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CD4085BMS
1992年12月
CMOS双路2宽2输入
与或反向门
引脚
CD4085BMS
顶视图
特点
高压型( 20V额定值)
中速运行
- 的TPH1 =为90ns
- tPLH的=为125ns (典型值) ,在10V
个人禁止控制
5V , 10V和15V参数额定值
标准化对称的输出特性
100 %测试静态电流为20V
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄的温度范围;为100nA ,在18V和+25
o
C
噪声余量(在整个封装/温度范围)
- 1V在VDD = 5V
- 2V在VDD = 10V
- 在2.5V VDD = 15V
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号, “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
A1 1
B1 2
E1 = INHI + A1B1 + C1D1 3
E2 = INH2 + A2B2 + C2D2 4
A2 5
B2 6
VSS 7
14 VDD
13 D1
12 C1
11 INHIBIT 2
10禁止1
9 D2
8 C2
工作原理图
抑制1
10
描述
CD4085BMS包含一对与或反转门,每
包括两个2输入与门驱动3输入NOR门。
提供两个AOI门禁止个人控制..
该CD4085BMS在这14领先轮廓封装提供
年龄:
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4H
H1B
H5W
1
A1
2
B1
12
C1
13
D1
抑制2
11
3
E1
5
A2
6
B2
8
C2
9
D2
4
E2
E = INHIBIT + AB + CD
逻辑1 = HIGH
逻辑0 =低
VDD = 14
VSS = 7
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3327
7-1046
特定网络阳离子CD4085BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗( PD ) ,在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ,无负载
VDD = 15V ,无负载(注3 )
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
VDD = 15V ,输出电压= 13.5V
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
VIL
VIH
VIL
VIH
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
最大
2
200
2
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C 14.95
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
3.5
-
11
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
1.5
-
4
-
V
V
V
V
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-1047
特定网络阳离子CD4085BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
TPLH1
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
TPHL2
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
TPLH2
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
TTHL
tTLH
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
450
608
620
837
300
405
500
675
200
270
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
数据
传播延迟
数据
传播延迟
抑制
传播延迟
抑制
转换时间
符号
TPHL1
条件
(注1,2 )
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
注意事项:
1. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障,正在实施100 %检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL10
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL15
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5A
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5B
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH10
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
最大
1
30
2
60
2
120
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-2.6
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
7-1048
特定网络阳离子CD4085BMS
表3.电气性能特性
(续)
范围
参数
输出电流(源)
符号
IOH15
条件
VDD = 15V , VOUT = 13.5V
笔记
1, 2
温度
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
传播延迟数据
VIL
VIH
TPHL1
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
传播延迟数据
TPLH1
VDD = 10V
VDD = 15V
传播延迟
抑制
传播延迟
抑制
转换时间
TPHL2
VDD = 10V
VDD = 15V
TPLH2
VDD = 10V
VDD = 15V
TTHL
tTLH
CIN
VDD = 10V
VDD = 15V
任何输入
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
+7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-2.4
-4.2
3
-
180
130
250
180
120
80
200
140
100
80
7.5
单位
mA
mA
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
输入电容
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的,并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 10V , ISS = -10μA
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
7.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项: 1.参考设备GND所有电压。
2,CL = 50pF的, RL = 200K ,输入TR , TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - MSI- 1
输出电流(漏)
符号
国际直拨电话
IOL5
±
0.2A
±
20 %×预试阅
DELTA LIMIT
7-1049
特定网络阳离子CD4085BMS
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
输出电流(源)
符号
IOH5A
DELTA LIMIT
±
20 %×预试阅
表6.适用子群
符合的集团
初步测试(预残影)
中期测试1 (后残影)
临时测试2 (后残影)
的PDA (注1)
临时测试3 (后残影)
的PDA (注1)
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
1, 7, 9
1 ,2,3 , 8A,8B, 9
亚组1 , 2 3
子群1,2, 3,9 ,10,11
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
读取并记录
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
注: 1。 5 % Parameteric , 3 %的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
注1
静态老化测试2
注1
动态烙印
注1
放射
注2
注意:
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 % , VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5% ; E组,小组2 ,样本大小为4骰子/晶圆, 0失败,
VDD = 10V
±
0.5V
开放
3, 4
3, 4
-
3, 4
1, 2, 5-13
7
7
7
VDD
14
1, 2, 5, 6, 8-14
14
1, 2, 5, 6, 8-14
3, 4
1, 2, 5, 6, 8, 9,
12, 13
10, 11
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD4085BMS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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