CD4504BMS
1992年12月
CMOS六路电压电平转换器的
TTL至CMOS或CMOS到CMOS操作
引脚
CD4504BMS
顶视图
特点
高压型（ 20V额定值）
电源的顺序考虑 - 的独立性
ATIONS
- VCC可超过VDD
- 输入信号可能超过两个VCC和VDD
向上和向下电平转换功能
可移动的输入阈值对于任何一个CMOS或TTL
兼容性
100 ％测试静态电流为20V
5V ， 10V和15V参数额定值
标准化对称的输出特性
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄的温度范围;为100nA ，在18V和+25
o
C
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号， “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
VCC
1
16 VDD
15 FOUT
14 FIN
13选择
12 EOUT
11 EIN
10 DOUT
9 DIN
AOUT 2
艾因
布特
箱子
COUT
CIN
VSS
3
4
5
6
7
8
工作原理图
VCC
VDD
水平
移
OUT
(2, 4, 6, 10, 12, 15)
描述
CD4504BMS六角电压电平转换器由六个电路
它从VCC逻辑电平为VDD移位输入信号
逻辑电平。转移TTL信号CMOS逻辑电平，
SELECT输入是处于VCC高电平逻辑状态。当
SELECT输入是在一个低逻辑状态时，每个电路转换
从一个CMOS电平到另一个信号。
该CD4504BMS在这些16引脚外形封装提供：
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H1F
H6W
*
IN
(3, 5, 7, 9, 11, 14)
SELECT
*
13
TTL / CMOS
模式选择
VCC = PIN 1
VDD = 16 PIN
VSS = 8 PIN
VDD
*
所有输入都是受保护
采用CMOS保护
网
VSS
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3336
7-1140
特定网络阳离子CD4504BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ，无负载
VDD = 15V ，无负载（注3 ）
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
VDD = 15V ，输出电压= 13.5V
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 4.5V ， VCC = 2.8 ，
VIN = VDD和GND
VDD = 4.5V ， VCC = 3.0 ，
VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VCC = 18V ，
VIN = GND和VCC
VDD = 18V ， VCC = 4.5V ，
VIN = VCC或GND
VDD = 4.5V ， VCC = 18V ，
VIN = VCC或GND
VDD = 20V ， VCC = 20V ，
VIN = GND和VCC
VDD = 20V ， VCC = 4.5V ，
VIN = VCC或GND
VDD = 4.5V ， VCC = 20V ，
VIN = VCC或GND
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
8B
8A
8A
8A
7
7
7
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
最大
2
200
2
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C 14.95
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-55
o
C
+125
o
C
+125
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
7-1141
特定网络阳离子CD4504BMS
表1.直流电气性能特性（续）
A组
亚
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
民
-
2
-
3.5
-
7
最大
0.8
-
1.5
-
3
-
单位
V
V
V
V
V
V
参数
输入电压低
（注2）的TTL -CMOS
输入电压高
（注2）的TTL -CMOS
输入电压低
（注2 ） CMOS -CMOS
输入电压高
（注2 ） CMOS -CMOS
输入电压低
（注2 ） CMOS -CMOS
输入电压高
（注2 ） CMOS -CMOS
符号
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
条件
（注1 ）
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ， VOL < 1V
VCC = 5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ， VOL < 1V
VCC = 5V
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
VCC = 5V
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
VCC = 5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ， VOL <
1.5V ， VCC = 10V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ， VOL <
1.5V ， VCC = 10V
注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
280
378
240
324
550
743
280
378
240
324
400
540
200
270
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
TTL和CMOS
VDD > VCC
传播延迟
CMOS到CMOS VDD >
VCC
传播延迟
CMOS到CMOS VCC >
VDD
传播延迟
TTL和CMOS
VDD > VCC
传播延迟
CMOS到CMOS VDD >
VCC
传播延迟
CMOS到CMOS VCC >
VDD
转换时间
符号
TPHL1
条件
（注1,2）
VDD = 10V ， VIN = VCC或GND
VCC = 5V
VDD = 10V ， VIN = VCC或GND
VCC = 5V
VDD = 5V ， VIN = VCC或GND
VCC = 10V
VDD = 10V ， VIN = VCC或GND
VCC = 5V
VDD = 10V ， VIN = VCC或GND
VCC = 5V
VDD = 5V ， VIN = VCC或GND
VCC = 10V
所有模式
TPHL2
TPHL3
TPLH1
TPLH2
TPLH3
TTHL
tTLH
注意事项：
1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
7-1142
特定网络阳离子CD4504BMS
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL10
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL15
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5A
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5B
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH10
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH15
VDD = 15V ， VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
TTL - CMOS
输入电压高
TTL - CMOS
输入电压低
CMOS - CMOS
输入电压高
CMOS - CMOS
传播延迟
TTL - CMOS ， VDD > VCC
传播延迟
CMOS - CMOS ，
VDD > VCC
传播延迟
CMOS - CMOS ，
VCC > VDD
传播延迟
TTL - CMOS ， VDD > VCC
VIL
VIH
VIL
VIH
TPHL1
TPHL2
VDD = 10V ， VOH > 9V ，
VOL < 1V ， VCC = 5V
VDD = 10V ， VOH > 9V ，
VOL < 1V ， VCC = 5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，
VOL < 1.5V ， VCC = 5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，
VOL < 1.5V ， VCC = 5V
VDD = 15V ， VCC = 5V
VDD = 15V ， VCC = 5V
VDD = 15V ， VCC = 10V
TPHL3
VDD = 5V ， VCC = 15V
VDD = 10V ， VCC = 15V
TPLH1
VDD = 15V ， VCC = 5V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
3.5
-
-
-
-
-
-
最大
1
30
2
60
2
120
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
0.8
-
1.5
-
280
240
140
550
140
280
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7-1143
特定网络阳离子CD4504BMS
表3.电气性能特性（续）
范围
参数
传播延迟
CMOS - CMOS ，
VDD > VCC
传播延迟
CMOS - CMOS
VCC > VDD
转换时间
符号
TPLH2
条件
VDD = 15V ， VCC = 5V
VDD = 15V ， VCC = 10V
TPLH3
VDD = 5V ， VCC = 15V
VDD = 10V ， VCC = 15V
TTHL
tTLH
CIN
VDD = 10V
VDD = 15V
任何输入
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
240
140
400
120
100
80
7.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
输入电容
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
7.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
o
C
参数
电源电流 - MSI- 1
输出电流（漏）
输出电流（源）
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
0.2A
±
20 ％×预试阅
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
MIL-STD-883
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
7-1144
QQ：2881677436 复制
