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CD4047BMS
1992年12月
CMOS低功耗
单稳态/非稳态多谐振荡器
描述
CD4047BMS由gatable多谐振荡器与逻辑技
niques并入允许的正或负边沿触发
单稳态多谐振荡器行动重新触发和外部计数
选项。
输入包括+触发器， -TRIGGER ，非稳态，非稳态，
RETRIGGER ，和外部复位。缓冲的输出是Q，Q ，和
振荡器。在所有工作模式下，外部电容器必须
连接C-定时和RC-通用码头，以及与
外部电阻必须连接在R-定时和RC-之间
常见的终端。
非稳态操作是由一个高级别上的非稳态输入或启用
低级别上的非稳态输入，或两者兼而有之。方波的周期
在这种操作模式下的Q和Q输出是一个函数
外部元件使用。 “真”输入脉冲的非稳态
输入或“补”的非稳态输入脉冲使电路
用作gatable多谐振荡器。将振荡器的输出周期
有一半的Q端输出，在非稳态模式。然而， 50％的
占空比不能保证在此输出。
该CD4047BMS触发单稳态模式时的正
而-TRIGGER举行边沿发生在+触发输入
低。输入脉冲可以是任何持续时间相对于输出脉冲的。
如果重新触发的能力是期望的，所述RETRIGGER输入提供脉冲。该
操作的可再触发模式被限制为正边沿。该
CD4047BMS将重新触发只要RETRIGGER输入为高电平，
具有或不具有过渡（参见图31）
外部倒计时选项可以通过连接“Q”即将实施
一个外部的“N ”计数和复位用触发脉冲计数器。该
计数器输出的脉冲被反馈给非稳态输入，并具有持续时间
灰等于该多谐振荡器的N倍周期。
高层次上的外部复位输入，保证无输出脉冲
在一个“ON”电源状态。该输入也可以被激活，以三 -
minate输出脉冲在任何时间。对于单稳态操作，而当时─
曾经VDD应用，上电复位电路将时钟Q的内部电源
输出一个输出周期（TM）中的低。
该CD4047BMS在这些14引脚外形封装提供：
钎焊密封DIP
H4Q
熔接密封DIP
H1B
陶瓷扁平H3W
特点
高压型（ 20V额定值）
低功耗：特殊的CMOS振荡器
CON组fi guration
单稳态（单次），或者非稳态（自由运行）
手术
真正的和可补缓冲输出
只需一个外部R和C要求
缓冲输入
100 ％测试静态电流为20V
标准化对称的输出特性
5V ， 10V和15V参数额定值
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号， “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
单稳态多谐振荡器产品特点
上升沿或下降沿触发
触发脉冲的输出脉冲宽度独立
长短
可重触发选项为脉冲宽度扩展
内部上电复位电路
长脉冲宽度可能使用小的RC康波
堂费由外部计数器提供装置
快速恢复时间基本上是独立的脉冲
宽度
脉冲宽度精度保持在负载循环
接近100％的
多谐振荡器产品特点
自由运行或Gatable操作模式
50％的占空比
振荡器输出可用
良好的非稳态频率稳定度：频率偏差：
- =
±2%
+ 0.03%/
o
在100kHz
- =
±0.5%
+ 0.015%/
o
在10kHz （电路“减肥”
以频率VDD = 10V
±
10%
引脚
C 1
R 2
R-C常见的3
非稳态4
非稳态5
-TRIGGER 6
VSS 7
CD4047BMS
顶视图
14 VDD
13 OSC OUT
12 RETRIGGER
11 Q
10 Q
9 EXT 。 RESET
8 + TRIGGER
应用
数码设备要求低功耗和/或高噪声
免疫力是首要的设计要求
包络检波
频率倍增
分频
鉴频器
定时电路
延时的应用
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3313
7-897
特定网络阳离子CD4047BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
亚
1
2
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏个当前
（引脚3 ）
输入漏电流
（引脚3 ）
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
Q，Q ， OSC输出
输出电流（漏）
Q，Q ， OSC输出
输出电流（漏）
Q，Q ， OSC输出
输出电流（源）
Q，Q ， OSC输出
输出电流（源）
Q，Q ， OSC输出
输出电流（源）
Q，Q ， OSC输出
输出电流（源）
Q，Q ， OSC输出
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（漏）
IIL
VDD = 24V ， VIN = 11V或GND
3
1
2
IIH
VDD = 26V ， VIN = 13V或GND
1
2
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
IOL5RC
VDD = 15V ，无负载
VDD = 15V ，无负载（注3 ）
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
VDD = 15V ，输出电压= 13.5V
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-300
-10
-
-
-
最大
2
200
2
-
-
-
100
1000
100
-
-
300
10
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-
-
-
-0.78
-2
-5.2
-0.7
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
A
nA
A
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C 14.95
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
0.78
2.0
5.2
-
-
-
-2.8
IOL10RC VDD = 10V ， VOUT = 0.5V
IOL15RC VDD = 15V ， VOUT = 1.5V
输出电流（源） IOH5RC VDD = 5V ， VOUT = 4.6V
输出电流（源） IOH10RC VDD = 10V ， VOUT = 9.5V
输出电流（源） IOH15RC VDD = 15V ， VOUT = 13.5V
N门限电压
VNTH
VDD = 10V ， ISS = -10μA
7-898
特定网络阳离子CD4047BMS
表1. DC电性能等特点
（续）
A组
亚
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
3.5
-
11
1.5
-
4
-
V
V
V
V
民
0.7
最大
2.8
单位
V
V
参数
P阈值电压
实用
符号
VPTH
F
条件
（注1 ）
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
注意事项：
VIL
VIH
VIL
VIH
VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V
VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，
VOL < 1.5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ，
VOL < 1.5V
1.引用到设备GND所有电压，正在实施100 ％检验
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限是0.050V最大..
表2. AC电性能等特点
（注1,2 ）
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
A组
子群温
9
10, 11
TPHL3
TPLH3
TPLH2
TPLH2
TPHL4
TPLH4
TPLH5
TPLH5
TTHL
tTLH
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
9
10, 11
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
9
10, 11
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
9
10, 11
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
9
10, 11
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
400
540
1000
1350
700
945
600
810
500
675
200
270
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
非稳态，非稳态到OSC
传播延迟
触发器Q，Q
传播延迟
（注2 ）
非稳态还是非稳态到Q，Q
传播延迟
（注2 ）
重新触发，以Q，Q
传播延迟
（注2 ）
重置为Q，Q
转换时间
符号
TPLH1
注意事项：
1. VDD = 5V ， CL = 50pF的， RL = 200K ;输入TR ， TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
7-899
特定网络阳离子CD4047BMS
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL10
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL15
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5A
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5B
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH10
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH15
VDD = 15V ， VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
传播延迟
非稳态，非稳态到OSC
传播延迟
非稳态还是非稳态到Q，Q
传播延迟
触发器Q，Q
传播延迟
重新触发，以Q，Q
传播延迟
重置为Q，Q
转换时间
VIL
VIH
TPLH1
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
TPLH2
TPHL2
TPHL3
TPLH3
TPHL4
TPLH4
TPLH5
TPLH5
TTHL
tTLH
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
30
2
60
2
120
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
3
-
200
160
350
250
450
300
300
200
200
140
100
80
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7-900
特定网络阳离子CD4047BMS
表3.电气性能特性
（续）
范围
参数
从Q或Q偏差
50 ％的占空因数
符号
QD
条件
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小脉冲宽度
+触发器
- 触发
最小脉冲宽度
RESET
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小重新触发脉冲
宽度
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
7.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
CIN
任何输入
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
±1
±1
±0.5
400
160
100
200
100
60
600
230
150
7.7
单位
%
%
%
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - MSI- 1
输出电流（漏）
输出电流（源）
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
0.2A
±
20 ％×预试阅
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
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