CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
15 - V数字或
±7.5-V
峰 - 峰值
开关
125 Ω典型导通电阻为15 -V
手术
开关导通状态电阻匹配
在5
在15 -V信号输入范围
导通电阻平坦,全
峰 - 峰值信号范围
高开/关输出电压比: 80分贝
典型在f
is
= 10千赫,R
L
= 1 k
高线性度: <0.5 %失真
典型在f
is
= 1千赫,V
is
= 5 V P-P ,
V
DD
– V
SS
≥
10 V ,R
L
= 10 k
极低的关闭状态漏电开关,
导致极低的失调电流和
高效断态电阻: 10 pA的
典型的V
DD
– V
SS
= 10 V ,T
A
= 25°C
极高的控制输入阻抗
(控制电路隔离与信号
电路) : 10
12
典型
交换机之间的低串扰: -50分贝
典型在f
is
= 8兆赫,R
L
= 1 k
D
D
D
D
D
D
匹配的控制,输入到信号输出
电容式:减少输出信号
瞬变
频率响应,开关通= 40 MHz的
典型
100 %测试静态电流为20 V
5 -V , 10 - V和15 -V的参数等级
符合JEDEC暂定的所有要求
标准第13号-B ,
标准规格
为“B”系列CMOS描述
器件
应用范围:
- 模拟信号开关/多路复用:
信号选通,调制器,静噪
控制,解调器,斩波器,
换向开关
数字信号切换/复用
- 传输门逻辑实现
- 模拟 - 数字和数字 - 模拟
转变
- 频率的数字控制,阻抗,
相,和模拟信号增益
E, F,M , NS ,或PW包装
( TOP VIEW )
SIG A IN / OUT
SIG A OUT / IN
SIG B OUT / IN
SIG B IN / OUT
控制B
对照C
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
对照A
对照物D
SIG D IN / OUT
SIG D OUT / IN
SIG C OUT / IN
SIG C IN / OUT
描述/订购信息
该CD4066B是四双向开关用于模拟或数字信号的传输或多路复用。
它是针对引脚与CD4016B兼容,但是表现出低得多的导通状态电阻。此外,该
通态电阻是比较恒定的,在整个信号输入范围。
该CD4066B由四个双边开关,每个独立的控制。既在p和n器件
在一个给定的开关被偏置打开或关闭同时由所述控制信号。如示于图1的井
各交换机的n沟道器件是依赖于任一输入端(当开关导通时),或者到V
SS
(下转时,
是关闭的) 。这种结构消除了开关晶体管的阈值电压与输入信号和变型中,
因此,保持导通状态电阻低,在整个工作信号范围。
在单信道交换机的优点包括峰值输入信号的电压摆幅等于全供应
电压和更恒定的导通阻抗状态,在输入信号范围。然而,对于采样和保持
应用中, CD4016B建议。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2003年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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1
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
描述/订购信息(续)
订购信息
TA
CDIP - F
PDIP - ê
SOIC - M
SOP - NS
TSSOP - PW
包装
25管
25管
50管
–55°C 125°C
-55℃至125℃
2500卷
250的卷轴
2000年卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
CD4066BF3A
CD4066BE
CD4066BM
CD4066BM96
CD4066BMT
CD4066BNSR
CD4066BPW
CD4066BPWR
CD4066B
CM066B
CD4066BM
TOP- SIDE
记号
CD4066BF3A
CD4066BE
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
开关
控制
In
VIS
p
n
p
n
OUT
VOS
控制
VC =
n
VSS
VDD
VSS
所有的控制输入由CMOS防护网保护。
注意事项: A.所有的P衬底连接到VDD 。
B.正常操作控制线偏置:开关(逻辑1 ) , VC = VDD ;关闭(逻辑0) ,VC = VSS
C.信号电平范围:VSS
≤
VIS
≤
VDD
92CS-29113
的一对四的相同开关图1.原理图和相关的控制电路
2
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CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
在工作自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
直流电源电压范围,V
DD
(电压参考V
SS
终奌站) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5到20V
输入电压范围,V
is
(所有输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
DD
+
0.5 V
直流输入电流,I
IN
(任何一个输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) : E封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80 ° C / W
男包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
引线温度(焊接时) :
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59
±
0,79毫米)的情况下, 10秒最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 :该封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
VDD
TA
电源电压
工作自由空气的温度
3
–55
最大
18
125
单位
V
°C
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3
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
电气特性
限制了指定温度
参数
测试条件
VIN
(V)
0, 5
国际直拨电话
静态器件
当前
0, 10
0, 15
0, 20
信号输入( VIS)和输出( VOS)
VC = VDD ,
k
RL = 10千回
V
DD
*
V
SS
to
,
2
可见= VSS至VDD
导通状态电阻
区别
任意两台主机
总谐波
失真
-3 - dB截止
频率
(开关)
-50 dB的馈通
频率(关闭)
IIS
输入/输出泄漏
当前(关闭)
(最大)
-50 dB的串扰
频率
5
10
15
5
RL = 10 kΩ的,VC = VDD
k
10
15
VC = VDD = 5V , VSS = -5V ,
VIS ( P-P ) = 5 V(集中在0 V正弦波)
RL = 10 kΩ的, FIS = 1 - kHz正弦波
VC = VDD = 5V , VSS = -5V ,可见( P-P ) = 5 V
(集中在0 V的正弦波) , RL = 1 kΩ的
VC = VSS = -5V ,可见( P-P ) = 5 V
(集中在0 V的正弦波) , RL = 1 kΩ的
VC = 0 V ,可见= 18 V,沃斯= 0 V ;
和
VC = 0 V ,可见= 0 V ,沃斯= 18 V
VC ( A) = VDD = 5 V ,
VC ( B) = VSS = -5V ,
VIS ( A) = 5 Vp-p的, 50 Ω源,
RL = 1 kΩ的
RL = 200 kΩ的,VC = VDD ,
VSS = GND , CL = 50 pF的,
VIS = 10 V
(方波集中在5 V ) ,
TR , TF = 20 ns的
VDD = 5 V ,VC = VSS = -5V
VDD = 5 V ,VC = VSS = -5V
VDD = 5 V ,VC = VSS = -5V
18
±0.1
±0.1
±1
±1
800
310
200
850
330
210
1200
500
300
1300
550
320
470
180
125
15
10
5
0.4
%
1050
400
240
VDD
(V)
5
10
15
20
–55°C
0.25
0.5
1
5
–40°C
0.25
0.5
1
5
85°C
7.5
15
30
150
125°C
7.5
15
30
150
25°C
典型值
0.01
0.01
0.01
0.02
最大
0.25
0.5
1
5
A
A
单位
罗恩
导通状态电阻
(最大)
r
on
r
THD
40
兆赫
1
±10
–5
±0.1
兆赫
A
8
兆赫
5
10
15
20
10
7
8
8
0.5
40
20
15
pF
pF
pF
ns
tPD的
传播延迟
(信号输入到
信号输出)
输入电容
输出电容
穿心
CIS
COS
首席信息官
4
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CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
电气特性(续)
限制了指定温度
特征
控制( VC )
Vilc
控制输入
低电压(最大)
| iis的| < 10
A,
可见= VSS , VOS = VDD ,并
可见= VDD , VOS = VSS
5
10
15
5
VIHC
控制输入
高压
输入电流(最大值)
串音(控制输入
到信号输出)
导通和关断
传播延迟
参见图6
VIS
≤
VDD , VDD - VSS = 18 V ,
VCC
≤
VDD - VSS
VC = 10V (方波)
TR , TF = 20纳秒, RL = 10 kΩ的
VIN = VDD , TR , TF = 20纳秒,
CL = 50 pF的, RL = 1 kΩ的
可见= VDD , VSS = GND ,
RL = 1 kΩ到GND , CL = 50 pF的,
VC = 10V (方波
集中在5 V ) , TR , TF = 20纳秒,
沃斯= 1/2沃斯在1 kHz
10
15
IIN
18
10
5
10
15
5
10
15
±0.1
±0.1
1
2
2
1
2
2
1
2
2
3.5 (MIN)
图7( MIN)的
11 ( MIN )
±1
±1
±10
–5
50
35
20
15
6
9
9.5
5
7.5
pF
兆赫
70
40
30
ns
±0.1
A
mV
V
1
2
2
1
2
2
V
测试条件
VDD
(V)
–55°C
–40°C
85°C
125°C
25°C
典型值
最大
单位
最大控制输入
重复率
CI
输入电容
开关特性
开关量输入
VDD
(V)
5
5
10
10
15
15
VIS
(V)
0
5
0
10
0
15
IIS(毫安)
–55°C
0.64
–0.64
1.6
–1.6
4.2
–4.2
–40°C
0.61
–0.61
1.5
–1.5
4
–4
25°C
0.51
–0.51
1.3
–1.3
3.4
–3.4
85°C
0.42
–0.42
1.1
–1.1
2.8
–2.8
125°C
0.36
–0.36
0.9
–0.9
2.4
–2.4
13.5
9.5
1.5
4.6
0.5
开关
OUTPUT ,沃斯
(V)
民
最大
0.4
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5
CD4066BM CD4066BC四路双向开关
1992年6月
CD4066BM CD4066BC四路双向开关
概述
该CD4066BM CD4066BC是一款四双边开关IN-
趋向于模拟或digi-传输或多路复用
TAL的信号是引脚对引脚兼容CD4016BM
CD4016BC但具有低得多的'开'的电阻和
''开启''电阻是相对恒定的输入信号
范围
Y
Y
Y
Y
极低的' OFF ''
1 0 NA(典型值)
漏电开关
V
DD
b
V
SS
e
10V牛逼
A
e
25 C
极高的控制输入阻抗
10
12
X(典型值
)
b
50分贝(典型值)
低串扰
交换机之间
f
is
e
0 9兆赫
L
e
1的kX
频率响应开关' ON ''
40兆赫(典型值)
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
3V至15V
高噪声抗扰度
0 45 V
DD
(典型值)
g
7 5 V
PEAK
数字范围广,
模拟开关
'' ON ''阻力15V操作
80X
匹配' 'ON '性
DR
ON
e
5X (典型值)
在15V输入信号
'平'ON' '耐过峰 - 峰值信号范围
高' 'ON '''' OFF ''
65分贝(典型值)
输出电压比
f
is
e
10千赫
L
e
10的kX
高线性度
0 1 %失真(典型值)
高线性度
f
is
e
1千赫V
is
e
5V
p-p
高线性度
V
DD
b
V
SS
e
10V
L
e
10的kX
应用
Y
Y
Y
Y
Y
模拟信号多路开关
信号门
静噪控制
断路器
调制器,解调器
换向开关
数字信号多路开关
CMOS逻辑实现
模拟到数字的数字 - 模拟转换
频率阻抗的相位和AN-数字控制
考勤信号增益
原理图和接线图
订单号CD4066B
双列直插式封装
TL F 5665 - 1
顶视图
C
1995年全国半导体公司
TL F 5665
RRD - B30M105印制在U S A
AC电气特性
符号
参数
穿心开关' OFF ''
(频率为
b
50分贝)
任意两点间的串扰
开关(在频率
b
50分贝)
串扰控制输入
信号输出
最大控制输入
(续)T
A
e
25℃吨
r
e
t
f
e
20纳秒和V
SS
e
0V ,除非另有说明
条件
V
DD
e
5 0V V
CC
e
V
SS
eb
5 0V
R
L
e
1的kX V
IS
e
5 0V
p-p
20日志
10
V
OS
V
IS
eb
50分贝
(图4)
V
DD
e
V
C( A)
e
5 0V V
SS
e
V
C( B)
e
5 0V
R
L
1的kX V
为(a )
e
5 0 V
p-p
20日志
10
V
操作系统(B)的
V
为(a )
eb
50分贝
(图5)
V
DD
e
10V
L
e
10的kX
IN
e
1 0的kX
V
CC
e
10V方波
L
e
50 pF的
(图6)
R
L
e
1 0的kX
L
e
50 pF的
(图7)
V
OS ( F)
e
V
OS
( 1 0千赫)
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
10V
V
C
e
0V
民
典型值
1 25
最大
单位
09
兆赫
150
mV
p-p
60
80
85
80
80
05
50
75
兆赫
兆赫
兆赫
pF
pF
pF
pF
C
IS
C
OS
C
IOS
C
IN
信号输入电容
信号输出电容
穿心电容
控制输入电容
AC参数都保证了DC相关测试
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证,他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ,除非另有说明
注3
这些设备不应被连接到与该电源电路'' ON' '
注4
在所有情况下,有大约5 pF的探针和夹具电容的输出但是这个电容被包含在C中
L
无论是它指定
注5
V
IS
是在在OUT引脚和V的电压
OS
是在在插脚V的电压
C
是在控制输入端上的电压
注6
条件V
IHC
A) V
IS
e
V
DD
I
OS
e
标准B系列I
OH
B )V
IS
e
我0V
OL
e
标准B系列I
OL
AC测试电路和开关时间波形
图1吨
PHL
t
PLH
传播延迟时间信号输入到信号输出
图2吨
PZH
t
PHZ
传播延迟时间控制到信号输出
TL F 5665 - 2
图3吨
PZL
t
PLZ
Propagtion延迟时间控制到信号输出
4
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
D
15 - V数字或
±7.5-V
峰 - 峰值
D
D
D
D
D
D
开关
125 Ω典型导通电阻为15 -V
手术
开关导通状态电阻匹配
在5
在15 -V信号输入范围
导通电阻平坦,全
峰 - 峰值信号范围
高开/关输出电压比: 80分贝
典型在f
is
= 10千赫,R
L
= 1 k
高线性度: <0.5 %失真
典型在f
is
= 1千赫,V
is
= 5 V P-P ,
V
DD
V
SS
≥
10 V ,R
L
= 10 k
极低的关闭状态漏电开关,
导致极低的失调电流和
高效断态电阻: 10 pA的
典型的V
DD
V
SS
= 10 V ,T
A
= 25°C
极高的控制输入阻抗
(控制电路隔离与信号
电路) : 10
12
典型
交换机之间的低串扰: -50分贝
典型在f
is
= 8兆赫,R
L
= 1 k
D
匹配的控制,输入到信号输出
D
D
D
D
电容式:减少输出信号
瞬变
频率响应,开关通= 40 MHz的
典型
100 %测试静态电流为20 V
5 -V , 10 - V和15 -V的参数等级
符合JEDEC暂定的所有要求
标准第13号-B ,
标准规格
为“B”系列CMOS描述
器件
应用范围:
- 模拟信号开关/多路复用:
信号选通,调制器,静噪
控制,解调器,斩波器,
换向开关
数字信号切换/复用
- 传输门逻辑实现
- 模拟 - 数字和数字 - 模拟
转变
- 频率的数字控制,阻抗,
相,和模拟信号增益
D
D
D
E, F,M , NS ,或PW包装
( TOP VIEW )
SIG A IN / OUT
SIG A OUT / IN
SIG B OUT / IN
SIG B IN / OUT
控制B
对照C
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
对照A
对照物D
SIG D IN / OUT
SIG D OUT / IN
SIG C OUT / IN
SIG C IN / OUT
描述/订购信息
该CD4066B是四双向开关用于模拟或数字信号的传输或多路复用。
它是针对引脚与CD4016B兼容,但是表现出低得多的导通状态电阻。此外,该
通态电阻是比较恒定的,在整个信号输入范围。
该CD4066B由四个双边开关,每个独立的控制。既在p和n器件
在一个给定的开关被偏置打开或关闭同时由所述控制信号。如示于图1的井
各交换机的n沟道器件是依赖于任一输入端(当开关导通时),或者到V
SS
(下转时,
是关闭的) 。这种结构消除了开关晶体管的阈值电压与输入信号和变型中,
因此,保持导通状态电阻低,在整个工作信号范围。
在单信道交换机的优点包括峰值输入信号的电压摆幅等于全供应
电压和更恒定的导通阻抗状态,在输入信号范围。然而,对于采样和保持
应用中, CD4016B建议。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
描述/订购信息(续)
订购信息
TA
CDIP - F
PDIP - ê
包装
25管
25管
50管
-55 ° C至125°C
SOIC - M
SOP - NS
TSSOP - PW
2500卷
250的卷轴
2000年卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
CD4066BF3A
CD4066BE
CD4066BM
CD4066BM96
CD4066BMT
CD4066BNSR
CD4066BPW
CD4066BPWR
CD4066B
CM066B
CD4066BM
TOP- SIDE
记号
CD4066BF3A
CD4066BE
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
开关
控制
In
VIS
p
n
p
n
OUT
VOS
控制
VC =
n
VSS
VDD
VSS
所有的控制输入由CMOS防护网保护。
注意事项: A.所有的P衬底连接到VDD 。
B.正常操作控制线偏置:开关(逻辑1 ) , VC = VDD ;关闭(逻辑0) ,VC = VSS
C.信号电平范围:VSS
≤
VIS
≤
VDD
92CS-29113
的一对四的相同开关图1.原理图和相关的控制电路
2
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CD4066B
CMOS四路双向开关
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在工作自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
直流电源电压范围,V
DD
(电压参考V
SS
终奌站) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5到20V
输入电压范围,V
is
(所有输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
DD
+
0.5 V
直流输入电流,I
IN
(任何一个输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10
mA
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) : E封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80 ° C / W
男包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
引线温度(焊接时) :
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59
±
0,79毫米)的情况下, 10秒最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 :该封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
VDD
TA
电源电压
工作自由空气的温度
3
55
最大
18
125
单位
V
°C
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3
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CMOS四路双向开关
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电气特性
限制了指定温度
参数
测试条件
VIN
(V)
0, 5
国际直拨电话
静态器件
当前
0, 10
0, 15
0, 20
信号输入( VIS)和输出( VOS)
VC = VDD ,
RL = 10 kΩ的返回
V
DD
*
V
SS
to
,
2
可见= VSS至VDD
导通状态电阻
区别
任意两台主机
总谐波
失真
-3 - dB截止
频率
(开关)
-50 dB的馈通
频率(关闭)
IIS
输入/输出泄漏
当前(关闭)
(最大)
-50 dB的串扰
频率
5
10
15
5
RL = 10 kΩ的,VC = VDD
10
15
VC = VDD = 5V , VSS = -5V ,
VIS ( P-P ) = 5 V(集中在0 V正弦波)
RL = 10 kΩ的, FIS = 1 - kHz正弦波
VC = VDD = 5V , VSS = -5V ,可见( P-P ) = 5 V
(集中在0 V的正弦波) , RL = 1 kΩ的
VC = VSS = -5V ,可见( P-P ) = 5 V
(集中在0 V的正弦波) , RL = 1 kΩ的
VC = 0 V ,可见= 18 V,沃斯= 0 V ;
和
VC = 0 V ,可见= 0 V ,沃斯= 18 V
VC ( A) = VDD = 5 V ,
VC ( B) = VSS = -5V ,
VIS ( A) = 5 Vp-p的, 50 Ω源,
RL = 1 kΩ的
RL = 200 kΩ的,VC = VDD ,
VSS = GND , CL = 50 pF的,
VIS = 10 V
(方波集中在5 V ) ,
TR , TF = 20 ns的
VDD = 5 V ,VC = VSS = -5V
VDD = 5 V ,VC = VSS = -5V
VDD = 5 V ,VC = VSS = -5V
18
±0.1
±0.1
±1
±1
800
310
200
850
330
210
1200
500
300
1300
550
320
470
180
125
15
10
5
0.4
%
1050
400
240
VDD
(V)
5
10
15
20
25°C
55°C
0.25
0.5
1
5
40°C
0.25
0.5
1
5
85°C
7.5
15
30
150
125°C
7.5
15
30
150
典型值
0.01
0.01
0.01
0.02
最大
0.25
0.5
1
5
A
A
单位
罗恩
导通状态电阻
(最大)
r
on
THD
40
兆赫
1
±10
5
±0.1
兆赫
A
8
兆赫
5
10
15
20
10
7
8
8
0.5
40
20
15
pF
pF
pF
ns
tPD的
传播延迟
(信号输入到
信号输出)
输入电容
输出电容
穿心
CIS
COS
首席信息官
4
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CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
电气特性(续)
限制了指定温度
特征
控制( VC )
Vilc
控制输入
低电压(最大)
| iis的| < 10
A,
可见= VSS , VOS = VDD ,并
可见= VDD , VOS = VSS
5
10
15
5
VIHC
控制输入
高压
输入电流(最大值)
串音(控制输入
到信号输出)
导通和关断
传播延迟
参见图6
VIS
≤
VDD , VDD - VSS = 18 V ,
VCC
≤
VDD - VSS
VC = 10V (方波)
TR , TF = 20纳秒, RL = 10 kΩ的
VIN = VDD , TR , TF = 20纳秒,
CL = 50 pF的, RL = 1 kΩ的
可见= VDD , VSS = GND ,
RL = 1 kΩ到GND , CL = 50 pF的,
VC = 10V (方波
集中在5 V ) , TR , TF = 20纳秒,
沃斯= 1/2沃斯在1 kHz
10
15
IIN
18
10
5
10
15
5
10
15
±0.1
±0.1
1
2
2
1
2
2
1
2
2
3.5 (MIN)
图7( MIN)的
11 ( MIN )
±1
±1
±10
5
50
35
20
15
6
9
9.5
5
7.5
pF
兆赫
70
40
30
ns
±0.1
A
mV
V
1
2
2
1
2
2
V
测试条件
VDD
(V)
25°C
55°C
40°C
85°C
125°C
典型值
最大
单位
最大控制输入
重复率
CI
输入电容
开关特性
开关量输入
VDD
(V)
5
5
10
10
15
15
VIS
(V)
0
5
0
10
0
15
IIS(毫安)
55°C
0.64
0.64
1.6
1.6
4.2
4.2
40°C
0.61
0.61
1.5
1.5
4
4
25°C
0.51
0.51
1.3
1.3
3.4
3.4
85°C
0.42
0.42
1.1
1.1
2.8
2.8
125°C
0.36
0.36
0.9
0.9
2.4
2.4
13.5
9.5
1.5
4.6
0.5
开关
OUTPUT ,沃斯
(V)
民
最大
0.4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5