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从哈里斯半导体数据表收购
SCHS117A
CD54HC04 , CD54HCT04 ,
CD74HC04 , CD74HCT04
高速CMOS逻辑六反相器
描述
哈里斯CD54HC04 , CD54HCT04 , CD74HC04和
CD74HCT04逻辑门采用硅栅CMOS
技术,实现运行速度类似于LSTTL
闸门与标准CMOS的低功耗
集成电路。所有器件都具有驱动10的能力
LSTTL负载。该74HCT逻辑系列在功能引脚
与标准74LS逻辑系列兼容。
1997年8月 - 修订2002年5月
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD54H
C04,
CD54H
CT04,
CD74H
C04,
CD74H
CT04)
/主题
(高
速度
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD74HC04E
CD74HCT04E
CD74HC04M
CD74HCT04M
CD54HC04F
CD54HCT04F
CD54HC04W
CD54HCT04W
CD54HC04H
CD54HCT04H
注意:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的PDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
晶圆
晶圆
DIE
DIE
PKG 。
E14.3
E14.3
M14.15
M14.15
F14.3
F14.3
引脚
CD54HC04 , CD54HCT04 , CD74HC04 , CD74HCT04
( PDIP , CERDIP和SOIC )
顶视图
1A 1
1Y 2
2A 3
2Y 4
3A 5
3Y 6
7 GND
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9 4A
8 4Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2002年,德州仪器
网络文件编号
1471.1
1
CD54HC04 , CD54HCT04 , CD74HC04 , CD74HCT04
工作原理图
1
1A
13
6A
12
6Y
11
5A
14
V
CC
2
1Y
2A
3
2Y
4
3A
5
10
5Y
3Y
6
9
4A
GND
7
8
4Y
真值表
输入
nA
L
H
nY
H
L
注: H =高电平, L =低电压电平
逻辑符号
nA
nY
2
CD54HC04 , CD54HCT04 , CD74HC04 , CD74HCT04
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
不适用
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
130
55
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
180
不适用
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至+ 85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC04 , CD54HCT04 , CD74HC04 , CD74HCT04
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
(注)
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
2
-40
o
C至+ 85
o
C
-
最大
20
-55
o
C至125
o
C
-
最大
40
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
注:对于双电源供电系统理论分析最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )特定网络阳离子是1.8毫安。
HCT输入负载表
输入
nB
单位负载
1.2
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟,数据输入到
输出y
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 15pF的
5
-
-
-
-
-
-
-
6
85
17
14
-
-
-
-
-
105
21
18
-
-
-
-
-
130
26
22
-
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC04 , CD54HCT04 , CD74HC04 , CD74HCT04
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
转换时间(图1 )
符号
t
TLH
, t
THL
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,输入到
输出(图2)
传播延迟,数据输入到
输出y
转换时间(图2 )
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
5
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
7
-
-
24
19
-
15
10
-
-
-
-
-
-
24
-
19
10
-
-
-
-
-
-
29
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
-
5
25
o
C
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
21
最大
75
15
13
10
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
最大
95
19
16
10
-
18
-
-
-
-
最大
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
pF
pF
TEST
条件
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC04 , CD74HC04 ,
CD54HCT04 , CD74HCT04
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS117E
1997年8月 - 修订2004年6月
高速CMOS逻辑六反相器
描述
CD54HC04,
CD54HCT04,
CD74HC04
CD74HCT04逻辑门采用硅栅CMOS
技术,实现运行速度类似于LSTTL
门,与标准的CMOS电路的低功耗
集成电路。所有器件都具有驱动10的能力
LSTTL负载。该74HCT逻辑系列功能引脚
与标准74LS逻辑系列兼容。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD54H
C04,
CD54H
CT04,
CD74H
C04,
CD74H
CT04)
/主题
(高
速度
典型传播延迟:为6ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2 V至6 V的操作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5 V至5.5 V的操作
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC04F3A
CD54HCT04F3A
CD74HC04E
CD74HC04M
CD74HC04MT
CD74HC04M96
CD74HCT04E
CD74HCT04M
CD74HCT04MT
CD74HCT04M96
CD74HCT04PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的TSSOP
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示
小批量卷轴250 。
引脚
CD54HC04 , CD54HCT04 ( CERDIP )
CD74HC04 ( PDIP , SOIC )
CD74HCT04 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
1A 1
1Y 2
2A 3
2Y 4
3A 5
3Y 6
7 GND
14 V
CC
13 6A
12 6Y
11 5A
10 5Y
9 4A
8 4Y
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年,德州仪器
1
CD54HC04 , CD74HC04 , CD54HCT04 , CD74HCT04
工作原理图
1
1A
13
6A
12
6Y
11
5A
14
V
CC
2
1Y
2A
3
2Y
4
3A
5
10
5Y
3Y
6
9
4A
GND
7
8
4Y
真值表
输入
nA
L
H
H =高电平, L =低电压电平
nY
H
L
逻辑符号
nA
nY
2
CD54HC04 , CD74HC04 , CD54HCT04 , CD74HCT04
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113
最高结温(密封包装或死亡) 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有等级和操作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
I
I
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至+ 85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC04 , CD74HC04 , CD54HCT04 , CD74HCT04
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统,理论上最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
- 2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
I
O
(毫安)V
CC
(V)
0
6
-
25
o
C
典型值
-
最大
2
-40
o
C至+ 85
o
C
-
最大
20
-55
o
C至125
o
C
-
最大
40
单位
A
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
5.5
-
±0.1
-
±1
-
±1
A
I
CC
I
CC
(注2 )
0
-
5.5
4.5
5.5
-
-
-
100
2
360
-
-
20
450
-
-
40
490
A
A
HCT输入负载表
输入
nB
单位负载
1.2
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
传播延迟,数据输入到
输出y
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 15pF的
5
-
-
-
-
-
-
-
6
85
17
14
-
-
-
-
-
105
21
18
-
-
-
-
-
130
26
22
-
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC04 , CD74HC04 , CD54HTC04 , CD74HCT04
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
转换时间(图1 )
符号
t
TLH
, t
THL
(续)
V
CC
(V)
2
4.5
6
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,输入到
输出(图2)
传播延迟,数据输入到
输出y
转换时间(图2 )
输入电容
功率耗散电容
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
I
C
PD
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
5
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
7
-
-
24
19
-
15
10
-
-
-
-
-
-
24
-
19
10
-
-
-
-
-
-
29
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
C
I
C
PD
-
-
-
5
25
o
C
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
21
最大
75
15
13
10
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
-
-
-
-
最大
95
19
16
10
-
18
-
-
-
-
最大
110
22
19
10
-
单位
ns
ns
ns
pF
pF
TEST
条件
C
L
= 50pF的
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图1. HC过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
图2. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
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联系人:郭
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139
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