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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1122页 > CD54HC243F
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS168D
CD54HC243 ， CD74HC243 ，
CD54HCT243 ， CD74HCT243
高速CMOS逻辑器件
四总线收发器具有三态输出
描述
在“ HC243和” HCT243硅栅CMOS三态
双向倒相缓冲器被用于双向
数据总线之间的异步通信。他们
具有高驱动电流输出，使高速能操作
ATION驾驶大型客车电容时。这些电路
具有CMOS电路的低功耗和
有速度媲美的低功耗肖特基TTL电路。
他们能驱动15个LSTTL负载。
输出使能（ OEB ， OEA ）输入的状态
确定的溢流两个方向（A到B， B到A ），并且
三态模式。
1997年11月 - 修订2003年10月
特点
典型传播为7ns的延迟（从A到B， B到A ）在
V
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
[ /标题
(CD74
HCT24
2,
CD74
HC243
,
CD74
HCT24
3)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
四核
三态输出
缓冲输入
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC243F3A
CD54HCT243F3A
CD74HC243E
CD74HC243M
CD74HC243MT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
引脚
CD54HC243 ， CD54HCT243
（ CERDIP ）
CD74HC243 ， CD74HCT243
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OEB 1
NC 2
A0 3
A1 4
A2 5
A3 6
7 GND
14 V
CC
13 OEA
12 NC
11 B0
10 B1
9 B2
8 B3
CD74HC243M96
CD74HCT243E
CD74HCT243M
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
工作原理图
“ HC243 ” HCT243
A0
3
11
B0
A1
4
10
B1
5
A2
9
B2
6
A3
1
13
方向
选择逻辑
8
B3
OEB
OEA
真值表
HC ， HCT243系列
控制输入
OEB
H
L
H
L
OEA
H
H
L
L
数据端口状态
An
O
Z
Z
I
Bn
I
Z
Z
O
H =高电压电平
L =低电压电平
I =输入
O =输出（同一级别输入）
Z =高阻抗
为了防止过多的电流，在高Z模式，所有的I / O端子应为10kΩ终止
到1MΩ电阻。
2
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
6
7.8
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
-
2
-
2
-
V
符号
I
I
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±1
80
±0.5
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
160
±10
单位
A
A
A
0
6
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
0.8
-
0.8
V
V
IH
or
V
IL
-0.02
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
5.5
-
-
±0.1
8
-
±1
80
-
±1
160
A
A
A
0
5.5
-
-
-
-
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
I
OZ
V
IL
or
V
IH
-
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
一，BN
OEA ， OEB
单位负载
1.1
0.6
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟数据
到输出
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出高阻，以高层
为低电平
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
输出高电平，
输出低层次向高-Z
t
PHZ ，
t
PLZ
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注3,4）
HCT类型
传播延迟到数据
输出
输出高阻到高级
为低电平
输出高电平，
输出低层次向高-Z
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注3,4）
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每通道。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
t
PZH
, t
PZL
t
PHZ
, t
PLZ
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
9
-
14
-
14
-
-
-
91
22
-
34
-
35
-
12
10
20
-
28
-
43
-
44
-
15
10
20
-
33
-
51
-
53
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
典型值
-
-
7
-
-
-
12
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
80
最大
90
18
-
15
150
30
-
26
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
115
23
-
20
190
38
-
33
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
最大
135
27
-
23
225
45
-
38
225
45
-
38
90
18
15
10
20
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
符号
t
PLH
, t
PHL
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS168D
CD54HC243 ， CD74HC243 ，
CD54HCT243 ， CD74HCT243
高速CMOS逻辑器件
四总线收发器具有三态输出
描述
在“ HC243和” HCT243硅栅CMOS三态
双向倒相缓冲器被用于双向
数据总线之间的异步通信。他们
具有高驱动电流输出，使高速能操作
ATION驾驶大型客车电容时。这些电路
具有CMOS电路的低功耗和
有速度媲美的低功耗肖特基TTL电路。
他们能驱动15个LSTTL负载。
输出使能（ OEB ， OEA ）输入的状态
确定的溢流两个方向（A到B， B到A ），并且
三态模式。
1997年11月 - 修订2003年10月
特点
典型传播为7ns的延迟（从A到B， B到A ）在
V
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
[ /标题
(CD74
HCT24
2,
CD74
HC243
,
CD74
HCT24
3)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
四核
三态输出
缓冲输入
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC243F3A
CD54HCT243F3A
CD74HC243E
CD74HC243M
CD74HC243MT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
引脚
CD54HC243 ， CD54HCT243
（ CERDIP ）
CD74HC243 ， CD74HCT243
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OEB 1
NC 2
A0 3
A1 4
A2 5
A3 6
7 GND
14 V
CC
13 OEA
12 NC
11 B0
10 B1
9 B2
8 B3
CD74HC243M96
CD74HCT243E
CD74HCT243M
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
工作原理图
“ HC243 ” HCT243
A0
3
11
B0
A1
4
10
B1
5
A2
9
B2
6
A3
1
13
方向
选择逻辑
8
B3
OEB
OEA
真值表
HC ， HCT243系列
控制输入
OEB
H
L
H
L
OEA
H
H
L
L
数据端口状态
An
O
Z
Z
I
Bn
I
Z
Z
O
H =高电压电平
L =低电压电平
I =输入
O =输出（同一级别输入）
Z =高阻抗
为了防止过多的电流，在高Z模式，所有的I / O端子应为10kΩ终止
到1MΩ电阻。
2
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
6
7.8
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
-
2
-
2
-
V
符号
I
I
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±1
80
±0.5
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
160
±10
单位
A
A
A
0
6
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
0.8
-
0.8
V
V
IH
or
V
IL
-0.02
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
5.5
-
-
±0.1
8
-
±1
80
-
±1
160
A
A
A
0
5.5
-
-
-
-
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
I
OZ
V
IL
or
V
IH
-
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
一，BN
OEA ， OEB
单位负载
1.1
0.6
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟数据
到输出
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出高阻，以高层
为低电平
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
输出高电平，
输出低层次向高-Z
t
PHZ ，
t
PLZ
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注3,4）
HCT类型
传播延迟到数据
输出
输出高阻到高级
为低电平
输出高电平，
输出低层次向高-Z
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注3,4）
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每通道。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
t
PZH
, t
PZL
t
PHZ
, t
PLZ
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
9
-
14
-
14
-
-
-
91
22
-
34
-
35
-
12
10
20
-
28
-
43
-
44
-
15
10
20
-
33
-
51
-
53
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
典型值
-
-
7
-
-
-
12
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
80
最大
90
18
-
15
150
30
-
26
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
115
23
-
20
190
38
-
33
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
最大
135
27
-
23
225
45
-
38
225
45
-
38
90
18
15
10
20
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
符号
t
PLH
, t
PHL
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS168D
CD54HC243 ， CD74HC243 ，
CD54HCT243 ， CD74HCT243
高速CMOS逻辑器件
四总线收发器具有三态输出
描述
在“ HC243和” HCT243硅栅CMOS三态
双向倒相缓冲器被用于双向
数据总线之间的异步通信。他们
具有高驱动电流输出，使高速能操作
ATION驾驶大型客车电容时。这些电路
具有CMOS电路的低功耗和
有速度媲美的低功耗肖特基TTL电路。
他们能驱动15个LSTTL负载。
输出使能（ OEB ， OEA ）输入的状态
确定的溢流两个方向（A到B， B到A ），并且
三态模式。
1997年11月 - 修订2003年10月
特点
典型传播为7ns的延迟（从A到B， B到A ）在
V
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
[ /标题
(CD74
HCT24
2,
CD74
HC243
,
CD74
HCT24
3)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
四核
三态输出
缓冲输入
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC243F3A
CD54HCT243F3A
CD74HC243E
CD74HC243M
CD74HC243MT
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
引脚
CD54HC243 ， CD54HCT243
（ CERDIP ）
CD74HC243 ， CD74HCT243
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
OEB 1
NC 2
A0 3
A1 4
A2 5
A3 6
7 GND
14 V
CC
13 OEA
12 NC
11 B0
10 B1
9 B2
8 B3
CD74HC243M96
CD74HCT243E
CD74HCT243M
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
工作原理图
“ HC243 ” HCT243
A0
3
11
B0
A1
4
10
B1
5
A2
9
B2
6
A3
1
13
方向
选择逻辑
8
B3
OEB
OEA
真值表
HC ， HCT243系列
控制输入
OEB
H
L
H
L
OEA
H
H
L
L
数据端口状态
An
O
Z
Z
I
Bn
I
Z
Z
O
H =高电压电平
L =低电压电平
I =输入
O =输出（同一级别输入）
Z =高阻抗
为了防止过多的电流，在高Z模式，所有的I / O端子应为10kΩ终止
到1MΩ电阻。
2
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流，每个输出，我
O
为-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 35毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 70毫安
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-6
-7.8
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
6
7.8
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
三态泄漏
当前
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注2 ）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
-
2
-
2
-
V
符号
I
I
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
IL
or
V
IH
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±1
80
±0.5
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
160
±10
单位
A
A
A
0
6
-
-
-
-
-
6
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
0.8
-
0.8
V
V
IH
or
V
IL
-0.02
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
-
5.5
-
-
±0.1
8
-
±1
80
-
±1
160
A
A
A
0
5.5
-
-
-
-
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
I
OZ
V
IL
or
V
IH
-
5.5
-
-
±0.5
-
±5.0
-
±10
A
HCT输入负载表
输入
一，BN
OEA ， OEB
单位负载
1.1
0.6
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，例如，最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC243 ， CD74HC243 ， CD54HCT243 ， CD74HCT243
交换特定网络阳离子
参数
HC类型
传播延迟数据
到输出
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
CL = 50pF的
输出高阻，以高层
为低电平
t
PZL ，
t
PZH
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
输出高电平，
输出低层次向高-Z
t
PHZ ，
t
PLZ
C
L
= 50pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
5
6
2
4.5
6
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注3,4）
HCT类型
传播延迟到数据
输出
输出高阻到高级
为低电平
输出高电平，
输出低层次向高-Z
输出转换时间
输入电容
三态输出
电容
功耗
电容
（注3,4）
注意事项：
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗，每通道。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
） ，其中F
i
=输入频率f
O
=输出频率，C
L
=输出负载电容，V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
t
PZH
, t
PZL
t
PHZ
, t
PLZ
t
TLH
, t
THL
C
I
C
O
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
-
4.5
5
4.5
5
4.5
5
4.5
-
-
5
-
9
-
14
-
14
-
-
-
91
22
-
34
-
35
-
12
10
20
-
28
-
43
-
44
-
15
10
20
-
33
-
51
-
53
-
18
10
20
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
I
C
O
C
PD
-
-
-
-
-
5
典型值
-
-
7
-
-
-
12
-
-
-
12
-
-
-
-
-
-
80
最大
90
18
-
15
150
30
-
26
150
30
-
26
60
12
10
10
20
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
115
23
-
20
190
38
-
33
190
38
-
33
75
15
13
10
20
-
最大
135
27
-
23
225
45
-
38
225
45
-
38
90
18
15
10
20
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
符号
t
PLH
, t
PHL
5
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