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CD4514BC CD4515BC 4位锁存/ 4至16线路解码器
1987年10月
修订后的2000年8月
CD4514BC CD4515BC
4位锁存/ 4至16线路解码器
概述
该CD4514BC和CD4515BC是4至16线解码器
与互补型MOS执行锁存输入
与N沟道和P沟道构造( CMOS)电路
增强型晶体管。这些电路prima-
在解码应用中的低功耗耗散rily使用
化和/或高抗噪能力是必需的。
该CD4514BC (输出高电平有效选项)提出了一个的Logical
卡尔“1”时所选择的输出,而CD4515BC预
货物内的逻辑“0”,在选定的输出。输入锁存
是R-S型触发器,它在最后一页的输入数据的预
之前,从“1”到“0”的选通脉冲过渡sented 。这
输入的数据进行解码,并输出相应的被激
氧基团。一个输出禁止线也可以。
特点
s
宽电源电压范围:
s
低功耗TTL :扇出的2
兼容性:
驾驶74L
s
低静态功耗:
0.025
W /包@ 5.0 V
DC
s
单电源供电
s
输入阻抗
=
10
12
通常
s
插入式替代MC14514 , MC14515
3.0V至15V
s
高抗干扰性: 0.45 V
DD
(典型值)。
订购代码:
订单号
CD4514BCWM
CD4514BCN
CD4515BCWM
CD4515BCN
包装数
M24B
N24A
M24B
N24A
包图
24引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 ,宽0.300
24引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 011 ,宽0.600
24引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 ,宽0.300
24引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 011 ,宽0.600
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
顶视图
2000仙童半导体公司
DS005994
www.fairchildsemi.com
CD4514BC CD4515BC
真值表
解码真值表(频闪
=
1)
数据输入
抑制
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
X
=
不在乎
选定的输出
A
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
CD4514
=
逻辑“1”的
CD4515
=
逻辑“0”的
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
所有输出
=
0 , CD4514
所有输出
=
1 , CD4515
D
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X
C
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
X
B
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
逻辑图
www.fairchildsemi.com
2
CD4514BC CD4515BC
绝对最大额定值
(注1 )
(注2 )
直流电源电压(V
DD
)
输入电压(V
IN
)
存储温度范围(T
S
)
功耗(P
D
)
双列直插式
小尺寸
引线温度(T
L
)
(焊接, 10秒)
260
°
C
700毫瓦
500毫瓦
推荐工作
条件
(注2 )
直流电源电压(V
DD
)
输入电压(V
IN
)
工作温度范围(T
A
)
CD4514BC , CD4515BC
3V至15V
0V至V
DD
0.5V至
+
18V
0.5V至V
DD
+
0.5V
65
°
C到
+
150
°
C
40
°
C到
+
85
°
C
注1 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该
该装置的安全性不能得到保证。除了“工作温度
TURE范围“他们并不意味着该设备应能操作
ated这些限制。 “推荐工作条件”的表
和“电气特性”提供了器件的实际操作情况
化。
注2 :
V
SS
=
0V ,除非另有规定。
DC电气特性
(注2 )
CD4514BC , CD4515BC
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
V
OL
低层
输出电压
条件
V
DD
=
5V, V
IN
=
V
DD
或V
SS
V
DD
=
10V, V
IN
=
V
DD
或V
SS
V
DD
=
15V, V
IN
=
V
DD
或V
SS
V
IL
=
0V, V
IH
=
V
DD
,
|I
O
|
& LT ;
1
A
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
OH
高层
输出电压
V
IL
=
0V, V
IH
=
V
DD
,
|I
O
|
& LT ;
1
A
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
IL
低层
输入电压
|I
O
|
& LT ;
1
A
V
DD
=
5V, V
O
=
0.5V或4.5V
V
DD
=
10V, V
O
=
1.0V或9.0V
V
DD
=
15V, V
O
=
1.5V或13.5V
V
IH
高层
输入电压
|I
O
|
& LT ;
1
A
V
DD
=
5V, V
O
=
0.5V或4.5V
V
DD
=
10V, V
O
=
1.0V或9.0V
V
DD
=
15V, V
O
=
1.5V或13.5V
I
OL
低电平输出
电流(注3)
I
OH
高电平输出
电流(注3)
I
IN
输入电流
V
DD
=
5V, V
O
=
0.4V
V
DD
=
10V, V
O
=
0.5V
V
DD
=
15V, V
O
=
1.5V
V
DD
=
5V, V
O
=
4.6V
V
DD
=
10V, V
O
=
9.5V
V
DD
=
15V, V
O
=
13.5V
V
DD
=
15V, V
IN
=
0V
V
DD
=
15V, V
IN
=
15V
注3 :
I
OH
OL
是在一个经过时间考验的一个输出。
40°C
最大
20
40
80
+25°C
典型值
0.005
0.010
0.015
最大
20
40
80
+85°C
最大
150
300
600
单位
A
A
A
0.05
0.05
0.05
0
0
0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
V
V
4.95
9.95
14.95
1.5
3.0
4.0
3.5
7.0
11.0
0.52
1.3
3.6
0.52
1.3
3.6
0.3
0.3
4.95
9.95
14.95
5.0
10.0
15.0
2.25
4.50
6.75
1.5
3.0
4.0
4.95
9.95
14.95
1.5
3.0
4.0
3.5
7.0
11.0
0.36
0.90
2.4
0.36
0.90
2.4
0.3
0.3
1.0
1.0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
3.5
7.0
11.0
0.44
1.1
3.0
0.44
1.1
3.0
2.75
5.50
8.25
0.88
2.25
8.8
0.88
2.25
8.8
10
5
10
5
3
www.fairchildsemi.com
CD4514BC CD4515BC
AC电气特性
符号
t
THL
, t
TLH
参数
转换时间
(注4 )
条件
典型值
100
50
40
550
225
150
400
150
100
125
50
38
175
50
38
150
5
7.5
最大
200
100
80
1100
450
300
800
300
200
250
100
75
350
100
75
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
所有的C型
L
=
50 pF的,T
A
=
25
°
C,T
r
=
t
f
=
20毫微秒,除非另有说明
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
t
PLH
, t
PHL
传播延迟时间
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
t
PLH
, t
PHL
禁止传播
延迟时间
t
SU
建立时间
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
t
WH
选通脉冲宽度
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
C
PD
C
IN
功率耗散电容
输入电容
每包(注5 )
任何输入(注6 )
注4 :
AC参数都保证了DC相关测试。
注5 :
C
PD
决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整说明,请参阅家族特征应用笔记,
AN-90.
注6 :
电容是由周期性检测保证。
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4
CD4514BC CD4515BC
AC测试电路和开关时间波形
图1 。
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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    CD4515BCWMX
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电话:0755-83291010 83678410
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联系人:李
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