【CD4555BMSCD4556BMS1992年12月CMOS双二进制1 4解码器/多路解复用器引脚配】,IC型号CD4555BMS,CD4555BMS PDF资料,CD4555BMS经销商,ic,电子元器件-51电子网

CD4555BMS

CD4556BMS

1992年12月

CMOS双二进制1 4

解码器/多路解复用器

引脚配置

E

A

B

1

2

3

4

5

6

7

8

特点

高压型（ 20V额定值）

CD4555BMS ：输出高的选择

CD4556BMS ：输出低的选择

可扩展与多个包

CD4556BMS

顶视图

16 VDD

15 E

14 A

13 B

12 Q0

11 Q1

10 Q2

9 Q3

双1/2

Q0

Q1

Q2

Q3

VSS

100 ％测试静态电流为20V

标准化对称的输出特性

1μA的18V在整个封装的最大输入电流

年龄的温度范围;为100nA ，在18V和+25

o

C

噪声余量（在整个封装/温度范围）

- 1V在VDD = 5V

- 2V在VDD = 10V

- 在2.5V VDD = 15V

5V ， 10V和15V参数额定值

符合JEDEC的暂行标准的所有要求

13B号， “标准特定网络阳离子的说明

'B'系列CMOS器件“

双1/2

CD4555BMS

顶视图

E

A

B

Q0

Q1

Q2

Q3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

16 VDD

15 E

14 A

13 B

12 Q0

11 Q1

10 Q2

9 Q3

双1/2

应用

解码

代码转换

解复用（使用使能输入作为数据输入

内存芯片使能选

功能选择

功能图

VDD

A

B

E

2

3

1

16

4

5

6

7

12

11

10

9

VSS

8

Q0

Q1

Q2

Q3

Q0

Q1

Q2

Q3

描述

CD4555BMS和CD4556BMS是双一，四decod-

器/解复用器。每个解码器有两个选择输入（A

和B），一个使能输入端（ E）和4相互排斥的输出

放。在CD4555BMS输出为高电平的选择;上

在CD4556BMS输出为低选择。

当使能输入为高电平时，的输出

CD4555BMS保持低的输出

CD4556BMS保持的状态，无论高

选择输入A和B的CD4555BMS和CD4556BMS

相似类型分别MC14555和MC14556 。

该CD4555BMS和CD4556BMS这些供应

16引脚外形封装：

钎焊密封DIP

熔接密封DIP

陶瓷扁平

* CD4555B只

*H46

H4T

H1E

H6W

CD4556B只

A

B

E

14

13

15

CD4555BMS

VDD

A

B

E

2

3

1

16

4

5

6

7

12

11

10

9

VSS

8

Q0

Q1

Q2

Q3

Q0

Q1

Q2

Q3

A

B

E

14

13

15

CD4556BMS

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

网络文件编号

3346

7-1249

特定网络阳离子CD4555BMS ， CD4556BMS

绝对最大额定值

直流电源电压范围（ VDD ）。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至+ 20V

（电压参考VSS端子）

输入电压范围，所有输入。。。。。。。。。。。。。 - 0.5V至VDD + 0.5V

直流输入电流，在任何一个输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 10毫安

工作温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至+ 125

o

C

封装类型D，F ， K，H

存储温度范围（ TSTG ）。。。。。。。。。。。 -65

o

C至+150

o

C

焊接温度（焊接时）。。。。。。。。。。。。。。。。。 265

o

C

在距离1/16

±

1/32英寸（ 1.59毫米

±

0.79毫米）从案例

10S最大

可靠性信息

热阻。。。。。。。。。。。。。。。。

θ

ja

θ

jc

o

C / W

o

C / W

陶瓷DIP和熔块封装。。。。。 80

20

扁平封装。。。。。。。。。。。。。。。。 70

o

C / W

20

o

C / W

最大封装功耗（ PD ），在125

o

C

对于T

A

= -55

o

C至+100

o

C（封装类型D，F ， K）。。。。。。 500mW的

对于T

A

= +100

o

C至+ 125

o

C（封装类型D，F ， K）。。。。。。减额

线性在12MW /

o

C至200mW的

设备损耗每个输出晶体管。。。。。。。。。。。。。。。为100mW

对于T

A

=全包温度范围（所有封装类型）

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

表1. DC电性能等特点

A组

亚

1

2

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

输入漏电流

IIL

VIN = VDD和GND

VDD = 20

3

1

2

VDD = 18V

输入漏电流

IIH

VIN = VDD和GND

VDD = 20

3

1

2

VDD = 18V

输出电压

输出电流（漏）

输出电流（源）

N门限电压

P阈值电压

实用

VOL15

VOH15

IOL5

IOL10

IOL15

IOH5A

IOH5B

IOH10

IOH15

VNTH

VPTH

F

VDD = 15V ，无负载

VDD = 15V ，无负载（注3 ）

VDD = 5V ，输出电压= 0.4V

VDD = 10V ，输出电压= 0.5V

VDD = 15V ，输出电压= 1.5V

VDD = 5V ，输出电压= 4.6V

VDD = 5V ， VOUT = 2.5V

VDD = 10V ，输出电压= 9.5V

VDD = 15V ，输出电压= 13.5V

VDD = 10V ， ISS = -10μA

VSS = 0V ， IDD = 10μA

VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

VDD = 3V ， VIN = VDD和GND

输入电压低

（注2 ）

输入电压高

（注2 ）

输入电压低

（注2 ）

输入电压高

（注2 ）

VIL

VIH

VIL

VIH

VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V

VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，

VOL < 1.5V

VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，

VOL < 1.5V

3

1, 2, 3

1

7

8A

8B

1, 2, 3

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

民

-

-100

-1000

-100

-

最大

10

1000

10

-

100

1000

100

50

-

-0.53

-1.8

-1.4

-3.5

-0.7

2.8

单位

A

nA

mV

V

mA

V

参数

电源电流

符号

国际直拨电话

条件

（注1 ）

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C 14.95

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

-

3.5

-

11

0.53

1.4

3.5

-

-2.8

0.7

VOH VOL > <

VDD / 2 VDD / 2

1.5

-

4

-

V

注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试

实现的。

2.进入/不合格测试与限制适用于输入。

3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限

为0.050V最大。

7-1250

特定网络阳离子CD4555BMS ， CD4556BMS

表2. AC电性能等特点

A组

子群温

9

10, 11

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

9

10, 11

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

9

10, 11

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

范围

民

-

最大

440

594

400

540

200

270

单位

ns

参数

传播延迟

A或B输入到任何输出

传播延迟

E至任何输出

转换时间

符号

TPHL1

TPLH1

TPHL2

TPLH2

TTHL

tTLH

条件

（注1,2）

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

注意事项：

1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。

2. -55

o

C和+ 125

o

限额保障，正在实施100 ％检验。

表3.电气性能特性

范围

参数

电源电流

符号

国际直拨电话

条件

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

笔记

1, 2

温度

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

VDD = 10V ， VIN = VDD和GND

1, 2

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

VDD = 15V ， VIN = VDD和GND

1, 2

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

输出电压

输出电流（漏）

VOL

VOH

IOL5

VDD = 5V ，空载

VDD = 10V ，无负载

VDD = 5V ，空载

VDD = 10V ，无负载

VDD = 5V ，输出电压= 0.4V

1, 2

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（漏）

IOL10

VDD = 10V ，输出电压= 0.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（漏）

IOL15

VDD = 15V ，输出电压= 1.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH5A

VDD = 5V ，输出电压= 4.6V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH5B

VDD = 5V ， VOUT = 2.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH10

VDD = 10V ，输出电压= 9.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH15

VDD = 15V ， VOUT = 13.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输入电压低

输入电压高

VIL

VIH

VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V

1, 2

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

民

-

4.95

9.95

0.36

0.64

0.9

1.6

2.4

4.2

-

7

最大

5

150

10

300

10

600

50

-

-0.36

-0.64

-1.15

-2.0

-0.9

-1.6

-2.4

-4.2

3

-

单位

A

mV

V

mA

V

7-1251

特定网络阳离子CD4555BMS ， CD4556BMS

表3.电气性能特性（续）

范围

参数

传播延迟

A或B输入到任何输出

传播延迟

E至任何输出

转换时间

符号

TPHL1

TPLH1

TPHL2

TPLH2

TTHL

tTLH

CIN

条件

VDD = 10V

VDD = 15V

VDD = 10V

VDD = 15V

VDD = 10V

VDD = 15V

任何输入

笔记

1, 2, 3

1, 2

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

最大

190

140

170

130

100

80

7.5

单位

ns

pF

输入电容

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征

在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。

3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。

表4.辐照后的电气性能特性

范围

参数

电源电流

N门限电压

DELTA

P阈值电压

DELTA

实用

符号

国际直拨电话

VNTH

ΔVTN

VTP

ΔVTP

F

条件

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VDD = 10V ， ISS = -10μA

VSS = 0V ， IDD = 10μA

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

VDD = 3V ， VIN = VDD和GND

传播延迟时间

的TPH1

TPLH

VDD = 5V

1, 2, 3, 4

+25

o

C

笔记

1, 4

1

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

-2.8

-

0.2

-

VOH >

VDD/2

-

最大

25

-0.2

±1

2.8

±1

VOL <

VDD/2

1.35 x

+25

o

C

极限

单位

A

V

ns

注意事项： 1.参考设备GND所有电压。

2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。

3.请参阅表2 25

o

限制。

4.阅读并记录

表5.老化和寿命测试DELTA参数+25

o

C

参数

电源电流 - MSI- 2

输出电流（漏）

输出电流（源）

符号

国际直拨电话

IOL5

IOH5A

±

1.0A

±

20 ％×预试阅

±

20 ％×预试阅

DELTA LIMIT

表6.适用子群

符合的集团

初步测试（预残影）

中期测试1 （后残影）

临时测试2 （后残影）

的PDA （注1）

临时测试3 （后残影）

的PDA （注1）

MIL-STD-883

法

100% 5004

A组子群

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A

读取并记录

国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A

7-1252

特定网络阳离子CD4555BMS ， CD4556BMS

表6.适用子群

符合的集团

最终测试

A组

B组

D组

B亚组-5-

B亚组-6-

MIL-STD-883

法

100% 5004

样本5005

A组子群

2,3 ，8A，8B ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量

1, 7, 9

1 ，2，3 ， 8A，8B， 9

亚组1 ， 2 3

子群1，2， 3，9 ，10，11

读取并记录

注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。

表7.总剂量辐射

MIL-STD-883

法

5005

TEST

PRE - IRRAD

1, 7, 9

后IRRAD

表4

读取并记录

PRE - IRRAD

1, 9

后IRRAD

表4

合规组

E组小组2

表8. BURN -IN和辐射测试连接

振荡器

功能

静态老化测试1

注1

静态老化测试2

注1

动态烙印

注1

放射

注2

注意：

1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻

±

5 ％， VDD = 18V

±

0.5V

2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻

±

5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败，

VDD = 10V

±

0.5V

开放

4 - 7, 9 - 12

-

地

1 - 3, 8, 13 - 15

8

1, 8, 15

VDD

16

1 - 3, 13 - 16

16

4 - 7, 9 - 12

2, 14

3, 13

9V

±

-0.5V

50kHz

25kHz

零件号CD4555BMS & CD4556BMS

逻辑图

4(12)

2(14)

A

Q0

A

5(11)

Q1

6(10)

B

Q2

7(9)

Q3

VDD

E

2(14)

4(12)

Q0

5(11)

Q1

6(10)

*

3(13)

B

*

3(13)

*

1(15)

E

*

1(15)

7(9)

Q2

*

重点保护CMOS的所有输入

防护网

*

重点保护CMOS的所有输入

防护网

Q3

VDD

VSS

图1. CD455RBMS逻辑图（1/2 IDENTICAL

电路）

图2. CD4556BMS逻辑图（1/2 IDENTICAL

电路）

7-1253