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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第415页 > CD54HC163
该CD54HCT161是过时
并且不再被提供。
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS154D
CD54 / 74HC161 , CD54 / 74HCT161 ,
CD54 / 74HC163 , CD54 / 74HCT163
高速CMOS逻辑器件
可预置计数器
两个计数使能, PE和TE中,在每个计数器有
为n位的级联。在所有计数器复位动作
发生的固相萃取, PE和TE的输入电平,无论
(和时钟输入端, CP时,在“ HC161和' HCT161
类型)。
如果一个十进制计数器预置为非法状态或承担
非法状态下通电时,它将返回到
在一个计数正常顺序在状态图,如图所示。
先行进位功能,简化网络连接的ES串行级联
计数器。两个计数使能输入( PE和TE )绝
高计数。 TE输入与门的Q输出
所有四个阶段,使得在最大计数端子
计数(TC)的输出变为高电平为一个时钟周期。这TC
脉冲,用来使能下一个级联级。
1998年2月 - 修订2003年10月
特点
[ /标题
(CD74
HC161
,
CD74
HCT16
1,
CD74
HC163
,
CD74
HCT16
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
PRESET-
台面板
RS)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(高
速度
CMOS
逻辑
PRESET-
台面板
遥感,
速度
“ HC161 ” HCT161 4位二进制计数器,
异步复位
“ HC163 ” HCT163 4位二进制计数器,
同步复位
同步计数和加载
两个计数使能输入为n位级联
先行进位的高速计数
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC161F3A
CD54HC163F3A
CD54HCT163F3A
CD74HC161E
CD74HC161M
CD74HC161MT
CD74HC161M96
CD74HC163E
CD74HC163M
CD74HC163MT
CD74HC163M96
CD74HCT161E
CD74HCT161M
CD74HCT161MT
CD74HCT161M96
CD74HCT163E
CD74HCT163M
CD74HCT163MT
CD74HCT163M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的“ HC161 , ' HCT161 , ” HC163 ,和' HCT163是
可预置同步计数器功能前瞻
进行逻辑在高速计数应用。该
“ HC161和” HCT161是异步复位十年
二进制计数器,分别为;在“ HC163和” HCT163
设备是十年和二进制计数器,分别是
与时钟同步地复位。计数,
同时预置都同步完成
与时钟的负到正的转变。
在同步并行低水平使能输入, SPE ,
禁用的计数操作,并允许数据在P0到P3的
输入被加载到计数器(前提是
满足了SPE的建立和保持要求) 。
所有计数器复位与主复位低电平
输入MR 。在“ HC163和” HCT163柜台
(同步复位类型) ,用于设置的要求,并
保持时间相对于时钟必须得到满足。
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC161 , CD54 / 74HCT161 , CD54 / 74HC163 , CD54 / 74HCT163
引脚
CD54HC161 , CD54HCT161 , CD54HC163 , CD54HCT163
( CERDIP )
CD74HC161 , CD74HCT161 , CD74HC163 , CD74HCT163
( PDIP , SOIC )
顶视图
MR 1
CP 2
P0 3
P1 4
P2 5
P3 6
PE 7
GND 8
16 V
CC
15 TC
14 Q0
13 Q1
12 Q2
11 Q3
10 TE
9 SPE
工作原理图
P0
3
SPE
CP
MR
PE
TE
9
2
1
7
10
4
P1
5
P2
6
14
13
12
11
15
Q0
Q1
Q2
Q3
TC
P3
2
CD54 / 74HC161 , CD54 / 74HCT161 , CD54 / 74HC163 , CD54 / 74HCT163
模式选择 - 功能表“ HC161和” HCT161
输入
经营模式
复位(清)
并行加载
MR
L
H
H
抑制
H
H
H
CP
X
X
X
PE
X
X
X
h
我(注2 )
X
TE
X
X
X
h
X
我(注2 )
SPE
X
l
l
H(注3 )
H(注3 )
H(注3 )
P
n
X
l
h
X
X
X
输出
Q
n
L
L
H
q
n
q
n
TC
L
L
(注1 )
(注1 )
(注1 )
L
模式选择 - 功能表“ HC163和” HCT163
输入
经营模式
复位(清)
并行加载
MR
l
H(注3 )
H(注3 )
抑制
H(注3 )
H(注3 )
H(注3 )
CP
X
X
PE
X
X
X
h
我(注2 )
X
TE
X
X
X
h
X
我(注2 )
SPE
X
l
l
H(注3 )
H(注3 )
H(注3 )
P
n
X
l
h
X
X
X
输出
Q
n
L
L
H
q
n
q
n
TC
L
L
(注1 )
(注1 )
(注1 )
L
H =高电压电平稳定状态; L =低电压电平稳定状态; H =高压一级建立时间之前低到高时钟
过渡; L =低压一级建立时间之前低到高时钟跳变; X =无关; Q =小写字母表示
引用的输出状态之前低到高时钟跳变;
=低到高时钟跳变。
注意事项:
1, TC输出为高电平时TE高,计数器在终端计数( HHHH的HC / HCT161和“ HC / HCT163 ) 。
2.高到低PE或TE对“ HC / HCT161和” HC / HCT163应该只出现而CP转变为高的传统
操作。
3.低到高SPE上的“ HC / HCT161和SPE或MR上的” HC / HCT163过渡应该只出现而CP是高的
常规操作。
3
CD54 / 74HC161 , CD54 / 74HCT161 , CD54 / 74HC163 , CD54 / 74HCT163
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注4 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54 / 74HC161 , CD54 / 74HCT161 , CD54 / 74HC163 , CD54 / 74HCT163
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
5.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注5 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
P0 - P3
PE
CP
MR
SPE
TE
单位负载
0.25
0.65
1.05
0.8
0.5
1.05
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
5
该CD54HCT161是过时
并且不再被提供。
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS154C
CD54 / 74HC161 , CD54 / 74HCT161 ,
CD54 / 74HC163 , CD54 / 74HCT163
高速CMOS逻辑器件
可预置计数器
两个计数使能, PE和TE中,在每个计数器有
为n位的级联。在所有计数器复位动作
发生的固相萃取, PE和TE的输入电平,无论
(和时钟输入端, CP时,在“ HC161和' HCT161
类型)。
如果一个十进制计数器预置为非法状态或承担
非法状态下通电时,它将返回到
在一个计数正常顺序在状态图,如图所示。
先行进位功能,简化网络连接的ES串行级联
计数器。两个计数使能输入( PE和TE )绝
高计数。 TE输入与门的Q输出
所有四个阶段,使得在最大计数端子
计数(TC)的输出变为高电平为一个时钟周期。这TC
脉冲,用来使能下一个级联级。
1998年2月 - 修订2003年5月
特点
[ /标题
(CD74
HC161
,
CD74
HCT16
1,
CD74
HC163
,
CD74
HCT16
3)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
PRESET-
台面板
RS)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(高
速度
CMOS
逻辑
PRESET-
台面板
遥感,
速度
“ HC161 ” HCT161 4位二进制计数器,
异步复位
“ HC163 ” HCT163 4位二进制计数器,
同步复位
同步计数和加载
两个计数使能输入为n位级联
先行进位的高速计数
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC161F3A
CD54HC163F3A
CD54HCT163F3A
CD74HC161E
CD74HC161M
CD74HC161M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
描述
的“ HC161 , ' HCT161 , ” HC163 ,和' HCT163是
可预置同步计数器功能前瞻
进行逻辑在高速计数应用。该
“ HC161和” HCT161是异步复位十年
二进制计数器,分别为;在“ HC163和” HCT163
设备是十年和二进制计数器,分别是
与时钟同步地复位。计数,
同时预置都同步完成
与时钟的负到正的转变。
在同步并行低水平使能输入, SPE ,
禁用的计数操作,并允许数据在P0到P3的
输入被加载到计数器(前提是
满足了SPE的建立和保持要求) 。
所有计数器复位与主复位低电平
输入MR 。在“ HC163和” HCT163柜台
(同步复位类型) ,用于设置的要求,并
保持时间相对于时钟必须得到满足。
CD74HC163E
CD74HC163M
CD74HC163M96
CD74HCT161E
CD74HCT161M
CD74HCT161M96
CD74HCT163E
CD74HCT163M
CD74HCT163M96
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54 / 74HC161 , CD54 / 74HCT161 , CD54 / 74HC163 , CD54 / 74HCT163
引脚
CD54HC161 , CD54HCT161 , CD54HC163 , CD54HCT163
( CERDIP )
CD74HC161 , CD74HCT161 , CD74HC163 , CD74HCT163
( PDIP , SOIC )
顶视图
MR 1
CP 2
P0 3
P1 4
P2 5
P3 6
PE 7
GND 8
16 V
CC
15 TC
14 Q0
13 Q1
12 Q2
11 Q3
10 TE
9 SPE
工作原理图
P0
3
SPE
CP
MR
PE
TE
9
2
1
7
10
4
P1
5
P2
6
14
13
12
11
15
Q0
Q1
Q2
Q3
TC
P3
2
CD54 / 74HC161 , CD54 / 74HCT161 , CD54 / 74HC163 , CD54 / 74HCT163
模式选择 - 功能表“ HC161和” HCT161
输入
经营模式
复位(清)
并行加载
MR
L
H
H
抑制
H
H
H
CP
X
X
X
PE
X
X
X
h
我(注2 )
X
TE
X
X
X
h
X
我(注2 )
SPE
X
l
l
H(注3 )
H(注3 )
H(注3 )
P
n
X
l
h
X
X
X
输出
Q
n
L
L
H
q
n
q
n
TC
L
L
(注1 )
(注1 )
(注1 )
L
模式选择 - 功能表“ HC163和” HCT163
输入
经营模式
复位(清)
并行加载
MR
l
H(注3 )
H(注3 )
抑制
H(注3 )
H(注3 )
H(注3 )
CP
X
X
PE
X
X
X
h
我(注2 )
X
TE
X
X
X
h
X
我(注2 )
SPE
X
l
l
H(注3 )
H(注3 )
H(注3 )
P
n
X
l
h
X
X
X
输出
Q
n
L
L
H
q
n
q
n
TC
L
L
(注1 )
(注1 )
(注1 )
L
H =高电压电平稳定状态; L =低电压电平稳定状态; H =高压一级建立时间之前低到高时钟
过渡; L =低压一级建立时间之前低到高时钟跳变; X =无关; Q =小写字母表示
引用的输出状态之前低到高时钟跳变;
=低到高时钟跳变。
注意事项:
1, TC输出为高电平时TE高,计数器在终端计数( HHHH的HC / HCT161和“ HC / HCT163 ) 。
2.高到低PE或TE对“ HC / HCT161和” HC / HCT163应该只出现而CP转变为高的传统
操作。
3.低到高SPE上的“ HC / HCT161和SPE或MR上的” HC / HCT163过渡应该只出现而CP是高的
常规操作。
3
CD54 / 74HC161 , CD54 / 74HCT161 , CD54 / 74HC163 , CD54 / 74HCT163
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
直流漏电流,每个输出,我
O
为-0.5V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V.
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注4 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54 / 74HC161 , CD54 / 74HCT161 , CD54 / 74HC163 , CD54 / 74HCT163
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
5.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注5 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(MA )
0
25
o
C
-
典型值
-
最大
8
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
80
-
最大
160
单位
A
V
CC
(V)
6
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
P0 - P3
PE
CP
MR
SPE
TE
单位负载
0.25
0.65
1.05
0.8
0.5
1.05
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
5
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