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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1173页 > CD4044BMSH
CD4043BMS
CD4044BMS
1992年12月
CMOS四路3国的R / S锁存器
引脚
CD4043BMS
顶视图
特点
高电压类型( 20V额定值)
四或非R / S闩CD4043BMS
四非R / S锁存器 - CD4044BMS
3态输出与普通输出使能
独立的设定和复位输入的每一个锁存器
NOR和NAND CON组fi guration
5V , 10V和15V参数额定值
标准化对称的输出特性
100 %测试静态电流为20V
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄温度范围;
- 为100nA ,在18V和25
o
C
噪声余量(在整个封装温度范围) :
- 1V在VDD = 5V
- 2V在VDD = 10V
- 在2.5V VDD = 15V
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号, “标准特定网络阳离子”B“的说明
系列CMOS器件“
Q4 1
Q1 2
R1 3
S1 4
ENABLE 5
S2 6
R2 7
VSS 8
16 VDD
15 R4
14 S4
13 NC
12 S3
11 R3
10 Q3
9 Q2
NC =无连接
CD4044BMS
顶视图
Q4 1
NC 2
S1 3
R1 4
ENABLE 5
R2 6
S2 7
VSS 8
16 VDD
15 S4
14 R4
13 Q1
12 R3
11 S3
10 Q3
9 Q2
应用
保持寄存器中多注册系统
四位独立存储与输出使能
选通寄存器
通用数字逻辑
CD4043BMS为正逻辑系统
CD4044BMS为负逻辑系统
NC =无连接
描述
CD4043BMS类型是四交叉耦合三态CMOS NOR
锁存器和CD4044BMS类型是四交叉耦合-3-
国家CMOS NAND锁存器。每个锁存器有一个单独的Q输出
和个人置位和复位输入。 Q输出是CON-
由一个共同的受控ENABLE输入。为逻辑“1”或高的
ENABLE输入连接锁国的Q输出。逻辑
“0”或低的ENABLE输入端断开闩锁状态,从
在Q输出,导致开路特性允许通用
校车的输出。
该CD4043BMS和CD4044BMS在这些提供16
铅外形封装:
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
* CD4043B只
*H4T
H4T
*H1C
缺氧缺血性脑病
* H3X H6W
CD4044B只
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3311
7-876
特定网络阳离子CD4043BMS , CD4044BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗( PD ) ,在125
o
C
对于TA = -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于TA =全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ,无负载
VDD = 15V ,无负载(注3 )
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
VDD = 15V ,输出电压= 13.5V
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
三态输出
泄漏
VIL
VIH
VIL
VIH
IOZL
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VIN = VDD和GND
VOUT = 0V
VDD = 20V
VDD = 18V
三态输出
泄漏
IOZH
VIN = VDD和GND
VOUT = VDD
VDD = 20V
VDD = 18V
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2
3
1
2
3
+25
o
C,
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.95
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
2
200
2
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+125
o
C,
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25 C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
o
o
-55
o
C
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
-
3.5
-
11
-0.4
-12
-0.4
-
-
-
1.5
-
4
-
-
-
-
0.4
12
0.4
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-877
特定网络阳离子CD4043BMS , CD4044BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
300
405
230
311
180
243
200
270
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
设置或重置为Q
传播延迟
3 - 国家启用以Q
传播延迟
3 - 国家启用以Q
转换时间
符号
的TPH1
TPLH
tPHZ
tpZH
tPLZ
tPZL
TTHL
tTLH
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2 )
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注2,3)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注2,3)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2 )
注意事项:
1. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障,正在实施100 %检验。
1, CL = 50pF的, RL = 1K ,输入TR , TF <为20ns 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL10
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL15
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5A
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5B
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH10
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH15
VDD = 15V , VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
30
2
60
2
120
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
7-878
特定网络阳离子CD4043BMS , CD4044BMS
表3.电气性能特性
(续)
范围
参数
输入电压低
输入电压高
传播延迟
设置或重置为Q
传播延迟
3国家允许以Q
传播延迟
3国家允许以Q
转换时间
符号
VIL
VIH
TPLH
的TPH1
tPHZ
tpZH
tPLZ
tPZL
TTHL
tTLH
TW
条件
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的,并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
4, CL = 50pF的, RL = 1K ,输入TR , TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 10V , ISS = -10μA
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
7.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
CIN
任何输入
笔记
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
3
-
140
100
110
80
100
70
100
80
160
80
40
7.5
单位
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
最低设置或重置
脉冲宽度
ns
注意事项: 1.参考设备GND所有电压。
2,CL = 50pF的, RL = 200K ,输入TR , TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - MSI- 1
输出电流(漏)
输出电流(源)
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
0.2A
±
20 %×预试阅
±
20 %×预试阅
DELTA LIMIT
7-879
特定网络阳离子CD4043BMS , CD4044BMS
表6.适用子群
符合的集团
初步测试(预残影)
中期测试1 (后残影)
临时测试2 (后残影)
的PDA (注1)
临时测试3 (后残影)
的PDA (注1)
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
1, 7, 9
1 ,2,3 , 8A,8B, 9
亚组1 , 2 3
子群1,2, 3,9 ,10,11
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
读取并记录
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
注: 1。 5 % Parameteric , 3 %的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
开放
VDD
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
PART NUMBER CD4043BMS
静态老化测试1
注1
静态老化测试2
注1
动态烙印
注1
放射
注2
1, 2, 9, 10, 13
1, 2, 9, 10, 13
13
1, 2, 9, 10, 13
3 - 8, 11, 12, 14,
15
8
8
8
16
3 - 7, 11, 12,
14 - 16
5, 16
3 - 7, 11, 12,
14 - 16
1, 2, 9, 12
4, 6, 12, 14
3, 7, 11, 15
PART NUMBER CD4044BMS
静态老化测试1
注1
静态老化测试2
注1
动态烙印
注1
放射
注2
注意:
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 % , VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5% ; E组,小组2 ,样本大小为4骰子/晶圆, 0失败, VDD
= 10V
±
0.5V
1, 2, 9, 10, 13
1, 2, 9, 10, 13
2
1, 2, 9, 10, 13
3 - 8, 11, 12, 14,
15
8
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3 - 7, 11, 12,
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1, 9, 10, 13
4, 6, 12, 14
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