【从哈里斯半导体数据表收购SCHS0551998年1月CD4070B,CD4077BCMOS四路异或和】,IC型号CD4070B,CD4070B PDF资料,CD4070B经销商,ic,电子元器件-51电子网

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS055

1998年1月

CD4070B,

CD4077B

CMOS四路异或

和异或非门

描述

哈里斯CD4070B包含四个独立的Exclusive-

或门。哈里斯CD4077B包含四个独立的

异或非门。

该CD4070B和CD4077B提供系统设计

与直接实施异或的手段

和异或非功能，分别为。

特点

高电压类型（ 20V额定值）

CD4070B - 四异或门

CD4077B - 四异或非门

中速运行

- t

PHL

, t

PLH

= 65ns （典型值），在V

DD

= 10V ，C

L

= 50pF的

100 ％测试静态电流为20V

标准化对称的输出特性

5V ， 10V和15V参数额定值

1μA的18V在整个最大输入电流

封装温度范围

- 为100nA ，在18V和25

o

C

噪声余量（在整个封装温度范围）

- 1V的V

DD

= 5V ， 2V在V

DD

= 10V ， 2.5V在V

DD

= 15V

符合JEDEC标准号13B的所有要求，

“标准的特定网络阳离子'B'系列的说明

CMOS器件

[ /标题

(CD40

70B,

CD407

7B)

/子

拍摄对象

（CMO

S四

的排除

sive-

OR

和

的排除

sive-

NOR

门）

/ Autho

r ()

/密钥 -

WORDS

（ Har-

RIS

半

CON-

导体，

CD400

0,

金属

门，

CMOS

， PDIP ，

CERDIP ，

密耳，

订购信息

产品型号

CD4070BE

CD4077BE

CD4070BF

CD4077BF

CD4070BM

CD4077BM

温度。

RANGE （

o

C)

-55至125

包

14 Ld的PDIP

14 Ld的CERDIP

14 Ld的SOIC

PKG 。

号

E14.3

F14.3

M14.15

应用

逻辑比较

加法器/减法

奇偶校验发生器和校验器

引脚配置

CD4070B

（ PDIP ， CERDIP和SOIC ）

顶视图

CD4077B

（ PDIP ， CERDIP和SOIC ）

顶视图

A 1

B 2

J- á

⊕

B 3

K =

⊕

D 4

C 5

D 6

V

SS

7

14 V

DD

13 H

12 G

M为11 = G

⊕

H

10升= E

⊕

F

9 F

8 E

A 1

B 2

J- á

⊕

B 3

K =

⊕

D 4

C 5

D 6

V

SS

7

14 V

DD

13 H

12 G

M为11 = G

⊕

H

10升= E

⊕

F

9 F

8 E

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

1998年哈里斯公司

网络文件编号

910.1

1

CD4070B ， CD4077B

功能图

CD4070B

1

2

5

6

8

9

12

13

10

4

CD4077B

1

2

5

6

8

9

12

13

10

4

A

J- á

⊕

B

K =

⊕

D

M =摹

⊕

H

L =

⊕

F

B

C

D

E

F

G

H

3

J

A

B

3

J

K

⊕

B

K =

⊕

D

J =一

M =摹

L

C

D

E

F

G

H

K

L

V

SS

= 7

V

DD

= 14

⊕

H

=E

⊕

F

L

11

M

11

M

V

DD

V

DD

V

DD

V

DD

B

2(5,9,12)

p

n

V

SS

V

DD

A

1(6,8,13)

p

n

V

SS

V

DD

V

SS

V

SS

V

DD

V

SS

n

p

n

J

3(4,10,11)

A

1(6,8,13)

B

2(5,9,12)

p

n

V

SS

V

DD

p

n

p

n

p

J

3(4,10,11)

p

INPUTS受保护

采用CMOS保护

网

INPUTS受保护

采用CMOS保护

网

V

SS

V

SS

图1.原理框图CD4070B

（ 1 4个相同GATES ）

图2.原理框图CD4077B

（ 1 4个相同GATES ）

CD4070B真值表（ 1 4 GATES ）

A

0

1

0

1

注意：

1 =高电平

0 =低电平

J- á

⊕

B

0

1

J

0

1

0

CD4077B真值表（ 1 4 GATES ）

A

0

1

0

1

注意：

1 =高电平

0 =低电平

J- á

⊕

B

0

1

J

1

0

1

2

CD4070B ， CD4077B

绝对最大额定值

直流电源电压范围（Ⅴ

DD

）。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至20V

输入电压范围，所有输入。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V到V

DD

0.5V

DC输入电流

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .±

10mA

热信息

热电阻（典型值，注1 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

θ

JC

(

o

C / W ）

PDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

90

不适用

CERDIP封装。。。。。。。。。。。。。。。。

95

38

SOIC封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

175

不适用

最高结温（密封包装或死） 175

o

C

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

工作条件

温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围（典型值）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3V至18V

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

直流电特定网络阳离子

限制了指定温度下（

o

C)

条件

V

O

(V)

-

输出低电平（漏）电流

I

OL

民

0.4

0.5

1.5

输出高（资料来源）电流

I

OH

民

4.6

2.5

9.5

13.5

输出电压：低电平，

V

OL

最大

-

输出电压：高电平，

V

OH

民

-

输入低电压，

V

IL

最大

0.5, 4.5

1, 9

1.5, 13.5

输入高电压，

V

IH

民

0.5, 4.5

1, 9

1.5, 13.5

输入电流I

IN

最大

-

V

IN

(V)

0, 5

0, 10

0, 15

0, 20

0, 5

0, 10

0, 15

0, 5

0, 10

0, 15

0, 5

0, 10

0, 15

0, 5

0, 10

0, 15

-

0, 18

V

DD

(V)

5

10

15

20

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

18

25

参数

静态电流器件

I

DD

最大

-55

0.25

0.5

1

5

0.64

1.6

4.2

-0.64

-2

-1.6

-4.2

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±0.1

-40

0.25

0.5

1

5

0.61

1.5

4

-0.61

-1.8

-1.5

-4

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±0.1

85

7.5

15

30

150

0.42

1.1

2.8

-0.42

-1.3

-1.1

-2.8

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±1

125

7.5

15

30

150

0.36

0.9

2.4

-0.36

-1.15

-0.9

-2.4

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±1

民

-

0.51

1.3

3.4

-0.51

-1.6

-1.3

-3.4

-

4.95

9.95

14.95

-

3.5

7

11

-

典型值

0.01

0.02

1

2.6

6.8

-1

-3.2

-2.6

-6.8

0

5

10

15

-

±10

-5

最大

0.25

0.5

1

5

-

0.05

-

1.5

3

4

-

±0.1

单位

A

mA

V

A

3

CD4070B ， CD4077B

AC电气特定网络阳离子

T

A

= 25

o

C，输入吨

r

, t

f

= 20ns的，C

L

= 50pF的，R

L

= 200k

测试条件

参数

传播延迟时间

符号

t

PHL

, t

PLH

V

DD

(V)

5

10

15

转换时间

t

THL

, t

TLH

5

10

15

输入电容

C

IN

任何输入

限制了所有类型

典型值

140

65

50

100

50

40

5

最大

280

130

100

200

100

80

7.5

单位

ns

pF

典型性能曲线

I

OL

，输出低电平（汇）电流（mA）

I

OL

，输出低电平（汇）电流（mA）

T

A

= 25

o

C

T

A

= 25

o

C

30

25

20

门源电压（V

GS

) = 15V

15

12.5

10

10V

7.5

5

2.5

0

5

10

15

V

DS

，漏源极电压（ V）

5V

门源电压（V

GS

) = 15V

10V

15

10

5V

5

0

5

10

15

V

DS

，漏源极电压（ V）

图3.典型输出低（汇）电流

特征

图4.最小输出低（汇）电流

特征

V

DS

，漏源极电压（ V）

I

OH

，输出高电平（源极）电流（mA）

V

DS

，漏源极电压（ V）

-15

T

A

= 25

o

C

门源电压（V

GS

) = -5V

-10

-5

0

-5

-10

-15

-10V

-20

-25

-15V

-30

-15

T

A

= 25

o

C

-10

-5

0

I

OH

，输出高电平（汇）电流（mA）

0

门源电压（V

GS

) = -5V

-5

-10V

-10

-15V

-15

图5.典型输出高电平（源）电流

特征

图6.最小输出高电平（源）电流

特征

4

CD4070B ， CD4077B

典型性能曲线

T

A

= 25

o

C

（续）

t

PHL

, t

PLH

，传输延迟时间（纳秒）

t

THL

, t

TLH

，过渡时间（纳秒）

T

A

= 25

o

C

300

200

电源电压（V

DD

) = 5V

150

100

50

0

20

40

60

80

100

110

C

L

负载电容（PF ）

200

电源电压（V

DD

) = 5V

10V

15V

100

10V

15V

0

20

40

60

80

100

C

L

负载电容（PF ）

图7.典型的过渡时间之间的函数关系

负载电容

t

PHL

, t

PLH

，传输延迟时间（纳秒）

图8.典型传播延迟时间作为

功能负载电容

10

5

P

D

，功耗（ μW ）

10

4

10

3

10

2

10

1

10

-1

10

-1

T

A

= 25

o

C

负载电容C

L

= 50pF的

300

T

A

= 25

o

C

200

SU

P

VO

LY

P

E(

AG

LT

V

DD

)=

V

15

10V

C

L

= 50pF的

10V

C

L

= 15pF的

5V

100

0

5

10

15

20

V

DD

，电源电压（ V）

1

10

2

10

3

10

f

I

，输入频率（千赫）

10

4

图9.典型传播延迟时间作为

功能电源电压

图10.典型的动态功耗AS一

功能输入频率

5

半导体

CD4070B,

CD4077B

CMOS四路异或

和异或非门

描述

哈里斯CD4070B包含四个独立的Exclusive-

或门。哈里斯CD4077B包含四个独立的

异或非门。

该CD4070B和CD4077B提供系统设计

与直接实施异或的手段

和异或非功能，分别为。

1998年6月

特点

高电压类型（ 20V额定值）

CD4070B - 四异或门

CD4077B - 四异或非门

中速运行

- t

PHL

, t

PLH

= 65ns （典型值），在V

DD

= 10V ，C

L

= 50pF的

100 ％测试静态电流为20V

标准化对称的输出特性

5V ， 10V和15V参数额定值

1μA的18V在整个最大输入电流

封装温度范围

- 为100nA ，在18V和25

o

C

噪声余量（在整个封装温度范围）

- 1V的V

DD

= 5V ， 2V在V

DD

= 10V ， 2.5V在V

DD

= 15V

符合JEDEC标准号13B的所有要求，

“标准的特定网络阳离子'B'系列的说明

CMOS器件

订购信息

产品型号

CD4070BE

CD4077BE

CD4070BF

CD4077BF

CD4070BM

CD4077BM

温度。

RANGE （

o

C)

-55至125

包

14 Ld的PDIP

14 Ld的CERDIP

14 Ld的SOIC

PKG 。

号

E14.3

F14.3

M14.15

应用

逻辑比较

加法器/减法

奇偶校验发生器和校验器

引脚配置

CD4070B

（ PDIP ， CERDIP和SOIC ）

顶视图

CD4077B

（ PDIP ， CERDIP和SOIC ）

顶视图

A 1

B 2

J- á

⊕

B 3

K =

⊕

D 4

C 5

D 6

V

SS

7

14 V

DD

13 H

12 G

M为11 = G

⊕

H

10升= E

⊕

F

9 F

8 E

A 1

B 2

J- á

⊕

B 3

K =

⊕

D 4

C 5

D 6

V

SS

7

14 V

DD

13 H

12 G

M为11 = G

⊕

H

10升= E

⊕

F

9 F

8 E

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

1998年哈里斯公司

网络文件编号

910.1

1

CD4070B ， CD4077B

功能图

CD4070B

1

2

5

6

8

9

12

13

10

4

CD4077B

1

2

5

6

8

9

12

13

10

4

A

J- á

⊕

B

K =

⊕

D

M =摹

⊕

H

L =

⊕

F

B

C

D

E

F

G

H

3

J

A

B

3

J

K

⊕

B

K =

⊕

D

J =一

M =摹

L

C

D

E

F

G

H

K

L

V

SS

= 7

V

DD

= 14

⊕

H

=E

⊕

F

L

11

M

11

M

V

DD

V

DD

V

DD

V

DD

B

2(5,9,12)

p

n

V

SS

V

DD

A

1(6,8,13)

p

n

V

SS

V

DD

V

SS

V

SS

V

DD

V

SS

n

p

n

J

3(4,10,11)

A

1(6,8,13)

B

2(5,9,12)

p

n

V

SS

V

DD

p

n

p

n

p

J

3(4,10,11)

p

INPUTS受保护

采用CMOS保护

网

INPUTS受保护

采用CMOS保护

网

V

SS

V

SS

图1.原理框图CD4070B

（ 1 4个相同GATES ）

图2.原理框图CD4077B

（ 1 4个相同GATES ）

CD4070B真值表（ 1 4 GATES ）

A

0

1

0

1

注意：

1 =高电平

0 =低电平

J- á

⊕

B

0

1

J

0

1

0

CD4077B真值表（ 1 4 GATES ）

A

0

1

0

1

注意：

1 =高电平

0 =低电平

J- á

⊕

B

0

1

J

1

0

1

2

CD4070B ， CD4077B

典型性能曲线

T

A

= 25

o

C

（续）

t

PHL

, t

PLH

，传输延迟时间（纳秒）

t

THL

, t

TLH

，过渡时间（纳秒）

T

A

= 25

o

C

300

200

电源电压（V

DD

) = 5V

150

100

50

0

20

40

60

80

100

110

C

L

负载电容（PF ）

200

电源电压（V

DD

) = 5V

10V

15V

100

10V

15V

0

20

40

60

80

100

C

L

负载电容（PF ）

图7.典型的过渡时间之间的函数关系

负载电容

t

PHL

, t

PLH

，传输延迟时间（纳秒）

图8.典型传播延迟时间作为

功能负载电容

10

5

P

D

，功耗（ μW ）

10

4

10

3

10

2

10

1

10

-1

10

-1

T

A

= 25

o

C

负载电容C

L

= 50pF的

300

T

A

= 25

o

C

200

SU

P

VO

LY

P

E(

AG

LT

V

DD

)=

V

15

10V

C

L

= 50pF的

10V

C

L

= 15pF的

5V

100

0

5

10

15

20

V

DD

，电源电压（ V）

1

10

2

10

3

10

f

I

，输入频率（千赫）

10

4

图9.典型传播延迟时间作为

功能电源电压

图10.典型的动态功耗AS一

功能输入频率

5

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS055E

1998年1月 - 修订2003年9月

CD4070B,

CD4077B

CMOS四路异或

和异或非门

订购信息

产品型号

CD4070BE

CD4070BF3A

CD4070BM

CD4070BMT

CD4070BM96

CD4070BNSR

CD4070BPW

CD4070BPWR

CD4077BE

CD4077BF3A

CD4077BM

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的PDIP

14 Ld的CERDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的SOP

14 Ld的TSSOP

14 Ld的PDIP

14 Ld的CERDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的SOP

14 Ld的TSSOP

特点

高电压类型（ 20V额定值）

[ /标题

(CD40

70B,

CD407

7B)

/子

拍摄对象

（CMO

S四

的排除

sive-

OR

和

的排除

sive-

NOR

门）

/ Autho

r ()

/密钥 -

WORDS

（ Har-

RIS

半

CON-

导体，

CD400

0,

金属

门，

CMOS

， PDIP ，

CERDIP ，

密耳，

CD4070B - 四异或门

CD4077B - 四异或非门

中速运行

- t

PHL

, t

PLH

= 65ns （典型值），在V

DD

= 10V ，C

L

= 50pF的

100 ％测试静态电流为20V

标准化对称的输出特性

5V ， 10V和15V参数额定值

1μA的18V在整个最大输入电流

封装温度范围

- 为100nA ，在18V和25

o

C

噪声余量（在整个封装温度范围）

- 1V的V

DD

= 5V ， 2V在V

DD

= 10V ， 2.5V在V

DD

= 15V

符合JEDEC标准号13B的所有要求，

“标准的特定网络阳离子'B'系列的说明

CMOS器件

应用

逻辑比较

加法器/减法

奇偶校验发生器和校验器

CD4077BMT

CD4077BM96

CD4077BNSR

CD4077BPW

描述

哈里斯CD4070B包含四个独立的Exclusive-

或门。哈里斯CD4077B包含四个独立的

异或非门。

该CD4070B和CD4077B提供系统设计

与直接实施异或的手段

和异或非功能，分别为。

CD4077BPWR

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96

而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量

卷轴250 。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD4070B ， CD4077B

引脚配置

CD4070B

（ PDIP ， CERDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）

顶视图

CD4077B

（ PDIP ， CERDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）

顶视图

A 1

B 2

J- á

⊕

B 3

K =

⊕

D 4

C 5

D 6

V

SS

7

14 V

DD

13 H

12 G

M为11 = G

⊕

H

10升= E

⊕

F

9 F

8 E

A 1

B 2

J- á

⊕

B 3

K =

⊕

D 4

C 5

D 6

V

SS

7

14 V

DD

13 H

12 G

M为11 = G

⊕

H

10升= E

⊕

F

9 F

8 E

功能图

CD4070B

1

2

5

6

8

9

12

13

10

4

CD4077B

1

2

5

6

8

9

12

13

10

4

A

K =

⊕

D

L =

⊕

F

V

SS

= 7

V

DD

= 14

M =摹

⊕

H

J- á

⊕

B

C

D

E

F

G

H

3

A

J

B

3

J

K

⊕

B

K =

⊕

D

J =一

M =摹

C

D

E

F

G

K

L

⊕

H

=E

⊕

F

L

11

M

H

2

CD4070B ， CD4077B

V

DD

V

DD

V

DD

V

DD

B

2(5,9,12)

p

n

V

SS

V

DD

A

1(6,8,13)

p

n

V

SS

V

DD

V

SS

V

SS

V

DD

V

SS

n

p

n

J

3(4,10,11)

A

1(6,8,13)

B

2(5,9,12)

p

n

V

SS

V

DD

p

n

p

n

p

J

3(4,10,11)

p

INPUTS受保护

采用CMOS保护

网

INPUTS受保护

采用CMOS保护

网

V

SS

V

SS

图1.原理框图CD4070B

（ 1 4个相同GATES ）

图2.原理框图CD4077B

（ 1 4个相同GATES ）

CD4070B真值表（ 1 4 GATES ）

A

0

1

0

1

注意：

1 =高电平

0 =低电平

J- á

⊕

B

0

1

J

0

1

0

CD4077B真值表（ 1 4 GATES ）

A

0

1

0

1

注意：

1 =高电平

0 =低电平

J- á

⊕

B

0

1

J

1

0

1

3

CD4070B ， CD4077B

绝对最大额定值

直流电源电压范围（Ⅴ

DD

）。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至20V

输入电压范围，所有输入。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V到V

DD

0.5V

DC输入电流

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .±

10mA

热信息

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注1 ）：

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 80

o

C / W

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 86

o

C / W

NS （ SOP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 76

o

C / W

PW （ TSSOP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 113

o

C / W

最高结温（密封包装或死亡）。 175

o

C

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

工作条件

温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围（典型值）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3V至18V

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

限制了指定温度下（

o

C)

条件

V

O

(V)

-

输出低电平（漏）电流

I

OL

民

0.4

0.5

1.5

输出高（资料来源）电流

I

OH

民

4.6

2.5

9.5

13.5

输出电压：低电平，

V

OL

最大

-

输出电压：高电平，

V

OH

民

-

输入低电压，

V

IL

最大

0.5, 4.5

1, 9

1.5, 13.5

输入高电压，

V

IH

民

0.5, 4.5

1, 9

1.5, 13.5

输入电流I

IN

最大

-

V

IN

(V)

0, 5

0, 10

0, 15

0, 20

0, 5

0, 10

0, 15

0, 5

0, 10

0, 15

0, 5

0, 10

0, 15

0, 5

0, 10

0, 15

-

0, 18

V

DD

(V)

5

10

15

20

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

18

25

参数

静态电流器件

I

DD

最大

-55

0.25

0.5

1

5

0.64

1.6

4.2

-0.64

-2

-1.6

-4.2

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±0.1

-40

0.25

0.5

1

5

0.61

1.5

4

-0.61

-1.8

-1.5

-4

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±0.1

85

7.5

15

30

150

0.42

1.1

2.8

-0.42

-1.3

-1.1

-2.8

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±1

125

7.5

15

30

150

0.36

0.9

2.4

-0.36

-1.15

-0.9

-2.4

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±1

民

-

0.51

1.3

3.4

-0.51

-1.6

-1.3

-3.4

-

4.95

9.95

14.95

-

3.5

7

11

-

典型值

0.01

0.02

1

2.6

6.8

-1

-3.2

-2.6

-6.8

0

5

10

15

-

±10

-5

最大

0.25

0.5

1

5

-

0.05

-

1.5

3

4

-

±0.1

单位

A

mA

V

A

4

CD4070B ， CD4077B

AC电气特定网络阳离子

T

A

= 25

o

C，输入吨

r

, t

f

= 20ns的，C

L

= 50pF的，R

L

= 200k

测试条件

参数

传播延迟时间

符号

t

PHL

, t

PLH

V

DD

(V)

5

10

15

转换时间

t

THL

, t

TLH

5

10

15

输入电容

C

IN

任何输入

限制了所有类型

典型值

140

65

50

100

50

40

5

最大

280

130

100

200

100

80

7.5

单位

ns

pF

典型性能曲线

I

OL

，输出低电平（汇）电流（mA）

I

OL

，输出低电平（汇）电流（mA）

T

A

= 25

o

C

T

A

= 25

o

C

30

25

20

门源电压（V

GS

) = 15V

15

12.5

10

10V

7.5

5

2.5

0

5

10

15

V

DS

，漏源极电压（ V）

5V

门源电压（V

GS

) = 15V

10V

15

10

5V

5

0

5

10

15

V

DS

，漏源极电压（ V）

图3.典型输出低（汇）电流

特征

图4.最小输出低（汇）电流

特征

V

DS

，漏源极电压（ V）

I

OH

，输出高电平（源极）电流（mA）

V

DS

，漏源极电压（ V）

-15

T

A

= 25

o

C

门源电压（V

GS

) = -5V

-10

-5

0

-5

-10

-15

-10V

-20

-25

-15V

-30

-15

T

A

= 25

o

C

-10

-5

0

I

OH

，输出高电平（汇）电流（mA）

0

门源电压（V

GS

) = -5V

-5

-10V

-10

-15V

-15

图5.典型输出高电平（源）电流

特征

图6.最小输出高电平（源）电流

特征

5

从哈里斯半导体数据表收购

SCHS055E

1998年1月 - 修订2003年9月

CD4070B,

CD4077B

CMOS四路异或

和异或非门

订购信息

产品型号

CD4070BE

CD4070BF3A

CD4070BM

CD4070BMT

CD4070BM96

CD4070BNSR

CD4070BPW

CD4070BPWR

CD4077BE

CD4077BF3A

CD4077BM

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-55至125

包

14 Ld的PDIP

14 Ld的CERDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的SOP

14 Ld的TSSOP

14 Ld的PDIP

14 Ld的CERDIP

14 Ld的SOIC

14 Ld的SOP

14 Ld的TSSOP

特点

高电压类型（ 20V额定值）

[ /标题

(CD40

70B,

CD407

7B)

/子

拍摄对象

（CMO

S四

的排除

sive-

OR

和

的排除

sive-

NOR

门）

/ Autho

r ()

/密钥 -

WORDS

（ Har-

RIS

半

CON-

导体，

CD400

0,

金属

门，

CMOS

， PDIP ，

CERDIP ，

密耳，

CD4070B - 四异或门

CD4077B - 四异或非门

中速运行

- t

PHL

, t

PLH

= 65ns （典型值），在V

DD

= 10V ，C

L

= 50pF的

100 ％测试静态电流为20V

标准化对称的输出特性

5V ， 10V和15V参数额定值

1μA的18V在整个最大输入电流

封装温度范围

- 为100nA ，在18V和25

o

C

噪声余量（在整个封装温度范围）

- 1V的V

DD

= 5V ， 2V在V

DD

= 10V ， 2.5V在V

DD

= 15V

符合JEDEC标准号13B的所有要求，

“标准的特定网络阳离子'B'系列的说明

CMOS器件

应用

逻辑比较

加法器/减法

奇偶校验发生器和校验器

CD4077BMT

CD4077BM96

CD4077BNSR

CD4077BPW

描述

哈里斯CD4070B包含四个独立的Exclusive-

或门。哈里斯CD4077B包含四个独立的

异或非门。

该CD4070B和CD4077B提供系统设计

与直接实施异或的手段

和异或非功能，分别为。

CD4077BPWR

注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96

而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量

卷轴250 。

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。

版权

2003年，德州仪器

1

CD4070B ， CD4077B

引脚配置

CD4070B

（ PDIP ， CERDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）

顶视图

CD4077B

（ PDIP ， CERDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）

顶视图

A 1

B 2

J- á

⊕

B 3

K =

⊕

D 4

C 5

D 6

V

SS

7

14 V

DD

13 H

12 G

M为11 = G

⊕

H

10升= E

⊕

F

9 F

8 E

A 1

B 2

J- á

⊕

B 3

K =

⊕

D 4

C 5

D 6

V

SS

7

14 V

DD

13 H

12 G

M为11 = G

⊕

H

10升= E

⊕

F

9 F

8 E

功能图

CD4070B

1

2

5

6

8

9

12

13

10

4

CD4077B

1

2

5

6

8

9

12

13

10

4

A

K =

⊕

D

L =

⊕

F

V

SS

= 7

V

DD

= 14

M =摹

⊕

H

J- á

⊕

B

C

D

E

F

G

H

3

A

J

B

3

J

K

⊕

B

K =

⊕

D

J =一

M =摹

C

D

E

F

G

K

L

⊕

H

=E

⊕

F

L

11

M

H

2

CD4070B ， CD4077B

V

DD

V

DD

V

DD

V

DD

B

2(5,9,12)

p

n

V

SS

V

DD

A

1(6,8,13)

p

n

V

SS

V

DD

V

SS

V

SS

V

DD

V

SS

n

p

n

J

3(4,10,11)

A

1(6,8,13)

B

2(5,9,12)

p

n

V

SS

V

DD

p

n

p

n

p

J

3(4,10,11)

p

INPUTS受保护

采用CMOS保护

网

INPUTS受保护

采用CMOS保护

网

V

SS

V

SS

图1.原理框图CD4070B

（ 1 4个相同GATES ）

图2.原理框图CD4077B

（ 1 4个相同GATES ）

CD4070B真值表（ 1 4 GATES ）

A

0

1

0

1

注意：

1 =高电平

0 =低电平

J- á

⊕

B

0

1

J

0

1

0

CD4077B真值表（ 1 4 GATES ）

A

0

1

0

1

注意：

1 =高电平

0 =低电平

J- á

⊕

B

0

1

J

1

0

1

3

CD4070B ， CD4077B

绝对最大额定值

直流电源电压范围（Ⅴ

DD

）。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至20V

输入电压范围，所有输入。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V到V

DD

0.5V

DC输入电流

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .±

10mA

热信息

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注1 ）：

E（ PDIP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 80

o

C / W

M（ SOIC ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 86

o

C / W

NS （ SOP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 76

o

C / W

PW （ TSSOP ）封装。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 113

o

C / W

最高结温（密封包装或死亡）。 175

o

C

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150

o

C

最大存储温度范围。。。。。。。。。。 -65

o

C至150

o

C

工作条件

温度范围（T

A

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55

o

C至125

o

C

电源电压范围（典型值）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3V至18V

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

直流电特定网络阳离子

限制了指定温度下（

o

C)

条件

V

O

(V)

-

输出低电平（漏）电流

I

OL

民

0.4

0.5

1.5

输出高（资料来源）电流

I

OH

民

4.6

2.5

9.5

13.5

输出电压：低电平，

V

OL

最大

-

输出电压：高电平，

V

OH

民

-

输入低电压，

V

IL

最大

0.5, 4.5

1, 9

1.5, 13.5

输入高电压，

V

IH

民

0.5, 4.5

1, 9

1.5, 13.5

输入电流I

IN

最大

-

V

IN

(V)

0, 5

0, 10

0, 15

0, 20

0, 5

0, 10

0, 15

0, 5

0, 10

0, 15

0, 5

0, 10

0, 15

0, 5

0, 10

0, 15

-

0, 18

V

DD

(V)

5

10

15

20

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

18

25

参数

静态电流器件

I

DD

最大

-55

0.25

0.5

1

5

0.64

1.6

4.2

-0.64

-2

-1.6

-4.2

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±0.1

-40

0.25

0.5

1

5

0.61

1.5

4

-0.61

-1.8

-1.5

-4

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±0.1

85

7.5

15

30

150

0.42

1.1

2.8

-0.42

-1.3

-1.1

-2.8

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±1

125

7.5

15

30

150

0.36

0.9

2.4

-0.36

-1.15

-0.9

-2.4

0.05

4.95

9.95

14.95

1.5

3

4

3.5

7

11

±1

民

-

0.51

1.3

3.4

-0.51

-1.6

-1.3

-3.4

-

4.95

9.95

14.95

-

3.5

7

11

-

典型值

0.01

0.02

1

2.6

6.8

-1

-3.2

-2.6

-6.8

0

5

10

15

-

±10

-5

最大

0.25

0.5

1

5

-

0.05

-

1.5

3

4

-

±0.1

单位

A

mA

V

A

4

CD4070B ， CD4077B

AC电气特定网络阳离子

T

A

= 25

o

C，输入吨

r

, t

f

= 20ns的，C

L

= 50pF的，R

L

= 200k

测试条件

参数

传播延迟时间

符号

t

PHL

, t

PLH

V

DD

(V)

5

10

15

转换时间

t

THL

, t

TLH

5

10

15

输入电容

C

IN

任何输入

限制了所有类型

典型值

140

65

50

100

50

40

5

最大

280

130

100

200

100

80

7.5

单位

ns

pF

典型性能曲线

I

OL

，输出低电平（汇）电流（mA）

I

OL

，输出低电平（汇）电流（mA）

T

A

= 25

o

C

T

A

= 25

o

C

30

25

20

门源电压（V

GS

) = 15V

15

12.5

10

10V

7.5

5

2.5

0

5

10

15

V

DS

，漏源极电压（ V）

5V

门源电压（V

GS

) = 15V

10V

15

10

5V

5

0

5

10

15

V

DS

，漏源极电压（ V）

图3.典型输出低（汇）电流

特征

图4.最小输出低（汇）电流

特征

V

DS

，漏源极电压（ V）

I

OH

，输出高电平（源极）电流（mA）

V

DS

，漏源极电压（ V）

-15

T

A

= 25

o

C

门源电压（V

GS

) = -5V

-10

-5

0

-5

-10

-15

-10V

-20

-25

-15V

-30

-15

T

A

= 25

o

C

-10

-5

0

I

OH

，输出高电平（汇）电流（mA）

0

门源电压（V

GS

) = -5V

-5

-10V

-10

-15V

-15

图5.典型输出高电平（源）电流

特征

图6.最小输出高电平（源）电流

特征

5