特定网络阳离子CD4511BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
o
C / W
o
C / W
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
20
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于T
A
= -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于T
A
= +100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于T
A
=全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输出电压
输出电压
VOL15
VOH15
VDD = 15V ，无负载
VDD = 15V ，无负载（注3 ）
3
1, 2, 3
1
2
3
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出驱动电压
输出驱动电压
输出驱动电压
N门限电压
P阈值电压
实用
IOL5
IOL10
IOL15
LVOH5
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
VDD = 5V ， IOH = -20mA
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
3.5
-
11
1.5
-
4
-
V
V
V
V
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.1
14.2
14.0
1
2.6
6.8
3.4
8.6
13.7
-2.8
0.7
-
-
-
-
-
-
-0.7
2.8
最大
10
1000
10
-
-
-
100
1000
100
50
-
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
LVOH10 VDD = 10V ， IOH = -20mA
LVOH15 VDD = 15V ， IOH = -20mA
VNTH
VPTH
F
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
VIL
VIH
VIL
VIH
VDD = 5V ， VOH > 3.6V ， VOL < 0.5V
VDD = 5V ， VOH > 3.6V ， VOL < 0.5V
VDD = 15V ， VOH > 12.6V ，
VOL < 1.5V
VDD = 15V ， VOH > 12.6V ，
VOL < 1.5V
注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3.对于精确度，电压被差分测量到VDD
7-1170
QQ：2880707522 复制
