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CD4099BMS
1992年12月
CMOS 8位可寻址锁存器
引脚
CD4099BMS
顶视图
特点
高压型( 20V额定值)
串行数据输入
活动并行输出
Q7
1
2
16 VDD
15 Q6
14 Q5
13 Q4
12 Q3
11 Q2
10 Q1
9 Q0
存储寄存器能力
主复位
可以作为多路解复用器
100 %测试静态电流为20V
5V , 10V和15V参数额定值
标准化对称的输出特性
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄的温度范围;为100nA ,在18V和+25
o
C
噪声余量(在整个封装/温度范围)
- 1V在VDD = 5V
- 2V在VDD = 10V
- 在2.5V VDD = 15V
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号, “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
RESET
数据3
写禁止
A0
A1
A2
VSS
4
5
6
7
8
工作原理图
应用
多线解码器
A / D转换器
A0
A1
写禁止
数据
5
4
3
9
10
11
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
8
6
7
解码器
8锁存器
12
13
14
15
描述
CD4099BMS 8位可寻址锁存器是一个串行输入,并行
输出存储寄存器,可以执行各种各样的功能。
数据被输入到一个特定的位的锁存器时,该位
被寻址(通过输入装置A0,A1, A2)和时
写禁止处于较低水平。当写禁止的
高,数据录入受到抑制;然而,所有的8个输出可
连续读取独立写禁止和
地址输入。
主复位输入可用,这将重置所有位为
逻辑“ 0”电平,当RESET和写禁止正处在一个
高的水平。当RESET处于较高水平,并写入显示
ABLE是在低电平时,锁存器用作1 8 demulti-的
多路复用器;该地址的位具有有源输出哪
如下数据输入,而所有未解决的比特举行
一个逻辑“0 ”电平。
该CD4099BMS在这些16引脚外形封装提供:
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4X
H1F
H6W
A2
RESET
VDD = 16
VSS = 8
2
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3333
7-494
特定网络阳离子CD4099BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗( PD ) ,在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ,无负载
VDD = 15V ,无负载(注3 )
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
VDD = 15V ,输出电压= 13.5V
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
VIL
VIH
VIL
VIH
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
最大
10
1000
10
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C 14.95
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
3.5
-
11
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
1.5
-
4
-
V
V
V
V
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-495
特定网络阳离子CD4099BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
TPHL4
TPLH4
TTHL
tTLH
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
400
540
400
540
350
473
450
608
200
270
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
数据输出
传播延迟
写禁止到输出
传播延迟
复位输出
传播延迟
地址输出
转换时间
符号
TPHL1
TPLH1
TPHL2
TPLH2
TPHL3
条件
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
注意事项:
1. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障,正在实施100 %检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL10
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL15
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5A
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5B
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH10
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
最大
5
150
10
300
10
600
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
7-496
特定网络阳离子CD4099BMS
表3.电气性能特性
(续)
范围
参数
输出电流(源)
符号
IOH15
条件
VDD = 15V , VOUT = 13.5V
笔记
1, 2
温度
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
传播延迟
数据输出
传播延迟
写禁止到输出
传播延迟
复位输出
传播延迟
地址输出
转换时间
VIL
VIH
TPHL1
TPLH1
TPHL2
TPLH2
TPHL3
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
TPHL4
TPLH4
TTHL
tTLH
TH
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小的数据设置
一次写入数据
关闭
最小脉冲宽度
数据
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小脉冲宽度
地址
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小脉冲宽度
RESET
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的,并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
CIN
任何输入
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
+7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-2.4
-4.2
3
-
150
100
160
120
160
130
200
150
100
80
150
75
50
100
50
35
200
100
80
400
200
125
150
75
50
7.5
单位
mA
mA
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
最小保持时间数据
为写禁止
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
符号
国际直拨电话
VNTH
条件
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 10V , ISS = -10μA
笔记
1, 4
1, 4
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
-2.8
最大
25
-0.2
单位
A
V
7-497
特定网络阳离子CD4099BMS
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
V
V
V
V
ns
注意事项: 1.参考设备GND所有电压。
2,CL = 50pF的, RL = 200K ,输入TR , TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
o
C
参数
电源电流 - MSI- 2
输出电流(漏)
输出电流(源)
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
1.0A
±
20 %×预试阅
±
20 %×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试(预残影)
中期测试1 (后残影)
临时测试2 (后残影)
的PDA (注1)
临时测试3 (后残影)
的PDA (注1)
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
1, 7, 9
1 ,2,3 , 8A,8B, 9
亚组1 , 2 3
子群1,2, 3,9 ,10,11
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
读取并记录
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
注: 1。 5 % Parameteric , 3 %的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
7-498
查看更多CD4099BMSPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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