CD4541B
CMOS可编程定时器
高电压类型（ 20V额定值）
从这个定时器的输出是从8号Q或Q输出，
10日， 13日， 16日或专柜的阶段。所要求的阶段被选择
使用时间选择输入A和B （见频率选择表） 。
输出可在以下两种模式通过可选择的
MODE输入，引脚10 （见真值表） 。在这种模式下输入
逻辑“1 ”时，输出将是具有连续的方波
一个频率等于振荡器频率除以2
N
.
随着MODE输入设置为逻辑“0”和一个主后
复位启动，输出（假设Q输出已
选择） 2之后从低变为高态
N-1
COUNTS
并保持该状态，直到另一个主复位脉冲
施加或模式输入设置为逻辑“1 ” 。
时间是由自动复位输入端（引脚5 ）设置初始化
逻辑“0” ，并接通电源。如果销5被设置为逻辑“ 1”，则
自动复位电路被关闭，计数之前不会启动
后的正主复位脉冲被施加，并返回
到一个较低的水平。自动复位消耗可观
权力和量不应若低功率操作中使用
是需要的。对于可靠的自动上电复位，V
DD
应
大于5V 。
RC振荡器，在图2中所示，振荡器采用
频率由RC网络来确定，并计算
使用：
1
-
f =
----------------------------------
2.3 R
TC
C
TC
其中f为1kHz之间
至100kHz
和R
S
≥
10k
Ω
和
≈
2R
TC
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS085E - 修订2003年9月
特点
[ /标题
(CD45
41B)
/子
拍摄对象
（CMO
S亲
革兰氏
梅布尔
定时器
高
电压
AGE
类型
(20V
额定
荷兰国际集团） ）
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
（ Har-
RIS
半
CON-
导体，
CD400
0,
金属
门，
CMOS
， PDIP ，
CERDIP ，
密耳，
mili-
tary ，
米尔
低对称的输出阻抗，典型100Ω
在V
DD
= 15V
内置低功耗RC振荡器
振荡器的频率范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DC至100kHz
外部时钟（适用于引脚3）可以代替使用
振荡器
作为2
N
分频器或作为单
过渡定时器
Q / Q选择提供输出逻辑电平的灵活性
AUTO（自动）或主复位会禁止振荡器在
重置为降低功耗
运行很慢时钟的上升和下降时间
能够驱动六低功耗TTL负载，三
低功率肖特基负载，或六HTL负载过
额定温度范围
对称输出特性
100 ％测试静态电流为20V
5V ， 10V ， 15V和参数额定值
符合JEDEC标准号13B的所有要求，
“标准的特定网络阳离子'B'系列的说明
CMOS器件“
描述
CD4541B可编程定时器由一个16位的二进制的
计数器，其通过外部RC康波受控振荡器
堂费（2电阻器和电容器），自动开机
复位电路，并输出控制逻辑。该计数器递增
于正沿时钟转变，也可以通过复位
主复位输入。
订购信息
产品型号
CD4541BF3A
CD4541BE
CD4541BM
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
引脚
CD4541B
（ CERDIP ， PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
顶视图
R
TC
1
C
TC
2
R
S
3
NC 4
自动复位5
MASTER RESET 6
V
SS
7
14 V
DD
13 B
12 A
11 NC
10人模式
9
8
Q / Q选择
产量
CD4541BMT
CD4541BM96
CD4541BNSR
CD4541BPW
CD4541BPWR
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD4541B
绝对最大额定值
直流电源 - 电压范围，V
DD
电压参考V
SS
终奌站。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流，在任何一个输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10mA
设备损耗每个输出晶体管
对于T
A
=全包温度范围
（所有的封装类型） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
o
C / W
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
o
C / W
SOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76
o
C / W
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113
o
C / W
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围（T
英镑
) . . . -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒）
在距离1 / 16英寸
±
1 / 32英寸（ 1.59毫米
±0.79mm)
从案例10秒最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围
对于T
A
=全包温度范围。 。 。 。 。 3V （最小值） ， 18V （典型值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
电气连接特定的阳离子
条件
V
O
(V)
-
-
-
-
输出低（汇）
电流l
OL
（分钟）
0.4
0.5
1.5
输出高（来源）
目前，我
OH
（分钟）
4.6
2.5
9.5
13.5
输出电压：
低层次的， V
OL
（最大）
-
-
-
输出电压：
高级别，V
OH
（分钟）
-
-
-
输入低电压，
V
IL
（最大）
0.5, 4.5
1, 9
1.5, 13.5
V
IN
(V)
0, 5
0, 10
0, 15
0, 20
0, 5
0, 10
0, 15
0, 5
0, 5
0, 10
0, 15
0, 5
0, 10
0, 15
0, 5
0, 10
0, 15
-
-
-
V
DD
(V)
5
10
15
20
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
限制了指定温度下（
o
C)
25
-55
5
10
20
100
1.9
5
12.6
-1.9
-6.2
-5
-12.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
5
10
20
100
1.85
4.8
12
-1.85
-6
-4.8
-12
85
150
300
600
3000
1.26
3.3
8.4
-1.26
-4.1
-3.3
-8.4
0.05
0.05
0.05
4.95
9.95
14.95
1.5
3
4
125
150
300
600
3000
1.08
2.8
7.2
-1.08
-3
-2.8
-7.2
民
-
-
-
-
1.55
4
10
-1.55
-5
-4
-10
-
-
-
4.95
9.95
14.95
-
-
-
典型值
0.04
0.04
0.04
0.08
3.1
8
20
-3.1
-10
-8
-20
0
0
0
5
10
15
-
-
-
最大
5
10
20
100
-
-
-
-
-
-
-
0.05
0.05
0.05
-
-
-
1.5
3
4
单位
μA
μA
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
参数
静态器件
目前，
（注2 ）I
DD
（最大）
3
CD4541B
电气连接特定的阳离子
（续）
条件
V
O
(V)
0.5, 4.5
1, 9
1.5, 13.5
输入电流，升
IN
（最大）
注意：
2.如果启用了自动复位，额外电流
漏
在25
o
C是：
7μA （典型值） ， 200μA （最大值）电压为5V ;
30μA （典型值） ， 350μA （最大值）为10V ;
80μA （典型值） ， 500μA （最大值） ，在15V
-
V
IN
(V)
-
-
-
0, 18
V
DD
(V)
5
10
15
18
限制了指定温度下（
o
C)
25
-55
-
-
-
±0.1
±0.1
-40
85
3.5
7
11
±1
±1
125
民
3.5
7
11
-
典型值
-
-
-
±10
-5
最大
-
-
-
±0.1
单位
V
V
V
μA
参数
输入高电压，
V
IH
（分钟）
动态电连接特定的阳离子
参数
传播延迟时间
时钟到Q
T
A
= 25
o
C，输入吨
r
, t
f
= 20ns的，C
L
= 50pF的，R
L
= 200kΩ
V
DD
(V)
5
10
15
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
900
300
225
-
-
-
典型值
3.5
1.25
0.9
6.0
3.5
2.5
100
50
40
180
90
65
300
100
85
1.5
4
6
无限
最大
10.5
3.8
2.9
18
10
7.5
200
100
80
360
180
130
-
-
-
-
-
-
单位
μs
μs
μs
μs
μs
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
μs
符号
(2
8
) t
PHL
, t
PLH
(2
16
) t
PHL
, t
PLH
5
10
15
转换时间
t
THL
5
10
15
t
THL
5
10
15
主复位，时钟
脉冲宽度
5
10
15
最大时钟脉冲输入
频率
f
CL
5
10
15
最大时钟脉冲输入
上升或下降时间
t
r
, t
f
5, 10, 15
4
CD4541B
CMOS可编程定时器
高电压类型（ 20V额定值）
从这个定时器的输出是从8号Q或Q输出，
10日， 13日， 16日或专柜的阶段。所要求的阶段被选择
使用时间选择输入A和B （见频率选择表） 。
输出可在以下两种模式通过可选择的
MODE输入，引脚10 （见真值表） 。在这种模式下输入
逻辑“1 ”时，输出将是具有连续的方波
一个频率等于振荡器频率除以2
N
.
随着MODE输入设置为逻辑“0”和一个主后
复位启动，输出（假设Q输出已
选择） 2之后从低变为高态
N-1
COUNTS
并保持该状态，直到另一个主复位脉冲
施加或模式输入设置为逻辑“1 ” 。
时间是由自动复位输入端（引脚5 ）设置初始化
逻辑“0” ，并接通电源。如果销5被设置为逻辑“ 1”，则
自动复位电路被关闭，计数之前不会启动
后的正主复位脉冲被施加，并返回
到一个较低的水平。自动复位消耗可观
权力和量不应若低功率操作中使用
是需要的。对于可靠的自动上电复位，V
DD
应
大于5V 。
RC振荡器，在图2中所示，振荡器采用
频率由RC网络来确定，并计算
使用：
1
-
f =
----------------------------------
2.3 R
TC
C
TC
其中f为1kHz之间
至100kHz
和R
S
≥
10k
Ω
和
≈
2R
TC
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS085E - 修订2003年9月
特点
[ /标题
(CD45
41B)
/子
拍摄对象
（CMO
S亲
革兰氏
梅布尔
定时器
高
电压
AGE
类型
(20V
额定
荷兰国际集团） ）
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
（ Har-
RIS
半
CON-
导体，
CD400
0,
金属
门，
CMOS
， PDIP ，
CERDIP ，
密耳，
mili-
tary ，
米尔
低对称的输出阻抗，典型100Ω
在V
DD
= 15V
内置低功耗RC振荡器
振荡器的频率范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DC至100kHz
外部时钟（适用于引脚3）可以代替使用
振荡器
作为2
N
分频器或作为单
过渡定时器
Q / Q选择提供输出逻辑电平的灵活性
AUTO（自动）或主复位会禁止振荡器在
重置为降低功耗
运行很慢时钟的上升和下降时间
能够驱动六低功耗TTL负载，三
低功率肖特基负载，或六HTL负载过
额定温度范围
对称输出特性
100 ％测试静态电流为20V
5V ， 10V ， 15V和参数额定值
符合JEDEC标准号13B的所有要求，
“标准的特定网络阳离子'B'系列的说明
CMOS器件“
描述
CD4541B可编程定时器由一个16位的二进制的
计数器，其通过外部RC康波受控振荡器
堂费（2电阻器和电容器），自动开机
复位电路，并输出控制逻辑。该计数器递增
于正沿时钟转变，也可以通过复位
主复位输入。
订购信息
产品型号
CD4541BF3A
CD4541BE
CD4541BM
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOP
14 Ld的TSSOP
14 Ld的TSSOP
引脚
CD4541B
（ CERDIP ， PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
顶视图
R
TC
1
C
TC
2
R
S
3
NC 4
自动复位5
MASTER RESET 6
V
SS
7
14 V
DD
13 B
12 A
11 NC
10人模式
9
8
Q / Q选择
产量
CD4541BMT
CD4541BM96
CD4541BNSR
CD4541BPW
CD4541BPWR
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年，德州仪器
1
CD4541B
绝对最大额定值
直流电源 - 电压范围，V
DD
电压参考V
SS
终奌站。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
直流输入电流，在任何一个输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10mA
设备损耗每个输出晶体管
对于T
A
=全包温度范围
（所有的封装类型） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80
o
C / W
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
o
C / W
SOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76
o
C / W
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113
o
C / W
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围（T
英镑
) . . . -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒）
在距离1 / 16英寸
±
1 / 32英寸（ 1.59毫米
±0.79mm)
从案例10秒最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围
对于T
A
=全包温度范围。 。 。 。 。 3V （最小值） ， 18V （典型值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
电气连接特定的阳离子
条件
V
O
(V)
-
-
-
-
输出低（汇）
电流l
OL
（分钟）
0.4
0.5
1.5
输出高（来源）
目前，我
OH
（分钟）
4.6
2.5
9.5
13.5
输出电压：
低层次的， V
OL
（最大）
-
-
-
输出电压：
高级别，V
OH
（分钟）
-
-
-
输入低电压，
V
IL
（最大）
0.5, 4.5
1, 9
1.5, 13.5
V
IN
(V)
0, 5
0, 10
0, 15
0, 20
0, 5
0, 10
0, 15
0, 5
0, 5
0, 10
0, 15
0, 5
0, 10
0, 15
0, 5
0, 10
0, 15
-
-
-
V
DD
(V)
5
10
15
20
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
限制了指定温度下（
o
C)
25
-55
5
10
20
100
1.9
5
12.6
-1.9
-6.2
-5
-12.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
5
10
20
100
1.85
4.8
12
-1.85
-6
-4.8
-12
85
150
300
600
3000
1.26
3.3
8.4
-1.26
-4.1
-3.3
-8.4
0.05
0.05
0.05
4.95
9.95
14.95
1.5
3
4
125
150
300
600
3000
1.08
2.8
7.2
-1.08
-3
-2.8
-7.2
民
-
-
-
-
1.55
4
10
-1.55
-5
-4
-10
-
-
-
4.95
9.95
14.95
-
-
-
典型值
0.04
0.04
0.04
0.08
3.1
8
20
-3.1
-10
-8
-20
0
0
0
5
10
15
-
-
-
最大
5
10
20
100
-
-
-
-
-
-
-
0.05
0.05
0.05
-
-
-
1.5
3
4
单位
μA
μA
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
参数
静态器件
目前，
（注2 ）I
DD
（最大）
3
CD4541B
电气连接特定的阳离子
（续）
条件
V
O
(V)
0.5, 4.5
1, 9
1.5, 13.5
输入电流，升
IN
（最大）
注意：
2.如果启用了自动复位，额外电流
漏
在25
o
C是：
7μA （典型值） ， 200μA （最大值）电压为5V ;
30μA （典型值） ， 350μA （最大值）为10V ;
80μA （典型值） ， 500μA （最大值） ，在15V
-
V
IN
(V)
-
-
-
0, 18
V
DD
(V)
5
10
15
18
限制了指定温度下（
o
C)
25
-55
-
-
-
±0.1
±0.1
-40
85
3.5
7
11
±1
±1
125
民
3.5
7
11
-
典型值
-
-
-
±10
-5
最大
-
-
-
±0.1
单位
V
V
V
μA
参数
输入高电压，
V
IH
（分钟）
动态电连接特定的阳离子
参数
传播延迟时间
时钟到Q
T
A
= 25
o
C，输入吨
r
, t
f
= 20ns的，C
L
= 50pF的，R
L
= 200kΩ
V
DD
(V)
5
10
15
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
900
300
225
-
-
-
典型值
3.5
1.25
0.9
6.0
3.5
2.5
100
50
40
180
90
65
300
100
85
1.5
4
6
无限
最大
10.5
3.8
2.9
18
10
7.5
200
100
80
360
180
130
-
-
-
-
-
-
单位
μs
μs
μs
μs
μs
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
μs
符号
(2
8
) t
PHL
, t
PLH
(2
16
) t
PHL
, t
PLH
5
10
15
转换时间
t
THL
5
10
15
t
THL
5
10
15
主复位，时钟
脉冲宽度
5
10
15
最大时钟脉冲输入
频率
f
CL
5
10
15
最大时钟脉冲输入
上升或下降时间
t
r
, t
f
5, 10, 15
4
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