CD4049UB ， CD4050B
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS046I
1998年8月 - 修订2004年5月
CMOS六缓冲器/转换器
该CD4049UB和CD4050B设备和反相
非反相六角缓冲器，分别与功能逻辑电
只使用一个电源电压（电平转换V
CC
） 。该
输入信号的高电平（Ⅴ
IH
）可以超过V
CC
供应
当这些设备被用于逻辑电平电压
转换。这些设备被设计用于为CMOS
以DTL / TTL转换器，可驱动直接在两个DTL / TTL
负载。 （V
CC
= 5V, V
OL
≤
0.4V和我
OL
≥
3.3mA.)
应用
CMOS到DTL / TTL十六进制转换器
CMOS目前的“下沉”或“来源”司机
CMOS高到低逻辑电平转换器
[ /标题
(CD40
49UB,
CD405
该CD4049UB和CD4050B被指定为
0B)
替代CD4009UB和CD4010B分别。
由于CD4049UB和CD4050B只需要一个
/子
电源，它们是优选的过CD4009UB和
拍摄对象
CD4010B和应该代替CD4009UB的使用
（CMO
和CD4010B在所有逆变器，电流驱动器，或逻辑电平
S六角
转换应用。在这些应用中
缓冲器/
CD4049UB和CD4050B是引脚兼容
CD4009UB和CD4010B分别，并且可以是
CON-
代替在现有这些设备以及在新
变流器）
设计。码头16号内部没有连接上
/ Autho
CD4049UB和CD4050B ，因此，连接到该
终端是无关紧要到电路动作。为
r ()
如果不需要高灌电流或电压
/密钥 -
转换， CD4069UB六反相器建议。
WORDS
（哈里斯
特点
半
CD4049UB反相
CON-
CD4050B非反相
导体，
高灌电流驱动2 TTL负载
CD400
高至低逻辑电平转换
100 ％测试静态电流为20V
0,
1μA的18V在整个包装最大输入电流
金属
温度范围;为100nA ，在18V和25
o
C
门，
5V ， 10V和15V参数额定值
CMOS
订购信息
产品型号
CD4049UBF3A
CD4050BF3A
CD4049UBD
CD4049UBDR
CD4049UBDT
CD4049UBDW
CD4049UBDWR
CD4049UBE
CD4049UBNSR
CD4049UBPW
CD4049UBPWR
CD4050BD
CD4050BDR
CD4050UBDT
CD4050BDW
CD4050BDWR
CD4050BE
CD4050NSR
CD4050BPW
CD4050BPWR
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的CERDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF科幻X R表示带
和卷轴。该SUF科幻X T为250的小批量卷轴。
引脚配置
CD4049UB （ PDIP ， CERDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
顶视图
V
CC
1
G = A 2
A 3
H = B 4
B 5
I = C 6
C 7
V
SS
8
16 NC
15升= F
14 F
13 NC
12 ，K =
11 E
10焦耳= D
9 D
CD4050B （ PDIP ， CERDIP ， SOIC ， SOP ）
顶视图
V
CC
1
G = A 2
A 3
H = B 4
B 5
I = C 6
C 7
V
SS
8
16 NC
15升= F
14 F
13 NC
12 ，K =
11 E
10焦耳= D
9 D
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
版权
2004年，德州仪器
CD4049UB ， CD4050B
绝对最大额定值
电源电压（V +至V-） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至20V
直流输入电流，在任何一个输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10mA
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
D（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
DW （ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.265
o
C
SOIC - 导线头只
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
限制了指定温度（
o
C)
测试条件
参数
静态电流器件
I
DD
（最大）
V
O
(V)
-
-
-
-
输出低电平（漏）电流
I
OL
（分钟）
0.4
0.4
0.5
1.5
输出高（资料来源）电流
I
OH
（分钟）
4.6
2.5
9.5
13.5
输出电压低电平
V
OL
（最大）
-
-
-
输出电压较高水平
V
OH
（分钟）
-
-
-
输入低电压，V
IL
（最大）
CD4049UB
4.5
9
13.5
输入低电压，V
IL
（最大）
CD4050B
0.5
1
1.5
V
IN
(V)
0,5
0,10
0,15
0,20
0,5
0,5
0,10
0,15
0,5
0,5
0,10
0,15
0,5
0,10
0,15
0,5
0,10
0,15
-
-
-
-
-
-
V
CC
(V)
5
10
15
20
4.5
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
-55
1
2
4
20
3.3
4
10
26
-0.81
-2.6
-2.0
-5.2
0.05
0.05
0.05
4.95
9.95
14.95
1
2
2.5
1.5
3
4
-40
1
2
4
20
3.1
3.8
9.6
25
-0.73
-2.4
-1.8
-4.8
0.05
0.05
0.05
4.95
9.95
14.95
1
2
2.5
1.5
3
4
85
30
60
120
600
2.1
2.9
6.6
20
-0.58
-1.9
-1.35
-3.5
0.05
0.05
0.05
4.95
9.95
14.95
1
2
2.5
1.5
3
4
125
30
60
120
600
1.8
2.4
5.6
18
-0.48
-1.55
-1.18
-3.1
0.05
0.05
0.05
4.95
9.95
14.95
1
2
2.5
1.5
3
4
民
-
-
-
-
2.6
3.2
8
24
-0.65
-2.1
-1.65
-4.3
-
-
-
4.95
9.95
14.95
-
-
-
-
-
-
25
典型值
0.02
0.02
0.02
0.04
5.2
6.4
16
48
-1.2
-3.9
-3.0
-8.0
0
0
0
5
10
15
-
-
-
-
-
-
最大
1
2
4
20
-
-
-
-
-
-
-
-
0.05
0.05
0.05
-
-
-
1
2
2.5
1.5
3
4
单位
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
3
QQ：2881677436 复制
