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CD4041UBMS
数据表
1992年12月
文件编号3309
CMOS四路真/补码缓冲器
CD4041UBMS类型是四真/补码缓冲器CON组
具有低通道电阻n型和p沟道单位sisting
tance和大电流(采购和下沉)的能力。该
CD4041UBMS旨在用作缓冲器,线路驱动器,或
CMOS到TTL驱动程序。它可以作为一个超低功率
对于A / D和D / A转换,作为一个电阻网络驱动程序
传输线驱动器,并且其中高在其它应用
抗噪声和低功耗是首要
设计要求。
该CD4041UBMS在这14领先轮廓封装提供
年龄:
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4Q
H1B
H3W
特点
高压型( 20V额定值)
平衡水槽和源电流;约4
次标准的“B ”驱动
均衡延迟设置为True ,并补输出
100 %测试静态电流为20V
1μA的18V在整个最大输入电流
封装温度范围;
- 为100nA ,在18V和+25
o
C
5V , 10V和15V参数额定值
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号, “标准特定网络cationsfor说明
'B'系列CMOS器件“
引脚
CD4041UBMS
顶视图
E = A 1
F = A 2
A 3
G = B 4
H = B 5
B 6
VSS 7
14 VDD
13 D
12 N = D
M为11 = D
10 C
9升= C
为8K = C
应用
高电流源/漏驱动器
CMOS到DTL / TTL转换器缓冲
显示驱动
MOS时钟驱动器
电阻网络驱动程序(梯形图或加权R)
缓冲区
输电线路驱动器
工作原理图
3
A
E =一
F =一
6
B
G-B
H'B
10
C
K =
L =
13
D
VSS = 7
VDD = 14
M =
N =
11
M
12
N
9
L
8
K
5
H
4
G
2
F
1
E
输入
*
VDD
VDD
VDD
产量
VSS
VSS
VSS
P
VSS
VDD
产量
*
所有输入受保护
BY CMOS输入
防护网
VDD
N
VSS
图1.原理图1 4缓冲区
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
CD4041UBMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。
80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
o
C / W
20
o
C / W
o
C
最大封装功耗( PD ) ,在125
对于TA = -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 .500mW
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
每个输出晶体管器件耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100mW
对于TA =全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ,无负载
VDD = 15V ,无负载(注3 )
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
VDD = 15V ,输出电压= 13.5V
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
VIL
VIH
VIL
VIH
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
4.0
-
12.5
1.0
-
2.5
-
V
V
V
V
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.95
1.6
5.0
19
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
2
200
2
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-1.6
-6.4
-5.0
-19
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的测试是im-
执行完成。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。限制是
0.050V最大。
2
CD4041UBMS
表2. AC电性能等特点
A组
9
10, 11
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
最大
120
162
80
108
单位
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
符号
的TPH1
TPLH
TTHL
tTLH
条件
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
转换时间
注意事项:
1. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障,正在实施100 %检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL10
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL15
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5A
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5B
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH10
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH15
VDD = 15V , VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
传播延迟
VIL
VIH
的TPH1
TPLH
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
1.2
2.1
3.5
6.25
13
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
最大
1
30
2
60
2
120
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
-2.1
-4.6
-8.4
-3.5
-6.25
-13
-24
2
-
70
50
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
ns
ns
3
CD4041UBMS
表3.电气性能特性(续)
范围
参数
转换时间
符号
TTHL
tTLH
CIN
条件
VDD = 10V
VDD = 15V
任何输入
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
最大
40
30
22.5
单位
ns
ns
pF
输入电容
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的,并且不直接测试。这些参数为特征的初始
设计发布和对设计的改变,会影响到这些特性。
3. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 10V , ISS = -10μA
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
7.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项: 1.参考设备GND所有电压。
2,CL = 50pF的, RL = 200K ,输入TR , TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - MSI- 1
输出电流(漏)
输出电流(源)
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
0.2A
±
20 %×预试阅
±
20 %×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试(预残影)
中期测试1 (后残影)
临时测试2 (后残影)
的PDA (注1)
临时测试3 (后残影)
的PDA (注1)
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
MIL-STD-883
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
1, 7, 9
子群1,2, 3,9 ,10,11
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
读取并记录
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
4
CD4041UBMS
表6.适用亚组(续)
符合的集团
D组
MIL-STD-883
样本5005
A组子群
1 ,2,3 , 8A,8B, 9
读取并记录
亚组1 , 2 3
注: 1。 5 % Parameteric , 3 %的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1,9 ,德尔塔
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
(注1 )
静态老化测试2
(注1 )
动态烙印
在(注2 )
放射
(注3)
注意:
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 % , VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有4.75K串联电阻
±
5% ; VDD = 18V
±
0.5V
3.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5% ; E组,小组2 ,样本大小为4骰子/晶圆, 0失败, VDD = 10V
±
0.5V
开放
1, 2, 4, 5, 8, 9, 11,
12
1, 2, 4, 5, 8, 9, 11,
12
-
1, 2, 4, 5, 8, 9, 11,
12
3, 6, 7, 10, 13
7
7
7
VDD
14
3, 6, 10, 13, 14
14
3, 6, 10, 13, 14
1, 2, 4, 5, 8, 9, 11,
12
3, 6, 10, 13
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
典型性能特性
环境温度(T
A
) = +25
o
C
输出低电平电流( IOL ) (MA )
栅 - 源电压( VGS) = 15V
60
50
40
30
20
10
输出低电平电流( IOL ) (MA )
70
70
60
栅 - 源电压( VGS) = 15V
50
40
30
20
10
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
漏极 - 源极电压(VDS) (V)的
0
1
2
3
4
5
6
7
8
漏极 - 源极电压(VDS) (V)的
10V
环境温度(T
A
) = +25
o
C
10V
5V
图2.典型输出低(汇)电流
特征
图3 (最小)低(汇)电流CHARACTERIS-
TICS
Intersil所有半导体产品的制造,组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此,告诫读者,以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而,承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯,可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息,请参阅网站
http://www.intersil.com
5
CD4041UBMS
数据表
1992年12月
文件编号3309
CMOS四路真/补码缓冲器
CD4041UBMS类型是四真/补码缓冲器CON组
具有低通道电阻n型和p沟道单位sisting
tance和大电流(采购和下沉)的能力。该
CD4041UBMS旨在用作缓冲器,线路驱动器,或
CMOS到TTL驱动程序。它可以作为一个超低功率
对于A / D和D / A转换,作为一个电阻网络驱动程序
传输线驱动器,并且其中高在其它应用
抗噪声和低功耗是首要
设计要求。
该CD4041UBMS在这14领先轮廓封装提供
年龄:
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4Q
H1B
H3W
特点
高压型( 20V额定值)
平衡水槽和源电流;约4
次标准的“B ”驱动
均衡延迟设置为True ,并补输出
100 %测试静态电流为20V
1μA的18V在整个最大输入电流
封装温度范围;
- 为100nA ,在18V和+25
o
C
5V , 10V和15V参数额定值
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号, “标准特定网络cationsfor说明
'B'系列CMOS器件“
引脚
CD4041UBMS
顶视图
E = A 1
F = A 2
A 3
G = B 4
H = B 5
B 6
VSS 7
14 VDD
13 D
12 N = D
M为11 = D
10 C
9升= C
为8K = C
应用
高电流源/漏驱动器
CMOS到DTL / TTL转换器缓冲
显示驱动
MOS时钟驱动器
电阻网络驱动程序(梯形图或加权R)
缓冲区
输电线路驱动器
工作原理图
3
A
E =一
F =一
6
B
G-B
H'B
10
C
K =
L =
13
D
VSS = 7
VDD = 14
M =
N =
11
M
12
N
9
L
8
K
5
H
4
G
2
F
1
E
输入
*
VDD
VDD
VDD
产量
VSS
VSS
VSS
P
VSS
VDD
产量
*
所有输入受保护
BY CMOS输入
防护网
VDD
N
VSS
图1.原理图1 4缓冲区
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
CD4041UBMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。
80
o
C / W
20
o
C / W
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
o
C / W
20
o
C / W
o
C
最大封装功耗( PD ) ,在125
对于TA = -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 .500mW
对于TA = 100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
每个输出晶体管器件耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100mW
对于TA =全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
3
1
2
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ,无负载
VDD = 15V ,无负载(注3 )
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
VDD = 15V ,输出电压= 13.5V
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
VIL
VIH
VIL
VIH
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
4.0
-
12.5
1.0
-
2.5
-
V
V
V
V
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.95
1.6
5.0
19
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
2
200
2
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-1.6
-6.4
-5.0
-19
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的测试是im-
执行完成。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。限制是
0.050V最大。
2
CD4041UBMS
表2. AC电性能等特点
A组
9
10, 11
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
9
10, 11
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
最大
120
162
80
108
单位
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
符号
的TPH1
TPLH
TTHL
tTLH
条件
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
转换时间
注意事项:
1. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障,正在实施100 %检验。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL10
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL15
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5A
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5B
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH10
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH15
VDD = 15V , VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
传播延迟
VIL
VIH
的TPH1
TPLH
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V , VOH > 9V , VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -
55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
1.2
2.1
3.5
6.25
13
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
最大
1
30
2
60
2
120
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
-2.1
-4.6
-8.4
-3.5
-6.25
-13
-24
2
-
70
50
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
ns
ns
3
CD4041UBMS
表3.电气性能特性(续)
范围
参数
转换时间
符号
TTHL
tTLH
CIN
条件
VDD = 10V
VDD = 15V
任何输入
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
最大
40
30
22.5
单位
ns
ns
pF
输入电容
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的,并且不直接测试。这些参数为特征的初始
设计发布和对设计的改变,会影响到这些特性。
3. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 10V , ISS = -10μA
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
7.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项: 1.参考设备GND所有电压。
2,CL = 50pF的, RL = 200K ,输入TR , TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
O
C
参数
电源电流 - MSI- 1
输出电流(漏)
输出电流(源)
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
0.2A
±
20 %×预试阅
±
20 %×预试阅
DELTA LIMIT
表6.适用子群
符合的集团
初步测试(预残影)
中期测试1 (后残影)
临时测试2 (后残影)
的PDA (注1)
临时测试3 (后残影)
的PDA (注1)
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
MIL-STD-883
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
1, 7, 9
子群1,2, 3,9 ,10,11
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
读取并记录
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
国际直拨电话, IOL5 , IOH5A
4
CD4041UBMS
表6.适用亚组(续)
符合的集团
D组
MIL-STD-883
样本5005
A组子群
1 ,2,3 , 8A,8B, 9
读取并记录
亚组1 , 2 3
注: 1。 5 % Parameteric , 3 %的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1,9 ,德尔塔
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
(注1 )
静态老化测试2
(注1 )
动态烙印
在(注2 )
放射
(注3)
注意:
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 % , VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有4.75K串联电阻
±
5% ; VDD = 18V
±
0.5V
3.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5% ; E组,小组2 ,样本大小为4骰子/晶圆, 0失败, VDD = 10V
±
0.5V
开放
1, 2, 4, 5, 8, 9, 11,
12
1, 2, 4, 5, 8, 9, 11,
12
-
1, 2, 4, 5, 8, 9, 11,
12
3, 6, 7, 10, 13
7
7
7
VDD
14
3, 6, 10, 13, 14
14
3, 6, 10, 13, 14
1, 2, 4, 5, 8, 9, 11,
12
3, 6, 10, 13
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
典型性能特性
环境温度(T
A
) = +25
o
C
输出低电平电流( IOL ) (MA )
栅 - 源电压( VGS) = 15V
60
50
40
30
20
10
输出低电平电流( IOL ) (MA )
70
70
60
栅 - 源电压( VGS) = 15V
50
40
30
20
10
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
漏极 - 源极电压(VDS) (V)的
0
1
2
3
4
5
6
7
8
漏极 - 源极电压(VDS) (V)的
10V
环境温度(T
A
) = +25
o
C
10V
5V
图2.典型输出低(汇)电流
特征
图3 (最小)低(汇)电流CHARACTERIS-
TICS
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