CD4067BMS
CD4097BMS
1992年12月
CMOS模拟
多路复用器/多路解复用器
引脚
CD4067BMS
顶视图
特点
高电压类型（ 20V额定值）
CD4067BMS单16通道多路复用器/多路解复用器
CD4097BMS差分8通道多路复用器/ Demulti-
多路复用器
低导通电阻： 125Ω （典型值）超过15Vp -P信号
输入范围为VDD - VSS = 15V
高关性：道泄漏
±10pA
（典型值）
在VDD - VSS = 18V
匹配的开关特性： RON = 5Ω （典型值）
VDD - VSS = 15V
非常低的静态功耗在所有Digi-
TAL控制输入和电源条件： 0.2μW （典型值）
在VDD - VSS = 10V
片上二进制地址解码
5V ， 10V和15V参数额定值
100 ％测试静态电流为20V
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄的温度范围;为100nA ，在18V和+25
o
C
标准化对称的输出特性
常见OUT / IN 1
7 2
6 3
5 4
4 5
24 VDD
23 8
22 9
21 10
20 11
19 12
18 13
17 14
16 15
15禁止
14 C
13 D
*
3 6
2 7
1 8
0 9
A 10
*
*
B 11
通道
VSS 12
IN / OUT
应用
模拟和数字复用和解复
A / D和D / A转换
门控信号
*当这些设备被用来作为解复用器的“频道
IN / OUT “端子的输出和”公共线输出/输入“端子
minals是输入。
普通X
OUT / IN 1
7 2
6 3
5 4
通道x
IN / OUT
4 5
3 6
2 7
1 8
0 9
A 10
B 11
VSS 12
24 VDD
23 0
22 1
21 2
20 3
19 4
18 5
17 COMMON
输出/输入
16 6
Y通道
15 7
14 C
13 INHIBIT
IN / OUT
Y通道
IN / OUT
CD4097BMS
顶视图
描述
CD4067BMS和CD4097BMS CMOS模拟多路复用器/
解复用器*是数字控制的具有模拟开关
低导通阻抗，低关断漏电流，以及内部
地址译码。此外，导通电阻是相对
常在整个输入信号范围。
该CD4067BMS是一个16通道多路复用器与四位二进制
控制输入端A，B ， C，D和一个禁止输入端，布置成使
的输入的任何组合中选择一个开关。
该CD4097BMS是一种具有差分8通道多路复用器
三个二进制控制输入端A，B ， C和一个禁止输入。输入
允许选择一八对交换机。逻辑“ 1 ”
目前在抑制输入关闭所有通道关闭。
该CD4067BMS和CD4097BMS在这24提供
铅外形封装：
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
* CD4067B只
*H4V
H6M
*H1Z
· HFN
*H4P
H4P
CD4097B
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3190
7-1
特定网络阳离子CD4067BMS ， CD4097BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
导通状态电阻
RL = 10K归国
VDD - VSS / 2
罗恩
VDD = 5V
可见= VSS至VDD
3
1
2
3
VDD = 10V
可见= VSS至VDD
1
2
3
VDD = 15V
可见= VSS至VDD
1
2
3
N门限电压
P阈值电压
功能（注4 ）
VNTH
VPTH
F
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
VIL
VIH
VDD = 5V = VIS直通1K
VEE = VSS
RL = 1K到VSS
|国际空间站| < 2μA所有
关通道
VDD = 15V = VIS直通1K
VEE = VSS
RL = 1K到VSS
|国际空间站| < 2μA所有
关通道
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
3.5
1.5
-
V
V
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
10
1000
10
-
-
-
100
1000
100
1050
1300
800
400
500
310
240
320
220
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
VIL
VIH
1, 2, 3
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
11
4
-
V
V
7-2
特定网络阳离子CD4067BMS ， CD4097BMS
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V
IOZH
VOUT = VDD
VDD = 20V
3
1
2
VDD = 18V
注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
民
-0.1
-1.0
-0.1
-
-
-
最大
-
-
-
0.1
1.0
0.1
单位
A
A
A
A
A
A
参数
关道泄漏
任何通道关闭，或者所有
道关
（常见的输出/输入）
符号
IOZL
条件
（注1 ）
VOUT = 0V
VDD = 20V
3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
4. VDD = 2.8 / 3.0V ， RL = 200K
VDD = 20V / 18V ， RL = 10K - 25K
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
最大
60
81
650
878
单位
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
（信号输入到输出）
传播延迟
地址或抑制来
信号输出。
（信道导通）
注意事项：
符号
的TPH1
TPLH
tpZH
tPZL
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注1,2 ）
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注2,3）
1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
3. CL = 50pF的，RL = 10K，输入TR ，TF <为20ns 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输入电压低
输入电压高
VIL
VIH
VDD = VIS = 10V
VEE = VSS
RL = 1K到VSS
IIS < 2μA
ON OFF通道
VDD = 10V
VDD = 15V
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
+7
最大
5
150
10
300
10
600
3
-
单位
A
A
A
A
A
A
V
V
传播延迟
地址或抑制来
信号输出。
（信道导通）
传播延迟
信号到输出
tpZH
tPZL
1, 2, 4
1, 2, 4
-
-
270
190
ns
ns
的TPH1
TPLH
VDD = 10V
VDD = 15V
VIS = VDD或
GND
1, 2, 3
1, 2, 3
+25
o
C
+25
o
C
-
-
30
20
ns
ns
7-3
特定网络阳离子CD4067BMS ， CD4097BMS
表3.电气性能特性（续）
范围
参数
传播延迟
地址或抑制来
信号输出
（通道关闭）
输入电容
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
4. CL = 50pF的，RL = 10K，输入TR ，TF <为20ns 。
5， CL = 50pF的， RL = 300Ω ，输入TR ， TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
25
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
符号
tPHZ
tPLZ
条件
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
CIN
任何地址或抑制
笔记
1, 2, 5
1, 2, 5
1, 2, 5
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-
-
-
最大
440
180
130
7.5
单位
ns
ns
ns
pF
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - MSI- 2
抗性
符号
国际直拨电话
RONDEL10
±
1.0A
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
临时测试3 （后残影）
的PDA （注1）
最终测试
MIL-STD-883
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
2,3 ，8A，8B ，10，11
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
7-4
特定网络阳离子CD4067BMS ， CD4097BMS
表6.适用子群
符合的集团
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
法
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
1, 7, 9
1 ，2，3 ， 8A，8B， 9
亚组1 ， 2 3
子群1，2， 3，9 ，10，11
读取并记录
注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
法
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
PART NUMBER CD4067BMS
静态燃烧式1注1
静态燃烧式2注1
动态老化测试注1
辐照注2
PART NUMBER CD4097BMS
静态燃烧式1注1
静态燃烧式2注1
动态老化测试注1
辐照注2
注意：
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 ％ ， VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败，
VDD = 10V
±
0.5V
3.引脚10为14kHz的，引脚11为7kHz的，引脚13为1.7kHz ，引脚14为3.5kHz的
4.引脚10为14kHz的，引脚11为7kHz的，引脚14为3.5kHz的
1, 17
1, 17
-
1, 17
2 - 16, 18 - 23
12
12, 13
12
24
2 - 11, 13 - 16,
18 - 24
24
2 - 11, 13 - 16,
18 - 24
1, 17
2 - 9, 15, 16,
18 - 23
10, 11, 14
（注4 ）
1
1
-
1
2 - 23
12
12, 15
12
24
2 - 11, 13 - 24
24
2 - 11, 13 - 24
1
2 - 9, 16 - 23
10, 11, 13, 14
（注3）
开放
地
VDD
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
7-5
QQ：2881677436 复制
