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CD4517BMS
1992年12月
CMOS双路64级
静态移位寄存器
描述
CD4517BMS双64级静态移位
寄存器由两个独立的寄存器
每一个都具有一个时钟,数据,以及写使能
输入,并在抽头访问输出以下
16日, 32rd ,第48 ,第64和阶段。这些
抽头也作为输入点,允许数据
在第17 ,第33 ,第49和要输入
阶段时,写使能输入是一个逻辑
1和时钟经过一个低到高的
过渡。事实表说明了如何在
时钟和写使能输入控制
opeation的CD4517BMS的。输入的
中间抽头允许输入64位的成
寄存器与16个时钟脉冲。三态
该器件的输出端允许连接到
外部总线。
该CD4517BMS在这16领先供应
外形封装:
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4X
H1F
H6P
特点
高电压类型( 20伏评分)
低静态电流 - 在10nA / PKG (典型值) ,在VDD = 5V
时钟频率为12MHz (典型值) ,在VDD = 10V
施密特触发器的时钟输入允许运行很慢时钟
上升和下降时间
可驱动两个低功耗TTL负载,一个低功耗
肖特基TTL负载,或者两个HTL负载
??三态输出
100 %测试静态电流为20V
标准化对称的输出特性
5V , 10V , 15V和参数额定值
符合JEDEC暂定标准号13B的所有要求,
"Standard特定连接的阳离子为'B'系列CMOS描述
DEVICES"
应用
延时电路
便签记忆
通用串行移位寄存器的应用
引脚
CD4517BMS
顶视图
Q16A 1
Q48A 2
WEA 3
CLA 4
Q64A 5
Q32A 6
DA 7
VSS 8
16 VDD
15 Q16B
14 Q48B
13 WEB
12 CLB
11 Q64B
10 Q32B
9分贝
工作原理图
CL
CL
Q16
D
D1
16级
WE = 0
CL
Q32
D17
16级
WE = 1
CL
Q48
D33
16级
CL
Q64
D49
16级
WE
STAGE 16
OUT / IN TAP
STAGE32
OUT / IN TAP
STAGE 48
OUT / IN TAP
STAGE 64
OUT / IN TAP
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3341
7-1197
特定网络阳离子CD4517BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗( PD ) ,在125
o
C
对于T
A
= -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于T
A
= +100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于T
A
=全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ,无负载
VDD = 15V ,无负载(注3 )
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
VDD = 15V ,输出电压= 13.5V
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
三态输出
泄漏
VIL
VIH
VIL
VIH
IOZL
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VIN = VDD和GND
VOUT = 0V
VDD = 20V
VDD = 18V
三态输出
泄漏
IOZH
VIN = VDD和GND
VOUT = VDD
VDD = 20V
VDD = 18V
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2
3
1
2
3
+25
o
C,
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.95
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
10
1000
10
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+125
o
C,
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25 C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
o
o
-55
o
C
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
-
3.5
-
11
-0.4
-12
-0.4
-
-
-
1.5
-
4
-
-
-
-
0.4
12
0.4
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-1198
特定网络阳离子CD4517BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
-
-
-
-
3
2.22
最大
400
540
200
270
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
参数
传播延迟
时钟16
转换时间
符号
的TPH1
TPLH
TTHL
tTLH
整箱
条件
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
最大时钟输入
频率
注意事项:
1. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障,正在实施100 %检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL10
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL15
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5A
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5B
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH10
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH15
VDD = 15V , VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
VIL
VIH
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+7
最大
5
150
10
300
10
600
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
3
-
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
7-1199
特定网络阳离子CD4517BMS
表3.电气性能特性(续)
范围
参数
传播延迟
时钟Q16
传播延迟
3 ,状态,我们要Q16
符号
的TPH1
TPLH
条件
VDD = 10V
VDD = 15V
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 5
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
6
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
最大
220
180
150
80
60
100
80
-
-
20
10
10
200
100
50
180
80
50
100
50
40
-
-
-
15
5
5
7.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
pF
TPHZ , ZH VDD = 5V
TPLZ , ZL
VDD = 10V
VDD = 15V
转换时间
TTHL
tTLH
整箱
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
最大时钟输入
频率
最小数据时钟
建立时间
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小数据时钟
保持时间
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小时钟脉冲
宽度
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小的写使能 -
到时钟发布时间
TR
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
写使能到时钟
建立时间
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最大时钟输入
上升和下降时间
TRCL
tfCL
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项:
CIN
任何输入
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的,并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
4.测量温度为10 %的变化与输出负载50pF的,RL = 1KΩ输出点至VDD TPZL和TPLZ和RL = 1KΩ到VSS
对于TPZH和TPHZ
5.如果多个单元被级联, TRCL应小于或等于sumof的过渡时间和固定的传播
延迟的驱动级的估计容性负载的输出。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
条件
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 10V , ISS = -10μA
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-2.8
-
0.2
最大
25
-0.2
±1
2.8
单位
A
V
V
V
7-1200
特定网络阳离子CD4517BMS
表4.辐照后的电气性能特性(续)
范围
参数
P阈值电压
DELTA
实用
符号
ΔVTP
F
条件
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
VOH >
VDD/2
-
最大
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
V
V
ns
注意事项: 1.参考设备GND所有电压。
2,CL = 50pF的, RL = 200K ,输入TR , TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
o
C
参数
电源电流 - MSI- 2
输出电流(漏)
输出电流(源)
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
1.0A
±
20 %×预试阅
±
20 %×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试(预残影)
中期测试1 (后残影)
临时测试2 (后残影)
的PDA (注1)
临时测试3 (后残影)
的PDA (注1)
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
1, 7, 9
1 ,2,3 , 8A,8B, 9
亚组1 , 2 3
子群1,2, 3,9 ,10,11
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
读取并记录
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
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注: 1。 5 % Parameteric , 3 %的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
(注1 )
静态老化测试2
(注1 )
动态烙印
在(注1 )
开放
1, 2, 5, 6, 10, 11,
14, 15
1, 2, 5, 6, 10, 11,
14, 15
-
3, 4, 7-9, 12, 13
8
3, 8, 13
VDD
16
3, 4, 7, 9, 12, 13,
16
16
1, 2, 5, 6, 10, 11,
14, 15
4, 12
7, 9
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
7-1201
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