CD4512BM CD4512BC 8通道缓冲数据选择器
1988年2月
CD4512BM CD4512BC 8通道缓冲数据选择器
概述
该CD4512BM CD4512BC缓冲的8通道数据selec-
Tor是一个互补MOS ( CMOS )电路构成
与N沟道和P沟道增强型晶体管的本
数据选择器,主要是用来作为一个数字信号多路转换器
选择1的8个输入端和信号路由到一个三
STATE输出高电平的禁止输入力低
在输出高电平的输出电平使能( OE )
输入强制输出为三态状态低
同时在禁止和( OE )的输入电平可以正常操作
ATION
特点
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
高噪声抗扰度
三态输出
低静态功耗
3 0V至15V
0 45 V
DD
(典型值)
Y
0 25
mW
包
(典型值)V
CC
e
5 0V
插入式替换摩托罗拉MC14512
接线图和真值表
双列直插式封装
订单号CD4512B
TL F 5993 - 1
顶视图
地址输入
C
0
0
0
0
1
1
1
1
j
j
j
e
不在乎
控制输入
A
0
1
0
1
0
1
0
1
j
j
产量
OE
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
Z
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
0
高阻
B
0
0
1
1
0
0
1
1
j
j
抑制
0
0
0
0
0
0
0
0
1
j
高阻
e
三态条件
Xn
e
在输入数据n
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5993
RRD - B30M105印制在U S A
DC电气特性
CD4512BC (注2 ) (续)
符号
V
IH
参数
高层
输入电压
低电平输出
当前
(注3)
高电平输出
当前
(注3)
输入电流
三州
输出电流
条件
V
DD
e
5V V
O
e
4 5V
V
DD
e
10V V
O
e
9 0V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
V
DD
e
10V V
O
e
9 5
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
V
DD
e
15V V
O
e
0V
V
DD
e
15V V
O
e
15V
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
民
35
70
11 0
0 52
13
36
b
0 2
b
0 5
b
1 4
最大
民
35
70
11 0
0 44
11
34
b
0 16
b
0 4
b
1 2
典型值
2 75
5 50
8 25
0 78
20
78
最大
民
35
70
11 0
0 36
09
24
b
0 12
b
0 3
b
1 0
最大
I
OL
I
OH
I
IN
I
OZ
b
0 3
b
10
b
5
b
0 3
b
1 0
03
g
1 0
10
b
5
g
10
b
5
03
g
1 0
10
g
7 5
mA
mA
mA
AC电气特性
符号
t
PHL
参数
传播延迟
高到低的水平
传播延迟
低到高的电平
转换时间
T
A
e
25℃吨
r
e
t
f
e
20 ns的
L
e
50 pF的
条件
民
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
(注4 )
(注4 )
(注5 )
CD4512BM
典型值
225
75
57
225
75
57
70
35
25
50
25
19
50
25
19
75
75
150
最大
500
175
130
500
175
130
200
100
80
125
75
60
125
75
60
15
15
民
CD4512BC
典型值
225
75
57
225
75
57
70
35
25
50
25
19
50
25
19
75
75
150
最大
750
200
150
750
200
150
200
100
80
125
75
60
125
75
60
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
单位
t
PLH
t
THL
t
TLH
t
PHZ
t
PLZ
传播延迟到
TRI- STATE从逻辑电平
传播延迟逻辑
从TRI- STATE水平
输入电容
三态输出
电容
功率耗散能力
t
PZH
t
PZL
C
IN
C
OUT
C
PD
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证,他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ,除非另有说明
注3
I
OH
我
OL
在测试一个输出一次
注4
电容保证通过定期测试
注5
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明,请参见的空载AC电源54C 74C家族特征应用笔记AN- 90
3
CD4512BM CD4512BC 8通道缓冲数据选择器
1988年2月
CD4512BM CD4512BC 8通道缓冲数据选择器
概述
该CD4512BM CD4512BC缓冲的8通道数据selec-
Tor是一个互补MOS ( CMOS )电路构成
与N沟道和P沟道增强型晶体管的本
数据选择器,主要是用来作为一个数字信号多路转换器
选择1的8个输入端和信号路由到一个三
STATE输出高电平的禁止输入力低
在输出高电平的输出电平使能( OE )
输入强制输出为三态状态低
同时在禁止和( OE )的输入电平可以正常操作
ATION
特点
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
高噪声抗扰度
三态输出
低静态功耗
3 0V至15V
0 45 V
DD
(典型值)
Y
0 25
mW
包
(典型值)V
CC
e
5 0V
插入式替换摩托罗拉MC14512
接线图和真值表
双列直插式封装
订单号CD4512B
TL F 5993 - 1
顶视图
地址输入
C
0
0
0
0
1
1
1
1
j
j
j
e
不在乎
控制输入
A
0
1
0
1
0
1
0
1
j
j
产量
OE
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
Z
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
0
高阻
B
0
0
1
1
0
0
1
1
j
j
抑制
0
0
0
0
0
0
0
0
1
j
高阻
e
三态条件
Xn
e
在输入数据n
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5993
RRD - B30M105印制在U S A
DC电气特性
CD4512BC (注2 ) (续)
符号
V
IH
参数
高层
输入电压
低电平输出
当前
(注3)
高电平输出
当前
(注3)
输入电流
三州
输出电流
条件
V
DD
e
5V V
O
e
4 5V
V
DD
e
10V V
O
e
9 0V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
V
DD
e
10V V
O
e
9 5
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
V
DD
e
15V V
O
e
0V
V
DD
e
15V V
O
e
15V
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
民
35
70
11 0
0 52
13
36
b
0 2
b
0 5
b
1 4
最大
民
35
70
11 0
0 44
11
34
b
0 16
b
0 4
b
1 2
典型值
2 75
5 50
8 25
0 78
20
78
最大
民
35
70
11 0
0 36
09
24
b
0 12
b
0 3
b
1 0
最大
I
OL
I
OH
I
IN
I
OZ
b
0 3
b
10
b
5
b
0 3
b
1 0
03
g
1 0
10
b
5
g
10
b
5
03
g
1 0
10
g
7 5
mA
mA
mA
AC电气特性
符号
t
PHL
参数
传播延迟
高到低的水平
传播延迟
低到高的电平
转换时间
T
A
e
25℃吨
r
e
t
f
e
20 ns的
L
e
50 pF的
条件
民
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
(注4 )
(注4 )
(注5 )
CD4512BM
典型值
225
75
57
225
75
57
70
35
25
50
25
19
50
25
19
75
75
150
最大
500
175
130
500
175
130
200
100
80
125
75
60
125
75
60
15
15
民
CD4512BC
典型值
225
75
57
225
75
57
70
35
25
50
25
19
50
25
19
75
75
150
最大
750
200
150
750
200
150
200
100
80
125
75
60
125
75
60
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
单位
t
PLH
t
THL
t
TLH
t
PHZ
t
PLZ
传播延迟到
TRI- STATE从逻辑电平
传播延迟逻辑
从TRI- STATE水平
输入电容
三态输出
电容
功率耗散能力
t
PZH
t
PZL
C
IN
C
OUT
C
PD
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证,他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ,除非另有说明
注3
I
OH
我
OL
在测试一个输出一次
注4
电容保证通过定期测试
注5
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明,请参见的空载AC电源54C 74C家族特征应用笔记AN- 90
3
CD4512BC 8通道缓冲数据选择器
1987年10月
修订后的1999年1月
CD4512BC
8通道缓冲数据选择器
概述
该CD4512BC缓冲的8通道数据选择器是一个COM
用N-和构造互补MOS (CMOS)电路
P沟道增强型晶体管。此数据selec-
器,主要是用来作为一个数字信号多路转换器选
1 8路输入和路由的信号,三态输出。一
高水平的禁止输入力的输出一个低电平
放。高水平的输出使能( OE )输入强制
输出到三态条件。低水平的同时在
抑制和( OE )输入允许正常运行。
特点
s
宽电源电压范围:
s
高抗干扰性:
s
三态输出
s
低静态功耗:
0.25
μW /包
( TYP 。 ) @ V
CC
=
5.0V
s
插入式替换摩托罗拉MC14512
3.0V至15V
0.45 V
DD
(典型值)。
订购代码:
订单号
CD4512BCM
CD4512BCN
包装数
M16A
N16E
包装说明
16引脚小外形集成电路( SOIC ) , JEDEC MS- 012 , 0.150 “窄体
16引脚塑料双列直插式封装( PDIP ) , JEDEC MS- 001 , 0.300 “宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加后缀“X”的订货代码指定。
接线图
引脚分配SOIC和DIP
真值表
地址输入
C
0
0
0
0
1
1
1
1
B
0
0
1
1
0
0
1
1
1
2
A
0
1
0
1
0
1
0
1
1
2
控制输入
抑制
0
0
0
0
0
0
0
0
1
2
OE
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
产量
Z
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
0
高阻
顶视图
2
2
2
=
不关心
高阻
=
三态条件
Xn
=
在输入数据n
1999仙童半导体公司
DS005993.prf
www.fairchildsemi.com
CD4512BC
AC电气特性
T
A
=
25 ° C,T
r
=
t
f
=
20纳秒,C
L
=
50 pF的
符号
t
PHL
参数
传播延迟
高到低的水平
t
PLH
传播延迟
低到高的电平
t
THL
, t
TLH
转换时间
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
t
PHZ
, t
PLZ
传播延迟到
3 -STATE从逻辑电平
t
PZH
, t
PZL
传播延迟逻辑
3 ,国家级
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
三态输出
电容
功率耗散能力
(注6 )
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
V
DD
=
5V
V
DD
=
10V
V
DD
=
15V
(注5 )
(注5 )
(注4 )
CD4512BM
民
典型值
225
75
57
225
75
57
70
35
25
50
25
19
50
25
19
7.5
7.5
150
最大
500
175
130
500
175
130
200
100
80
125
75
60
125
75
60
15
15
民
CD4512BC
典型值
225
75
57
225
75
57
70
35
25
50
25
19
50
25
19
7.5
7.5
150
最大
750
200
150
750
200
150
200
100
80
125
75
60
125
75
60
15
15
条件
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
注4 :
AC参数都保证了DC相关测试。
注5 :
电容保证了定期检测。
注6 :
C
PD
决定任何CMOS器件的无负载交流电源。有关完整说明,请参阅家族特征应用笔记AN- 90 。
www.fairchildsemi.com
4