1N4565A THRU 1N4584A AVAILABLE IN
JANHC和JANKC
每MIL -PRF-四百五十二分之一万九千五百
所有路口全面保护与二氧化硅
6.4伏齐纳电压+ 5 ％
电气上等同于1N4565 THRU 1N4584A
兼容所有的引线键合和芯片粘接技术，
焊锡RELOW的例外
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
CD4565
THRU
CD4584A
反向漏电流
l
R
= 2
A @ 25℃ & V
R
= 3伏直流
电气特性
@ 25°C, unless otherwise speci½ed.
齐纳
TEST
当前
升ZT
有效
温度
系数
电压
温度
稳定性
VZT MAX
-55 ℃至+ 100 ℃
（注2 ）
mV
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
温度
范围
最大
齐纳
阻抗
ZZT
（注1 ）
°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
欧
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
22密耳
TYPE
数
6.4V + 5%
mA
CD4565
CD4565A
CD4566
CD4566A
CD4567
CD4567A
CD4568
CD4568A
CD4569
CD4569A
CD4570
CD4570A
CD4571
CD4571A
CD4572
CD4572A
CD4573
CD4573A
CD4574
CD4574A
CD4575
CD4575A
CD4576
CD4576A
CD4577
CD4577A
CD4578
CD4578A
CD4579
CD4579A
CD4580
CD4580A
CD4581
CD4581A
CD4582
CD4582A
CD4583
CD4583A
CD4584
CD4584A
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
%/°C
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
背面是不是阴极，
必须是电绝缘的。
T =金属化测试点
设计数据
金属化：
上图： C（阴极） ..................铝
A（阳极） .....................铝
返回： .......................................金
AL厚度......... 25000
民
的金层厚度...... 4000
民
切屑厚度。
.............. 10密耳
电路布局数据：
背侧必须是电
孤立的。
背面是不是阴极。
齐纳操作阴极必
操作方面积极
阳极。
公差：
所有
外形尺寸+ 2密耳
.
注1
齐纳阻抗叠加在升ZT 60Hz的交流电有效值衍生当前
等于升的ZT的10％。
注2
观察到的在整个温度范围内的最大容许变化
i.e.,the diode voltage will not exceed the speci½ed mV at any discrete
既定的限制，根据JEDEC标准5号之间的温度。
6湖街，劳伦斯，
电话（ 978 ） 620-2600
网址： http://www.microsemi.com
M A S S小一建华美（E T）牛逼S 01841
传真（ 978 ） 689-0803
193
1N4565A THRU 1N4584A AVAILABLE IN
JANHC和JANKC
每MIL -PRF-四百五十二分之一万九千五百
所有路口全面保护与二氧化硅
6.4伏齐纳电压+ 5 ％
电气上等同于1N4565 THRU 1N4584A
兼容所有的引线键合和芯片粘接技术，
焊锡RELOW的例外
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
CD4565
THRU
CD4584A
反向漏电流
l
R
= 2
A @ 25℃ & V
R
= 3伏直流
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
齐纳
TEST
当前
升ZT
有效
温度
系数
电压
温度
稳定性
V
ZT MAX
-55 ℃至+ 100 ℃
（注2 ）
mV
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
48
100
24
50
10
20
5
10
2.5
5
温度
范围
最大
齐纳
阻抗
ZZT
（注1 ）
°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
0至+ 75°C
-55 + 100°C
欧
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
22密耳
TYPE
数
6.4V + 5%
mA
CD4565
CD4565A
CD4566
CD4566A
CD4567
CD4567A
CD4568
CD4568A
CD4569
CD4569A
CD4570
CD4570A
CD4571
CD4571A
CD4572
CD4572A
CD4573
CD4573A
CD4574
CD4574A
CD4575
CD4575A
CD4576
CD4576A
CD4577
CD4577A
CD4578
CD4578A
CD4579
CD4579A
CD4580
CD4580A
CD4581
CD4581A
CD4582
CD4582A
CD4583
CD4583A
CD4584
CD4584A
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
%/°C
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
.0005
.0005
背面是不是阴极，
必须是电绝缘的。
T =金属化测试点
设计数据
金属化：
上图： C（阴极） ...................铝
A（阳极） ......................铝
返回： .......................................金
AL厚度......... 25000
民
的金层厚度...... 4000
民
切屑厚度。
.............. 10密耳
电路布局数据：
背侧必须是电
孤立的。
背面是不是阴极。
齐纳操作阴极必
操作方面积极
阳极。
公差：
所有
外形尺寸+ 2密耳
.
注1
齐纳阻抗叠加在升ZT 60Hz的交流电有效值衍生当前
等于升的ZT的10％。
注2
观察到的在整个温度范围内的最大容许变化
即，二极管的电压不会超过特定网络连接编mV的任意离散
既定的限制，根据JEDEC标准5号之间的温度。
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
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