【CD4071BMS ， CD4072BMSCD4075BMS1992年12月CMOS或门引脚CD40】,IC型号CD4072,CD4072 PDF资料,CD4072经销商,ic,电子元器件-51电子网

CD4071BMS ， CD4072BMS

CD4075BMS

1992年12月

CMOS或门

引脚

CD4071BMS

顶视图

特点

高电压类型（ 20V额定值）

CD4071BMS四2输入或门

CD4072BMS双4输入或门

CD4075BMS三路3输入或门

中速运行：

- 的TPH1 ， tPLH的=为60ns （典型值），在10V

100 ％测试静态电流为20V

1μA的18V在整个封装的最大输入电流

年龄的温度范围;为100nA ，在18V和+25

o

C

标准化对称的输出特性

噪声余量（在整个封装温度范围）：

- 1V在VDD = 5V

- 2V在VDD = 10V

- 在2.5V VDD = 15V

5V ， 10V和15V参数额定值

符合JEDEC的暂行标准的所有要求

13B号， “标准特定网络阳离子的说明

'B'系列CMOS器件“

A 1

B 2

J = A + B 3

K = C + C 4

C 5

D 6

VSS 7

14 VDD

13 H

12 G

M为11 = G + H

10 L = E + F

9 F

8 E

CD4072BMS

顶视图

J = A + B + C + D 1

A 2

B 3

C 4

14 VDD

13 ，K = E + F + G + H

12 H

11 G

10 F

9 E

8 NC

描述

CD4071BMS ， CD4072BMS和CD4075BMS或门亲

韦迪与直接执行的系统设计

正逻辑OR功能和补充现有的FAM-

随手CMOS门电路。

该CD4071BMS ， CD4072BMS和CD4075BMS提供

在这14领先外形封装：

钎焊密封DIP

熔接密封DIP

陶瓷扁平

* CD4071 ， CD4072

*H4H

H1B

H3W

CD4075只

H4Q

D 5

NC 6

VSS 7

NC =无连接

CD4075BMS

顶视图

A 1

B 2

D 3

E 4

F 5

K = D + E + F 6

VSS 7

14 VDD

13 G

12 H

11 I

10 ：L = G + H +我

9 J = A + B + C

8 C

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

网络文件编号

3323

7-444

CD4071BMS ， CD4072BMS ， CD4075BMS

工作原理图

VDD

14

B

A

D

C

F

E

H

G

1

2

5

6

8

9

12

13

3

4

J

K

L

M

10

11

7

VSS

CD4071BMS

VDD

14

A

B

C

D

2

3

4

5

1

J

9

E

10

F

11

G

12

H

7

VSS

13

K

CD4072BMS

VDD

14

C

B

A

F

E

1

2

8

3

4

6

K

9

J

5

D

11

I

12

H

13

G

7

VSS

10

L

CD4075BMS

7-445

特定网络阳离子CD4071BMS ， CD4072BMS ， CD4075BMS

绝对最大额定值

直流电源电压范围（ VDD ）。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至+ 20V

（电压参考VSS端子）

输入电压范围，所有输入。。。。。。。。。。。。。 - 0.5V至VDD + 0.5V

直流输入电流，在任何一个输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ± 10毫安

工作温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。 -55

o

C至+ 125

o

C

封装类型D，F ， K，H

存储温度范围（ TSTG ）。。。。。。。。。。。 -65

o

C至+150

o

C

焊接温度（焊接时）。。。。。。。。。。。。。。。。。 265

o

C

在距离1/16

±

1/32英寸（ 1.59毫米

±

0.79毫米）从案例

10S最大

可靠性信息

热阻。。。。。。。。。。。。。。。。

θ

ja

θ

jc

陶瓷DIP和熔块封装。。。。。 80

o

C / W

20

o

C / W

扁平封装。。。。。。。。。。。。。。。。 70

o

C / W

20

o

C / W

最大封装功耗（ PD ），在125

o

C

对于TA = -55

o

C至+100

o

C（封装类型D，F ， K）。。。。。。 500mW的

对于TA = 100

o

C至+ 125

o

C（封装类型D，F ， K）。。。。。减额

线性在12MW /

o

C至200mW的

设备损耗每个输出晶体管。。。。。。。。。。。。。。。为100mW

对于TA =全包温度范围（所有封装类型）

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 175

o

C

表1. DC电性能等特点

A组

亚

1

2

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

输入漏电流

IIL

VIN = VDD和GND

VDD = 20

VDD = 18V

输入漏电流

IIH

VIN = VDD和GND

VDD = 20

VDD = 18V

输出电压

输出电流（漏）

输出电流（源）

N门限电压

P阈值电压

实用

VOL15

VOH15

IOL5

IOL10

IOL15

IOH5A

IOH5B

IOH10

IOH15

VNTH

VPTH

F

VDD = 15V ，无负载

VDD = 15V ，无负载（注3 ）

VDD = 5V ，输出电压= 0.4V

VDD = 10V ，输出电压= 0.5V

VDD = 15V ，输出电压= 1.5V

VDD = 5V ，输出电压= 4.6V

VDD = 5V ， VOUT = 2.5V

VDD = 10V ，输出电压= 9.5V

VDD = 15V ，输出电压= 13.5V

VDD = 10V ， ISS = -10μA

VSS = 0V ， IDD = 10μA

VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

VDD = 3V ， VIN = VDD和GND

输入电压低

（注2 ）

输入电压高

（注2 ）

输入电压低

（注2 ）

输入电压高

（注2 ）

VIL

VIH

VIL

VIH

VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V

VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，

VOL < 1.5V

VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，

VOL < 1.5V

3

1

2

3

1

2

3

1, 2, 3

1

7

8A

8B

1, 2, 3

+25

o

C,

范围

温度

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+125

o

C,

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+125

o

C

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

+25

o

C, +125

o

C, -55

o

C

-

3.5

-

11

1.5

-

4

-

V

-55

o

C

民

-

-100

-1000

-100

-

14.95

0.53

1.4

3.5

-

-2.8

0.7

最大

0.5

50

0.5

-

100

1000

100

50

-

-0.53

-1.8

-1.4

-3.5

-0.7

2.8

单位

A

nA

mV

V

mA

V

参数

电源电流

符号

国际直拨电话

条件

（注1 ）

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VOH VOL > <

VDD / 2 VDD / 2

注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试

实现的。

2.进入/不合格测试与限制适用于输入。

3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限

为0.050V最大。

7-446

特定网络阳离子CD4071BMS ， CD4072BMS ， CD4075BMS

表2. AC电性能等特点

A组

子群温

9

10, 11

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

9

10, 11

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

+25

o

C

+125

o

C, -55

o

C

范围

民

-

最大

250

338

200

270

单位

ns

参数

传播延迟

符号

的TPH1

TPLH

TTHL

tTLH

条件

（注1,2 ）

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

转换时间

注意事项：

1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。

2. -55

o

C和+ 125

o

限额保障，正在实施100 ％检验。

表3.电气性能特性

范围

参数

电源电流

符号

国际直拨电话

条件

VDD = 5V ， VIN = VDD和GND

笔记

1, 2

温度

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

VDD = 10V ， VIN = VDD和GND

1, 2

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

VDD = 15V ， VIN = VDD和GND

1, 2

-55

o

C, +25

o

C

+125

o

C

输出电压

输出电流（漏）

VOL

VOH

IOL5

VDD = 5V ，空载

VDD = 10V ，无负载

VDD = 5V ，空载

VDD = 10V ，无负载

VDD = 5V ，输出电压= 0.4V

1, 2

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（漏）

IOL10

VDD = 10V ，输出电压= 0.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（漏）

IOL15

VDD = 15V ，输出电压= 1.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH5A

VDD = 5V ，输出电压= 4.6V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH5B

VDD = 5V ， VOUT = 2.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH10

VDD = 10V ，输出电压= 9.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输出电流（源）

IOH15

VDD = 15V ， VOUT = 13.5V

1, 2

+125

o

C

-55

o

C

输入电压低

输入电压高

传播延迟

VIL

VIH

的TPH1

TPLH

VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V

VDD = 10V

VDD = 15V

1, 2

1, 2, 3

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C, +125

o

C,

-55

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

4.95

9.95

0.36

0.64

0.9

1.6

2.4

4.2

-

7

-

最大

0.25

7.5

0.5

15

0.5

30

50

-

-0.36

-0.64

-1.15

-2.0

-0.9

-2.6

-2.4

-4.2

3

-

120

90

单位

A

mV

V

mA

V

ns

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特定网络阳离子CD4071BMS ， CD4072BMS ， CD4075BMS

表3.电气性能特性

（续）

范围

参数

转换时间

符号

TTHL

tTLH

CIN

条件

VDD = 10V

VDD = 15V

任何输入

笔记

1, 2, 3

1, 2

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

最大

100

80

7.5

单位

ns

pF

输入电容

注意事项：

1.所有电压参考器件GND 。

2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征

在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。

3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。

表4.辐照后的电气性能特性

范围

参数

电源电流

N门限电压

DELTA

P阈值电压

DELTA

实用

符号

国际直拨电话

VNTH

ΔVTN

VTP

ΔVTP

F

条件

VDD = 20V ， VIN = VDD和GND

VDD = 10V ， ISS = -10μA

VSS = 0V ， IDD = 10μA

VDD = 18V ， VIN = VDD和GND

VDD = 3V ， VIN = VDD和GND

传播延迟时间

的TPH1

TPLH

VDD = 5V

1, 2, 3, 4

+25

o

C

笔记

1, 4

1

温度

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

+25

o

C

民

-

-2.8

-

0.2

-

VOH >

VDD/2

-

最大

2.5

-0.2

±1

2.8

±1

VOL <

VDD/2

1.35 x

+25

o

C

极限

单位

A

V

ns

注意事项： 1.参考设备GND所有电压。

2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。

3.请参阅表2 25

o

限制。

4.阅读并记录

表5.老化和寿命测试DELTA参数+25

O

C

参数

电源电流 - SSI

输出电流（漏）

输出电流（源）

符号

国际直拨电话

IOL5

IOH5A

±0.1A

±

20 ％×预试阅

±

20 ％×预试阅

DELTA LIMIT

表6.适用子群

符合的集团

初步测试（预残影）

中期测试1 （后残影）

临时测试2 （后残影）

的PDA （注1）

临时测试3 （后残影）

的PDA （注1）

最终测试

A组

MIL-STD-883

法

100% 5004

样本5005

A组子群

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

1, 7, 9

1 ， 7,9 ，德尔塔

2,3 ，8A，8B ，10，11

1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11

国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A

读取并记录

国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A

7-448

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS056

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版权

1999年，德州仪器