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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1511页 > CD4517
CD4517BMS
1992年12月
CMOS双路64级
静态移位寄存器
描述
CD4517BMS双64级静态移位
寄存器由两个独立的寄存器
每一个都具有一个时钟，数据，以及写使能
输入，并在抽头访问输出以下
16日， 32rd ，第48 ，第64和阶段。这些
抽头也作为输入点，允许数据
在第17 ，第33 ，第49和要输入
阶段时，写使能输入是一个逻辑
1和时钟经过一个低到高的
过渡。事实表说明了如何在
时钟和写使能输入控制
opeation的CD4517BMS的。输入的
中间抽头允许输入64位的成
寄存器与16个时钟脉冲。三态
该器件的输出端允许连接到
外部总线。
该CD4517BMS在这16领先供应
外形封装：
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4X
H1F
H6P
特点
高电压类型（ 20伏评分）
低静态电流 - 在10nA / PKG （典型值） ，在VDD = 5V
时钟频率为12MHz （典型值） ，在VDD = 10V
施密特触发器的时钟输入允许运行很慢时钟
上升和下降时间
可驱动两个低功耗TTL负载，一个低功耗
肖特基TTL负载，或者两个HTL负载
??三态输出
100 ％测试静态电流为20V
标准化对称的输出特性
5V ， 10V ， 15V和参数额定值
符合JEDEC暂定标准号13B的所有要求，
"Standard特定连接的阳离子为'B'系列CMOS描述
DEVICES"
应用
延时电路
便签记忆
通用串行移位寄存器的应用
引脚
CD4517BMS
顶视图
Q16A 1
Q48A 2
WEA 3
CLA 4
Q64A 5
Q32A 6
DA 7
VSS 8
16 VDD
15 Q16B
14 Q48B
13 WEB
12 CLB
11 Q64B
10 Q32B
9分贝
工作原理图
CL
CL
Q16
D
D1
16级
WE = 0
CL
Q32
D17
16级
WE = 1
CL
Q48
D33
16级
CL
Q64
D49
16级
WE
STAGE 16
OUT / IN TAP
STAGE32
OUT / IN TAP
STAGE 48
OUT / IN TAP
STAGE 64
OUT / IN TAP
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3341
7-1197
特定网络阳离子CD4517BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于T
A
= -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于T
A
= +100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于T
A
=全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ，无负载
VDD = 15V ，无负载（注3 ）
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
VDD = 15V ，输出电压= 13.5V
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
三态输出
泄漏
VIL
VIH
VIL
VIH
IOZL
VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V
VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，
VOL < 1.5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，
VOL < 1.5V
VIN = VDD和GND
VOUT = 0V
VDD = 20V
VDD = 18V
三态输出
泄漏
IOZH
VIN = VDD和GND
VOUT = VDD
VDD = 20V
VDD = 18V
注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2
3
1
2
3
+25
o
C,
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.95
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
10
1000
10
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+125
o
C,
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25 C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
o
o
-55
o
C
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
-
3.5
-
11
-0.4
-12
-0.4
-
-
-
1.5
-
4
-
-
-
-
0.4
12
0.4
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-1198
特定网络阳离子CD4517BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
9
10, 11
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
3
2.22
最大
400
540
200
270
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
参数
传播延迟
时钟16
转换时间
符号
的TPH1
TPLH
TTHL
tTLH
整箱
条件
（注1,2）
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
最大时钟输入
频率
注意事项：
1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL10
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL15
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5A
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5B
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH10
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH15
VDD = 15V ， VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
VIL
VIH
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+7
最大
5
150
10
300
10
600
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
3
-
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
7-1199
特定网络阳离子CD4517BMS
表3.电气性能特性（续）
范围
参数
传播延迟
时钟Q16
传播延迟
3 ，状态，我们要Q16
符号
的TPH1
TPLH
条件
VDD = 10V
VDD = 15V
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 5
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
6
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
最大
220
180
150
80
60
100
80
-
-
20
10
10
200
100
50
180
80
50
100
50
40
-
-
-
15
5
5
7.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
pF
TPHZ ， ZH VDD = 5V
TPLZ ， ZL
VDD = 10V
VDD = 15V
转换时间
TTHL
tTLH
整箱
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
最大时钟输入
频率
最小数据时钟
建立时间
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小数据时钟
保持时间
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小时钟脉冲
宽度
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小的写使能 -
到时钟发布时间
TR
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
写使能到时钟
建立时间
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最大时钟输入
上升和下降时间
TRCL
tfCL
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项：
CIN
任何输入
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
4.测量温度为10 ％的变化与输出负载50pF的，RL = 1KΩ输出点至VDD TPZL和TPLZ和RL = 1KΩ到VSS
对于TPZH和TPHZ
5.如果多个单元被级联， TRCL应小于或等于sumof的过渡时间和固定的传播
延迟的驱动级的估计容性负载的输出。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
最大
25
-0.2
±1
2.8
单位
A
V
V
V
7-1200
特定网络阳离子CD4517BMS
表4.辐照后的电气性能特性（续）
范围
参数
P阈值电压
DELTA
实用
符号
ΔVTP
F
条件
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
民
-
VOH >
VDD/2
-
最大
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
V
V
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
o
C
参数
电源电流 - MSI- 2
输出电流（漏）
输出电流（源）
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
1.0A
±
20 ％×预试阅
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
临时测试3 （后残影）
的PDA （注1）
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
1, 7, 9
1 ，2，3 ， 8A，8B， 9
亚组1 ， 2 3
子群1，2， 3，9 ，10，11
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
法
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
（注1 ）
静态老化测试2
（注1 ）
动态烙印
在（注1 ）
开放
1, 2, 5, 6, 10, 11,
14, 15
1, 2, 5, 6, 10, 11,
14, 15
-
地
3, 4, 7-9, 12, 13
8
3, 8, 13
VDD
16
3, 4, 7, 9, 12, 13,
16
16
1, 2, 5, 6, 10, 11,
14, 15
4, 12
7, 9
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
7-1201
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS075
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS075
CD4517BMS
1992年12月
CMOS双路64级
静态移位寄存器
描述
CD4517BMS双64级静态移位
寄存器由两个独立的寄存器
每一个都具有一个时钟，数据，以及写使能
输入，并在抽头访问输出以下
16日， 32rd ，第48 ，第64和阶段。这些
抽头也作为输入点，允许数据
在第17 ，第33 ，第49和要输入
阶段时，写使能输入是一个逻辑
1和时钟经过一个低到高的
过渡。事实表说明了如何在
时钟和写使能输入控制
opeation的CD4517BMS的。输入的
中间抽头允许输入64位的成
寄存器与16个时钟脉冲。三态
该器件的输出端允许连接到
外部总线。
该CD4517BMS在这16领先供应
外形封装：
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4X
H1F
H6P
特点
高电压类型（ 20伏评分）
低静态电流 - 在10nA / PKG （典型值） ，在VDD = 5V
时钟频率为12MHz （典型值） ，在VDD = 10V
施密特触发器的时钟输入允许运行很慢时钟
上升和下降时间
可驱动两个低功耗TTL负载，一个低功耗
肖特基TTL负载，或者两个HTL负载
??三态输出
100 ％测试静态电流为20V
标准化对称的输出特性
5V ， 10V ， 15V和参数额定值
符合JEDEC暂定标准号13B的所有要求，
"Standard特定连接的阳离子为'B'系列CMOS描述
DEVICES"
应用
延时电路
便签记忆
通用串行移位寄存器的应用
引脚
CD4517BMS
顶视图
Q16A 1
Q48A 2
WEA 3
CLA 4
Q64A 5
Q32A 6
DA 7
VSS 8
16 VDD
15 Q16B
14 Q48B
13 WEB
12 CLB
11 Q64B
10 Q32B
9分贝
工作原理图
CL
CL
Q16
D
D1
16级
WE = 0
CL
Q32
D17
16级
WE = 1
CL
Q48
D33
16级
CL
Q64
D49
16级
WE
STAGE 16
OUT / IN TAP
STAGE32
OUT / IN TAP
STAGE 48
OUT / IN TAP
STAGE 64
OUT / IN TAP
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3341
7-1197
特定网络阳离子CD4517BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于T
A
= -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于T
A
= +100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于T
A
=全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ，无负载
VDD = 15V ，无负载（注3 ）
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
VDD = 15V ，输出电压= 13.5V
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
三态输出
泄漏
VIL
VIH
VIL
VIH
IOZL
VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V
VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，
VOL < 1.5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，
VOL < 1.5V
VIN = VDD和GND
VOUT = 0V
VDD = 20V
VDD = 18V
三态输出
泄漏
IOZH
VIN = VDD和GND
VOUT = VDD
VDD = 20V
VDD = 18V
注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2
3
1
2
3
+25
o
C,
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.95
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
10
1000
10
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+125
o
C,
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25 C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
o
o
-55
o
C
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
-
3.5
-
11
-0.4
-12
-0.4
-
-
-
1.5
-
4
-
-
-
-
0.4
12
0.4
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-1198
特定网络阳离子CD4517BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
9
10, 11
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
3
2.22
最大
400
540
200
270
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
参数
传播延迟
时钟16
转换时间
符号
的TPH1
TPLH
TTHL
tTLH
整箱
条件
（注1,2）
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
最大时钟输入
频率
注意事项：
1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL10
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL15
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5A
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5B
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH10
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH15
VDD = 15V ， VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
VIL
VIH
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+7
最大
5
150
10
300
10
600
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
3
-
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
7-1199
特定网络阳离子CD4517BMS
表3.电气性能特性（续）
范围
参数
传播延迟
时钟Q16
传播延迟
3 ，状态，我们要Q16
符号
的TPH1
TPLH
条件
VDD = 10V
VDD = 15V
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 5
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
6
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0
0
0
-
-
-
-
最大
220
180
150
80
60
100
80
-
-
20
10
10
200
100
50
180
80
50
100
50
40
-
-
-
15
5
5
7.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
pF
TPHZ ， ZH VDD = 5V
TPLZ ， ZL
VDD = 10V
VDD = 15V
转换时间
TTHL
tTLH
整箱
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
最大时钟输入
频率
最小数据时钟
建立时间
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小数据时钟
保持时间
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小时钟脉冲
宽度
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小的写使能 -
到时钟发布时间
TR
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
写使能到时钟
建立时间
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最大时钟输入
上升和下降时间
TRCL
tfCL
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项：
CIN
任何输入
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
4.测量温度为10 ％的变化与输出负载50pF的，RL = 1KΩ输出点至VDD TPZL和TPLZ和RL = 1KΩ到VSS
对于TPZH和TPHZ
5.如果多个单元被级联， TRCL应小于或等于sumof的过渡时间和固定的传播
延迟的驱动级的估计容性负载的输出。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
最大
25
-0.2
±1
2.8
单位
A
V
V
V
7-1200
特定网络阳离子CD4517BMS
表4.辐照后的电气性能特性（续）
范围
参数
P阈值电压
DELTA
实用
符号
ΔVTP
F
条件
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
民
-
VOH >
VDD/2
-
最大
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
V
V
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
o
C
参数
电源电流 - MSI- 2
输出电流（漏）
输出电流（源）
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
1.0A
±
20 ％×预试阅
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
临时测试3 （后残影）
的PDA （注1）
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
1, 7, 9
1 ，2，3 ， 8A，8B， 9
亚组1 ， 2 3
子群1，2， 3，9 ，10，11
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
法
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
（注1 ）
静态老化测试2
（注1 ）
动态烙印
在（注1 ）
开放
1, 2, 5, 6, 10, 11,
14, 15
1, 2, 5, 6, 10, 11,
14, 15
-
地
3, 4, 7-9, 12, 13
8
3, 8, 13
VDD
16
3, 4, 7, 9, 12, 13,
16
16
1, 2, 5, 6, 10, 11,
14, 15
4, 12
7, 9
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
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