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CD4514BC CD4515BC 4位锁存/ 4至16线路解码器
1987年10月
修订后的2004年1月
CD4514BC CD4515BC
4位锁存/ 4至16线路解码器
概述
该CD4514BC和CD4515BC是4至16线解码器
与互补型MOS执行锁存输入
与N沟道和P沟道构造( CMOS)电路
增强型晶体管。这些电路prima-
在解码应用中的低功耗耗散rily使用
化和/或高抗噪能力是必需的。
该CD4514BC (输出高电平有效选项)提出了一个的Logical
卡尔“1”时所选择的输出,而CD4515BC预
货物内的逻辑“0”,在选定的输出。输入锁存
是R-S型触发器,它在最后一页的输入数据的预
之前,从“1”到“0”的选通脉冲过渡sented 。这
输入的数据进行解码,并输出相应的被激
氧基团。一个输出禁止线也可以。
特点
s
宽电源电压范围:
s
低功耗TTL :扇出的2
兼容性:
驾驶74L
s
低静态功耗:
0.025
W /包@ 5.0 V
DC
s
单电源供电
s
输入阻抗
=
10
12
通常
s
插入式替代MC14514 , MC14515
3.0V至15V
s
高抗干扰性: 0.45 V
DD
(典型值)。
订购代码:
订单号
CD4514BCWM
CD4514BCN
CD4515BCWM
(注1 )
CD4515BCN
包装数
M24B
N24A
M24B
N24A
包图
24引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300"宽
24引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 011 , 0.600"宽
24引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 013 , 0.300"宽
24引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 011 , 0.600"宽
注1 :
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
顶视图
2004仙童半导体公司
DS005994
www.fairchildsemi.com
CD4514BC CD4515BC
真值表
解码真值表(频闪
=
1)
数据输入
抑制
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
X
=
不在乎
选定的输出
A
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
CD4514
=
逻辑“1”的
CD4515
=
逻辑“0”的
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
所有输出
=
0 , CD4514
所有输出
=
1 , CD4515
D
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X
C
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
X
B
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
逻辑图
www.fairchildsemi.com
2
CD4514BC CD4515BC
绝对最大额定值
(注2 )
(注3)
直流电源电压(V
DD
)
输入电压(V
IN
)
存储温度范围(T
S
)
功耗(P
D
)
双列直插式
小尺寸
引线温度(T
L
)
(焊接, 10秒)
260
°
C
700毫瓦
500毫瓦
推荐工作
条件
(注3)
直流电源电压(V
DD
)
输入电压(V
IN
)
工作温度范围(T
A
)
CD4514BC , CD4515BC
3V至15V
0V至V
DD
0.5V至
+
18V
0.5V至V
DD
+
0.5V
65
°
C到
+
150
°
C
55
°
C到
+
125
°
C
注2 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该
该装置的安全性不能得到保证。除了“工作温度
TURE范围“他们并不意味着该设备应能操作
ated这些限制。 “推荐工作条件”的表
和“电气特性”提供了器件的实际操作情况
化。
注3 :
V
SS
=
0V ,除非另有规定。
DC电气特性
(注3)
CD4514BC , CD4515BC
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
V
OL
低层
输出电压
条件
V
DD
=
5V, V
IN
=
V
DD
或V
SS
V
DD
=
10V, V
IN
=
V
DD
或V
SS
V
DD
=
15V, V
IN
=
V
DD
或V
SS
V
IL
=
0V, V
IH
=
V
DD
,
|I
O
|
& LT ;
1
A
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
OH
高层
输出电压
V
IL
=
0V, V
IH
=
V
DD
,
|I
O
|
& LT ;
1
A
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
IL
低层
输入电压
|I
O
|
& LT ;
1
A
V
DD
=
5V, V
O
=
0.5V或4.5V
V
DD
=
10V, V
O
=
1.0V或9.0V
V
DD
=
15V, V
O
=
1.5V或13.5V
V
IH
高层
输入电压
|I
O
|
& LT ;
1
A
V
DD
=
5V, V
O
=
0.5V或4.5V
V
DD
=
10V, V
O
=
1.0V或9.0V
V
DD
=
15V, V
O
=
1.5V或13.5V
I
OL
低电平输出
电流(注4 )
I
OH
高电平输出
电流(注4 )
I
IN
输入电流
V
DD
=
5V, V
O
=
0.4V
V
DD
=
10V, V
O
=
0.5V
V
DD
=
15V, V
O
=
1.5V
V
DD
=
5V, V
O
=
4.6V
V
DD
=
10V, V
O
=
9.5V
V
DD
=
15V, V
O
=
13.5V
V
DD
=
15V, V
IN
=
0V
V
DD
=
15V, V
IN
=
15V
注4 :
I
OH
OL
是在一个经过时间考验的一个输出。
55°C
最大
5
10
20
+25°C
典型值
0.005
0.010
0.015
最大
5
10
20
+125°C
最大
150
300
600
单位
A
0.05
0.05
0.05
0
0
0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
4.95
9.95
14.95
1.5
3.0
4.0
3.5
7.0
11.0
0.64
1.6
4.2
0.64
1.6
4.2
0.1
0.1
4.95
9.95
14.95
5.0
10.0
15.0
2.25
4.50
6.75
1.5
3.0
4.0
4.95
9.95
14.95
1.5
3.0
4.0
3.5
7.0
11.0
0.36
0.90
2.4
0.36
0.90
2.4
0.1
0.1
1.0
1.0
A
mA
mA
V
V
V
3.5
7.0
11.0
0.51
1.3
3.4
0.51
1.3
3.4
2.75
5.50
8.25
0.88
2.25
8.8
0.88
2.25
8.8
10
5
10
5
3
www.fairchildsemi.com
CD4514BC CD4515BC
AC电气特性
符号
t
THL
, t
TLH
参数
转换时间
(注5 )
条件
典型值
100
50
40
550
225
150
400
150
100
125
50
38
175
50
38
150
5
7.5
最大
200
100
80
1100
450
300
800
300
200
250
100
75
350
100
75
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
单位
所有的C型
L
=
50 pF的,T
A
=
25
°
C,T
r
=
t
f
=
20毫微秒,除非另有说明
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
t
PLH
, t
PHL
传播延迟时间
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
t
PLH
, t
PHL
禁止传播
延迟时间
t
SU
建立时间
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
t
WH
选通脉冲宽度
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
C
PD
C
IN
功率耗散电容
输入电容
每包(注6 )
任何输入(注7 )
注5 :
AC参数都保证了DC相关测试。
注6 :
C
PD
决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整说明,请参阅家族特征应用笔记,
AN-90.
注7 :
电容是由周期性检测保证。
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4
CD4514BC CD4515BC
AC测试电路和开关时间波形
图1 。
5
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