V工作电压

- 直接输入通道输入逻辑兼容，

V

IL

= 0.8V （最大值），V

IH

= 2V （最小值）

- CMOS兼容输入，我

l

≤

1μA在V

OL

, V

OH

订购信息

产品型号

CD54HC245F3A

CD54HCT245F3A

CD74HC245E

CD74HC245M

温度。

RANGE （

o

C)

-55至125

包

20 Ld的CERDIP

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

20 Ld的PDIP

20 Ld的SOIC

引脚

CD54HC245 ， CD54HCT245

（ CERDIP ）

CD74HC245 ， CD74HCT245

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

CD74HC245M96

CD74HCT245E

CD74HCT245M

CD74HCT245M96

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96

表示磁带和卷轴。

DIR

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

20 V

CC

19 OE

18 B0

17 B1

16 B2

15 B3

14 B4

13 B5

12 B6

11 B7

GND 10

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD54HC245 ， CD74HC245 ， CD54HCT245 ， CD74HCT245

工作原理图

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

2

3

4

5

6

7

8

9

1

DIR

OE

19

18

17

16

15

14

13

12

11

B0

B1

B2

B3

B4

B5

B6

B7

真值表

控制输入

OE

L

H

DIR

L

H

X

手术

B数据到总线

数据到B总线

隔离

H =水平高， L =水平低，X =无关

为了防止在高Z （隔离）多余的电流模式，所有的I / O

端应与10kΩ的终止到1MΩ电阻器。

2

CD54HC245 ， CD74HC245 ， CD54HCT245 ， CD74HCT245

绝对最大额定值

直流电源电压，V

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至7V

DC输入二极管电流，I

IK

对于V

I

< -0.5V或V

I

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

DC输出二极管电流，I

OK

对于V

O

< -0.5V或V

O

＆ GT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 20毫安

直流漏电流，每个输出，我

O

为-0.5V < V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V.

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 35毫安

每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我

O

对于V

O

> -0.5V或V

O

＆ LT ; V

CC

+ 0.5V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 25毫安

DC V

CC

或接地电流，I

CC

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 50毫安

热信息

热电阻（典型值，注1 ）。

. . . . . . . . . . . . . . . . θ

JA

(

o

C / W ）

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

69

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

58

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

温度范围，T

A

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围，V

CC

HC类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .2V至6V

HCT类型。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .4.5V至5.5V

DC输入或输出电压，V

I

, V

O

。。。。。。。。。。。。。。。。。 0V至V

CC

输入上升和下降时间

2V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。最大1000ns （最大值）

4.5V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为500ns （最大值）

6V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。为400ns （最大值）

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

TEST

条件

参数

HC类型

输入高电平

电压

V

IH

-

2

4.5

6

低电平输入

电压

V

IL

-

2

4.5

6

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

I

CC

V

CC

or

GND

V

CC

or

GND

V

OL

V

IH

或V

IL

V

OH

V

IH

或V

IL

-0.02

-

-4

-5.2

0.02

-

4

5.2

-

0

2

4.5

6

-

4.5

6

2

4.5

6

-

4.5

6

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

-

3.98

5.48

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

-

0.26

±0.1

8

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

-

3.84

5.34

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

-

0.33

±1

80

1.5

3.15

4.2

-

1.9

4.4

5.9

-

3.7

5.2

-

0.5

1.35

1.8

-

0.1

-

0.4

±1

160

V

A

符号

V

I

(V)

I

O

（MA ）

V

CC

(V)

25

o

C

民

典型值

最大

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

最大

民

最大

单位

3

CD54HC245 ， CD74HC245 ， CD54HCT245 ， CD74HCT245

直流电特定网络阳离子

（续）

TEST

条件

参数

三态泄漏

当前

HCT类型

输入高电平

电压

低电平输入

电压

高电平输出

电压

CMOS负载

高电平输出

电压

TTL负载

低电平输出

电压

CMOS负载

低电平输出

电压

TTL负载

输入漏

当前

静态器件

当前

三态泄漏

当前

其他静态

器件电流每

输入端子： 1机组负荷

注意：

2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V

I

= 2.4V, V

CC

= 5.5V ）规格1.8毫安。

I

CC

I

OZ

V

CC

和

GND

V

CC

or

GND

V

IL

或V

IH

V

OL

V

IH

或V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

-

V

IH

或V

IL

-

-0.02

4.5

5.5

4.5

5.5

4.5

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

2

-

4.4

-

0.8

-

V

符号

I

OZ

V

I

(V)

V

IL

或V

IH

I

O

（MA ）

V

O

=

V

CC

or

GND

25

o

C

民

-

典型值

-

最大

±0.5

-40

o

C至85

o

C -55

o

C至125

o

C

民

-

最大

±5

民

-

最大

±10

单位

A

V

CC

(V)

6

-4

4.5

3.98

-

3.84

-

3.7

-

V

0.02

4.5

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

4

4.5

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

0

V

O

=

V

CC

or

GND

-

5.5

6

-

±0.1

8

±0.5

-

±1

80

±5

-

±1

160

±10

A

I

CC

（注2 ）

V

CC

-2.1

4.5

5.5

-

100

360

-

450

-

490

A

HCT输入负载表

输入

一个或Bn的

OE

DIR

单位负载

0.4

1.5

0.9

注：机组负荷为

I

CC

在DC电气表限制特定网络版，例如，

最大360μA 25

o

C.

4

CD54HC245 ， CD74HC245 ， CD54HCT245 ， CD74HCT245

交换特定网络阳离子

C

L

= 50pF的，输入吨

r

, t

f

= 6ns的

25

o

C

V

CC

(V)

民

典型值

最大

-40

o

C到

85

o

C

民

最大

-55

o

C到

125

o

C

民

最大

单位

参数

HC类型

传播延迟

数据输出

符号

TEST

条件

t

PHL

, t

PLH

C

L

= 50pF的

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

C

L

= 15pF的

C

L

= 50pF的

5

6

2

4.5

6

-

10

-

9

-

12

-

12

-

53

110

22

-

19

150

30

-

26

150

30

-

26

60

12

10

20

-

140

28

-

24

190

38

-

33

190

38

-

33

75

15

13

10

20

-

165

33

-

28

225

45

-

38

225

45

-

38

90

18

15

10

20

-

ns

pF

输出禁止输出

t

PHL ，

t

PLH

C

L

= 50pF的

输出使能输出

t

PHL ，

t

PLH

C

L

= 50pF的

输出转换时间

t

THL

, t

TLH

C

L

= 50pF的

输入电容

三态输出

电容

功率耗散电容

（注3,4）

HCT类型

传播延迟

数据输出

C

IN

C

O

C

PD

C

L

= 50pF的

-

5

t

PHL ，

t

PLH

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

4.5

5

4.5

5

4.5

5

4.5

-

5

-

10

-

10

-

12

-

13

-

55

26

-

30

-

32

-

12

10

20

-

33

-

38

-

40

-

15

10

20

-

39

-

45

-

48

-

18

10

20

-

ns

pF

输出禁止输出

t

PHL ，

t

PLH

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

输出使能输出

t

PHL ，

t

PLH

C

L

= 50pF的

C

L

= 15pF的

输出转换时间

输入电容

三态输出

电容

功率耗散电容

（注3,4）

注意事项：

t

THL

, t

TLH

C

IN

C

O

C

PD

C

L

= 50pF的

C

L

= 50pF的

-

3. C

PD

被用于确定所述动态功耗，每通道。

4. P

D

= V

CC2

f

i

(C

PD

+ C

L

），其中F

i

=输入频率，C

L

=输出负载电容，V

CC

=电源电压。

5