CD4093BMS
1992年12月
CMOS四路2输入
NAND施密特触发器
引脚
CD4093BMSMS
顶视图
特点
高电压类型（ 20V额定值）
在每个输入，无需外部施密特触发器动作
组件
滞后电压通常为0.9V ，在VDD = 5V和
在2.3V VDD = 10V
噪声抗扰性大于50 ％
在输入上升和下降时间无限制
标准化对称的输出特性
100 ％测试静态电流为20V
A 1
B 2
J = A·B 3
K = C· 4
C 5
D 6
VSS 7
14 VDD
13 H
12 G
M为11 = G ·H
10升= E ·女
9 F
8 E
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄的温度范围，在100nA的18V和+25
o
C
5V ， 10V和15V参数额定值
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号， “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
工作原理图
应用
波和脉冲整形器
高噪声环境下系统
单稳态多谐振荡器
非稳态多谐振荡器
非逻辑
A
1
2
3
J = A·B
14
13
12
VDD
B
H
J
G
K = C·
K
4
L = ê ·女
11
M
描述
CD4093BMS由四个施密特触发器电路。每
电路功能与施密特触发一个双输入与非门
对两个输入蒙古包行动。门开关在不同的
点的正和负向的信号。区别
正电压（VP）和负电压之间
（ VN ）是德音响定义为滞后电压（ V H） （参见图1） 。
该CD4093BMS在这14领先轮廓封装提供
年龄：
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4H
H1B
H3W
C
5
6
10
9
8
M =摹·H
L
D
F
VSS
7
E
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3330
7-1074
特定网络阳离子CD4093BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ，无负载
VDD = 15V ，无负载（注5 ）
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
VDD = 15V ，输出电压= 13.5V
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
正触发
阈值电压
正触发
阈值电压
负触发
阈值电压
负触发
阈值电压
滞后电压
滞后电压
VP5V
VP15V
VP5V
VN5V
VN15V
VN5V
VH5V
VH15V
VH5V
VDD = 5V （注2 ）
VDD = 15V （注3）
VDD = 5V （注4 ）
VDD = 5V （注2 ）
VDD = 15V （注3）
VDD = 5V （注4 ）
VDD = 5V （注2 ）
VDD = 15V （注3）
VDD = 5V （注4 ）
3
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
+25
o
C,
+25
o
C,
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.95
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
2
200
2
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+125
o
C,
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25 C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C,
+125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C,
+125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
o
o
-55
o
C
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
2.2
6.8
2.6
0.9
4.0
1.4
0.3
1.6
0.3
3.6
10.8
4.0
2.8
7.4
3.2
1.6
5.0
1.6
V
V
V
V
V
V
V
V
V
注：1.所有电压参考器件GND时， 100 ％的测试是im- 4，输入在端子1和2，图5和图6 ，图8和9 ，或12和13的
执行完成。
5.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限
2.输入在终端1，5， 8，12
为0.050V最大。
3.在输入端子1
7-1075
特定网络阳离子CD4093BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
最大
380
513
200
270
单位
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
符号
的TPH1
TPLH
TTHL
tTLH
条件
（注1,2 ）
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
转换时间
注意事项：
1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL10
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL15
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5A
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5B
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH10
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH15
VDD = 15V ， VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
传播延迟
的TPH1
TPLH
TTHL
tTLH
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
30
2
60
2
120
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
180
130
100
80
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
ns
ns
ns
ns
转换时间
7-1076
特定网络阳离子CD4093BMS
表3.电气性能特性
（续）
范围
参数
正触发
阈值电压
符号
VP10V
VP10V
VP15V
负触发
阈值电压
VN10V
VN10V
VN15V
滞后电压
VH10V
VH10V
VH15V
输入电容
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
4.在输入端子1 ， 5 ， 8 ， 12
5.输入在端子1和2，图5和图6 ，图8和9 ，或12和13的
CIN
条件
VDD = 10V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 10V
VDD = 15V
任何输入
笔记
1, 2, 4
1, 2, 5
1, 2, 5
1, 2, 4
1, 2, 5
1, 2, 5
1, 2, 4
1, 2, 5
1, 2, 5
1, 2
温度
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
民
4.6
5.6
6.3
2.5
3.4
4.8
1.2
1.2
1.6
-
最大
7.1
8.2
12.7
5.2
6.6
9.6
3.4
3.4
5.0
7.5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
pF
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
7.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
7-1077
特定网络阳离子CD4093BMS
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - MSI- 1
输出电流（漏）
输出电流（源）
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
0.2A
±
20 ％×预试阅
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
临时测试3 （后残影）
的PDA （注1）
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
1, 7, 9
1 ，2，3 ， 8A，8B， 9
亚组1 ， 2 3
子群1，2， 3，9 ，10，11
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
法
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
注1
静态老化测试2
注1
动态烙印
注1
放射
注2
注意事项：
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 ％ ， VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败， VDD
= 10V
±
0.5V
开放
3, 4, 10, 11
3, 4, 10, 11
-
3, 4, 10, 11
地
1, 2, 5-9, 12, 13
7
7
7
VDD
14
1, 2, 5, 6, 8,
9, 12-14
14
1, 2, 5, 6, 8,
9, 12-14
3, 4, 10, 11
1, 2, 5, 6,
8, 9, 12, 13
-
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
逻辑图
VDD
1 (5, 8, 12)
2 (6, 9, 13)
*
*
3 (4, 10, 11)
*采用CMOS防护网保护所有输入
VSS
1 4施密特触发器
7-1078
QQ：2880707522 复制
