CD4066BMS
1992年12月
CMOS四路双向开关
描述
CD4066BMS是一款四双边开关意为
传输或模拟或数字信号的复用。这是
引脚对引脚与CD4016B兼容，但呈现出多
较低的开态电阻。此外，通态电阻
是相对恒定的，在整个输入信号范围。
该CD4066BMS由四个独立的双边
开关。一个控制信号，每个开关是必需的。两
在一个给定的开关的p和n个器件被偏置打开或关闭
通过同时控制信号。如图1 ，
每个交换机上的N沟道器件的阱要么绑
到输入时，开关导通或到VSS的切换时
是关闭的。这种配置消除了开关的变化
晶体管的阈值电压与输入信号，从而保持
的通态电阻低，在整个工作信号
范围内。
在单信道交换机的优点包括高峰
输入信号的电压摆幅等于全供电电压，
更恒定导通阻抗状态对输入信号
范围内。用于采样和保持的应用程序，然而，
CD4016B建议。
该CD4066BMS在这些14引脚外形封装提供
年龄：
钎焊密封DIP
H4Q
熔接密封DIP
H1B
陶瓷扁平H3W
特点
对于多路模拟或数字传输或
信号的
高电压类型（ 20V额定值）
15V或数字
±7.5V
峰 - 峰值开关
125Ω的典型导通电阻的15V操作
开关导通状态电阻匹配在5Ω
在15V信号输入范围
导通电阻平坦，全峰 - 峰值显
最终范围
高开/关输出电压比
- 80分贝典型。在FIS = 10kHz时， RL = 1kΩ的
高线性度： <0.5 ％失真典型。在
FIS = 1kHz时， VIS = 5Vp -P ， VDD - VSS
≥
10V ，RL = 10kΩ的
极低的关态漏电开关致使
极低的失调电流和高效关闭状态
阻力： 10pA的典型。在VDD - VSS = 10V ，T
A
= +25
o
C
极高的控制输入阻抗（控制税务局局长
CUIT从信号电路隔离） ： 10
12
典型值。
交换机之间的低串扰： -50dB典型值。在FIS =
为8MHz ，RL = 1kΩ的
匹配
控制
输入
to
信号
产量
电容式：减少输出信号的瞬态
频率响应，接通= 40MHz的（典型值）。
100 ％测试静态电流为20V
5V ， 10V和15V参数额定值
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号， “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
引脚
CD4066BMS
顶视图
IN / OUT A 1
OUT / IN A 2
14 VDD
13 CONT一
12 CONT
11 IN / OUT
10 OUT / D中
9 OUT / IN C
8 IN / OUT
应用
模拟信号开关/多路复用
- 门控信号
- 调制器
- 静噪控制
- 解调器
- 斩波
- 换向开关
数字信号切换/复用
传输门逻辑实现
模拟到数字&数字到模拟的转换
数字控制频率，阻抗，相位和
模拟信号增益
OUT / IN B 3
IN / OUT B 4
CONT B 5
CONT C 6
VSS 7
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3319
7-966
特定网络阳离子CD4066BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VC = VDD和GND
3
1
2
3
输入漏电流
IIH
VC = VDD和GND
1
2
3
输入/输出泄漏
当前（关闭）
IOZL
VC = 0V ， VIS = 18V ，
VOS = 0V ， VIS = 0V ，
VOS = 18V
VDD = 20
1
2
VDD = 18V
IOZH
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
抗性
RON5
RON10
RON15
抗性
RON5
VC = VDD ， RL = 10kW的VDD = 5V
回到VDD -
VDD = 10V
VSS/2
VDD = 15V
可见= VSS至VDD
VDD = 5V
3
1
1
1
1, 2
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
抗性
RON10
VDD = 10V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
抗性
RON15
VDD = 15V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
实用
（注3）
F
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
开关阈值
RL = 100K到VDD
N门限电压
P阈值电压
SWTHRH5 VDD = 5V ，VC = 1.5V ， VIS = GND
SWTHRH15 VDD = 15V ，VC = 2V ， VIS = GND
VNTH
VPTH
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
4.1
14.1
-2.8
0.7
-
-
-0.7
2.8
V
V
V
V
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
1050
400
240
-
-
-
-
-
-
最大
0.5
50
0.5
-
-
-
100
1000
100
-
-
-
100
1000
100
-
-
-
1300
800
550
310
320
220
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
7-967
特定网络阳离子CD4066BMS
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
民
-
-
最大
1
2
单位
V
V
参数
控制输入为低
电压（注2 ）
| IIS | < 10μA ， VIS = VSS ，
VOS = VDD和
可见= VDD ， VOS = VSS
控制输入高
电压
（注2 ，图2）
VIS = VSS和VIS =
VDD
符号
VILC5
VILC15
条件
（注1 ）
VDD = 5V
VDD = 15V
VIHC
VDD = 5V ， | IIS | = 0.51毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
VDD = 5V ， | IIS | = 0.36毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
VDD = 5V ， | IIS | = 0.64毫安， 4.6V <
VOS < 0.4V
1
2
3
1
2
3
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
3.5
3.5
3.5
11
11
11
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
VIHC
VDD = 15V ， | IIS | = 3.4毫安， 13.5V <
VOS <1.5V
VDD = 15V ， | IIS | = 2.4毫安， 13.5V <
VOS < 1.5V
VDD = 15V ， | IIS | = 4.2毫安， 13.5V <
VOS <1.5V
注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3. VDD = 2.8V / 3.0V ， RL = 100K到VDD
VDD = 20V / 18V ， RL = 10K到VDD
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
最大
40
54
70
95
单位
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
信号输入信号
产量
传播延迟
导通，关断
注意事项：
符号
TPLH
的TPH1
条件
VC = VDD = 5V ， VSS = GND
（注2,3）
TPHZ / ZH VIS = VDD = 5V （注1,2 ）
TPLZ / ZL
1， CL = 50pF的， RL = 1K ，输入TR ， TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
控制输入为低
电压
| IIS | < 10μA ， VIS = VSS ，
VOS = VDD和
可见= VDD ， VOS = VSS
VILC10
VDD = 10V
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.25
7.5
0.5
15
0.5
30
2
单位
A
A
A
A
A
A
V
7-968
特定网络阳离子CD4066BMS
表3.电气性能特性
（续）
范围
参数
控制输入高
电压（参见图2）
传播延迟
信号输入到
信号输出
传播延迟
导通，关断
输入电容
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
25
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
符号
VIHC10
TPLH
的TPH1
条件
VDD = 10V ， VIS = VDD和GND
VDD = 10V
VDD = 15V
笔记
2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
7
-
-
-
-
-
最大
-
20
15
40
30
7.5
单位
V
ns
ns
ns
ns
pF
TPHZ / ZH VDD = 10V
TPLZ / ZL
VDD = 15V
CIN
任何输入
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - SSI
抗性
符号
国际直拨电话
RONDEL10
±0.1A
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
临时测试3 （后残影）
的PDA （注1）
MIL-STD-883
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A ， RONDEL10
7-969
特定网络阳离子CD4066BMS
表6.适用子群
（续）
符合的集团
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
法
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
1, 7, 9
1 ，2，3 ， 8A，8B， 9
亚组1 ， 2 3
子群1，2， 3，9 ，10，11
读取并记录
注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
法
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态BURN- IN 1 （注1 ）
静态BURN- IN 2 （注1 ）
动态BURN -IN （注1 ）
照射（注2 ）
注意：
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 ％ ， VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败， VDD
= 10V
±
0.5V
开放
2, 3, 9, 10
2, 3, 9, 10
-
2, 3, 9, 10
地
1, 4-8, 11-13
7
7
7
VDD
14
1, 4-6, 8, 11-14
14
1, 4-6, 8, 11-14
2, 3, 9, 10
5, 6, 12, 13
1, 4, 8, 11
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
工作原理图
真值表每个开关
IN / OUT
SIG一个
输出/输入
2
1
SW
A
13
对照A
14
VDD
输入
VC
1
1
VIS
0
1
0
1
产量
VOS
0
1
开放
开放
输出/输入
SIG B
IN / OUT
3
SW
D
12
对照物D
0
0
4
SW
B
11
IN / OUT
SIG
控制B
5
10
输出/输入
正逻辑：打开VC = “ 1 ”
开关OFF VC = “ 0 ”
对照C
6
SW
C
9
输出/输入
SIG
VSS
7
8
IN / OUT
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