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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1525页 > CD4025C
CD4023M CD4023C三路3输入与非门
CD4025M CD4025C三路3输入或非门
1988年2月
CD4023M CD4023C三路3输入与非门
CD4025M CD4025C三路3输入或非门
概述
这三重门是单片互补MOS
用N型和P信构造(CMOS)集成电路
NEL增强型晶体管所有输入的保护
防止静电放电用二极管V
DD
和V
SS
特点
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
高噪声抗扰度
5V 10V参数额定值
低功耗
3 0V至15V
0 45 V
DD
(典型值)
连接图
双列直插式封装
CD4023M CD4023C
CD4025M CD4025C
TL F 5955 - 1
TL F 5955 - 2
顶视图
订单号CD4023和CD4025
顶视图
C
1995年全国半导体公司
TL F 5955
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围
CD4023M CD4025M
CD4023C CD4025C
V
SS
b
到V
DD
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
存储温度范围
功耗(P
D
)
双列直插式
小尺寸
工作V
DD
范围
焊接温度
(焊接10秒)
b
65℃,以
a
150 C
700毫瓦
500毫瓦
V
SS
a
3 0V至V
SS
a
15V
260 C
DC电气特性
CD4023M
符号
参数
条件
CD4025M
范围
b
55 C
a
25 C
a
125 C
单位
I
L
P
D
V
OL
V
OH
V
NL
V
NH
I
D
N
I
D
P
I
D
N
I
D
P
I
I
静态器件
当前
静态器件
耗散封装
输出电压
低层
输出电压
高层
噪声抗扰度
(所有输入)
噪声抗扰度
(所有输入)
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
3 6V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
7 2V我
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 95V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
2 9V我
O
e
0A
4 95
9 95
15
30
14
29
05
11
最大
0 05
01
0 25
10
0 05
0 05
典型值
最大
最大
30
60
15
60
0 05
0 05
mA
mA
mW
mW
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pA
0 001 0 05
0 001 0 1
0 005 0 25
0 01 1 0
0
0
4 95
9 95
15
30
15
30
0 40
09
b
0 5
b
0 5
0 05
0 05
4 95
9 95
14
29
15
30
0 28
0 65
b
0 35
b
0 35
50
10
2 25
45
2 25
45
10
25
b
2 0
b
1 0
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 62
P沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 62
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
0 31
0 63
0 25
05
05
06
0 175
0 35
b
0 175
b
0 4
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 31
P沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 75
输入电流
b
0 25
b
0 5
b
0 6
b
1 2
10
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证,他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
I
D
N和I
D
P的测试1输出的时间
2
DC电气特性
CD4023C
符号
参数
条件
CD4025C
范围
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
I
L
P
D
V
OL
V
OH
I
I
V
NL
V
NH
I
D
N
I
D
P
I
D
N
I
D
P
I
I
静态器件
当前
静态器件
耗散封装
输出电压
低层
输出电压
高层
输入电流
噪声抗扰度
(所有输入)
噪声抗扰度
(所有输入)
V
DD
e
5 0V V
O
e
3 6V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
7 2V我
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 95V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
2 9V我
O
e
0A
15
30
14
29
0 35
0 72
b
0 35
b
0 3
最大
0 05
50
25
50
0 01
0 01
典型值
最大
最大
15
30
75
300
0 05
0 05
mA
mA
mW
mW
V
V
V
V
pA
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
4 99
9 99
0 005 0 5
0 005 5 0
0 025 2 5
0 05 50
0
0
4 99
9 99
50
10
10
15
30
15
30
03
06
2 25
45
2 25
45
10
25
14
29
15
30
0 24
0 48
b
0 24
b
0 2
0 01
0 01
4 95
9 95
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pA
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
P沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
b
0 3
b
2 0
b
0 25
b
1 0
0 145
03
0 12
0 25
05
06
0 095
02
b
0 095
b
0 24
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 145
P沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 35
输入电流
b
0 12
b
0 5
b
0 3
b
1 2
10
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证,他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
I
D
N和I
D
P的测试1输出的时间
3
AC电气特性
T
A
e
25 C C
L
e
15 pF的输入上升和下降时间
e
20 ns典型
温度系数V的所有值
DD
e
0 3% C
符号
CD4025M
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
CD4025C
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
CD4023M
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
CD4023C
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
50
25
50
25
75
50
75
40
50
100
50
100
50
150
100
125
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
50
25
50
25
75
50
75
40
50
75
40
75
40
125
75
100
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
35
25
35
25
65
35
65
35
50
80
55
120
65
200
115
300
125
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
35
25
35
25
65
35
65
35
50
50
40
40
70
125
70
175
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
参数
条件
典型值
最大
单位
AC参数都保证了DC相关测试
4
物理尺寸
英寸(毫米)
陶瓷双列直插式封装(J )
订单号CD4023MJ CD4023CJ CD4025MJ或CD4025CJ
NS包装数J14A
5
CD4023M CD4023C三路3输入与非门
CD4025M CD4025C三路3输入或非门
1988年2月
CD4023M CD4023C三路3输入与非门
CD4025M CD4025C三路3输入或非门
概述
这三重门是单片互补MOS
用N型和P信构造(CMOS)集成电路
NEL增强型晶体管所有输入的保护
防止静电放电用二极管V
DD
和V
SS
特点
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
高噪声抗扰度
5V 10V参数额定值
低功耗
3 0V至15V
0 45 V
DD
(典型值)
连接图
双列直插式封装
CD4023M CD4023C
CD4025M CD4025C
TL F 5955 - 1
TL F 5955 - 2
顶视图
订单号CD4023和CD4025
顶视图
C
1995年全国半导体公司
TL F 5955
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围
CD4023M CD4025M
CD4023C CD4025C
V
SS
b
到V
DD
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
存储温度范围
功耗(P
D
)
双列直插式
小尺寸
工作V
DD
范围
焊接温度
(焊接10秒)
b
65℃,以
a
150 C
700毫瓦
500毫瓦
V
SS
a
3 0V至V
SS
a
15V
260 C
DC电气特性
CD4023M
符号
参数
条件
CD4025M
范围
b
55 C
a
25 C
a
125 C
单位
I
L
P
D
V
OL
V
OH
V
NL
V
NH
I
D
N
I
D
P
I
D
N
I
D
P
I
I
静态器件
当前
静态器件
耗散封装
输出电压
低层
输出电压
高层
噪声抗扰度
(所有输入)
噪声抗扰度
(所有输入)
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
3 6V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
7 2V我
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 95V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
2 9V我
O
e
0A
4 95
9 95
15
30
14
29
05
11
最大
0 05
01
0 25
10
0 05
0 05
典型值
最大
最大
30
60
15
60
0 05
0 05
mA
mA
mW
mW
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pA
0 001 0 05
0 001 0 1
0 005 0 25
0 01 1 0
0
0
4 95
9 95
15
30
15
30
0 40
09
b
0 5
b
0 5
0 05
0 05
4 95
9 95
14
29
15
30
0 28
0 65
b
0 35
b
0 35
50
10
2 25
45
2 25
45
10
25
b
2 0
b
1 0
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 62
P沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 62
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
0 31
0 63
0 25
05
05
06
0 175
0 35
b
0 175
b
0 4
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 31
P沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 75
输入电流
b
0 25
b
0 5
b
0 6
b
1 2
10
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证,他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
I
D
N和I
D
P的测试1输出的时间
2
DC电气特性
CD4023C
符号
参数
条件
CD4025C
范围
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
I
L
P
D
V
OL
V
OH
I
I
V
NL
V
NH
I
D
N
I
D
P
I
D
N
I
D
P
I
I
静态器件
当前
静态器件
耗散封装
输出电压
低层
输出电压
高层
输入电流
噪声抗扰度
(所有输入)
噪声抗扰度
(所有输入)
V
DD
e
5 0V V
O
e
3 6V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
7 2V我
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 95V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
2 9V我
O
e
0A
15
30
14
29
0 35
0 72
b
0 35
b
0 3
最大
0 05
50
25
50
0 01
0 01
典型值
最大
最大
15
30
75
300
0 05
0 05
mA
mA
mW
mW
V
V
V
V
pA
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
4 99
9 99
0 005 0 5
0 005 5 0
0 025 2 5
0 05 50
0
0
4 99
9 99
50
10
10
15
30
15
30
03
06
2 25
45
2 25
45
10
25
14
29
15
30
0 24
0 48
b
0 24
b
0 2
0 01
0 01
4 95
9 95
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pA
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
P沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
b
0 3
b
2 0
b
0 25
b
1 0
0 145
03
0 12
0 25
05
06
0 095
02
b
0 095
b
0 24
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 145
P沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 35
输入电流
b
0 12
b
0 5
b
0 3
b
1 2
10
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证,他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
I
D
N和I
D
P的测试1输出的时间
3
AC电气特性
T
A
e
25 C C
L
e
15 pF的输入上升和下降时间
e
20 ns典型
温度系数V的所有值
DD
e
0 3% C
符号
CD4025M
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
CD4025C
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
CD4023M
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
CD4023C
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
50
25
50
25
75
50
75
40
50
100
50
100
50
150
100
125
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
50
25
50
25
75
50
75
40
50
75
40
75
40
125
75
100
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
35
25
35
25
65
35
65
35
50
80
55
120
65
200
115
300
125
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
35
25
35
25
65
35
65
35
50
50
40
40
70
125
70
175
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
参数
条件
典型值
最大
单位
AC参数都保证了DC相关测试
4
物理尺寸
英寸(毫米)
陶瓷双列直插式封装(J )
订单号CD4023MJ CD4023CJ CD4025MJ或CD4025CJ
NS包装数J14A
5
CD4023M CD4023C三路3输入与非门
CD4025M CD4025C三路3输入或非门
1988年2月
CD4023M CD4023C三路3输入与非门
CD4025M CD4025C三路3输入或非门
概述
这三重门是单片互补MOS
用N型和P信构造(CMOS)集成电路
NEL增强型晶体管所有输入的保护
防止静电放电用二极管V
DD
和V
SS
特点
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
高噪声抗扰度
5V 10V参数额定值
低功耗
3 0V至15V
0 45 V
DD
(典型值)
连接图
双列直插式封装
CD4023M CD4023C
CD4025M CD4025C
TL F 5955 - 1
TL F 5955 - 2
顶视图
订单号CD4023和CD4025
顶视图
C
1995年全国半导体公司
TL F 5955
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围
CD4023M CD4025M
CD4023C CD4025C
V
SS
b
到V
DD
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
存储温度范围
功耗(P
D
)
双列直插式
小尺寸
工作V
DD
范围
焊接温度
(焊接10秒)
b
65℃,以
a
150 C
700毫瓦
500毫瓦
V
SS
a
3 0V至V
SS
a
15V
260 C
DC电气特性
CD4023M
符号
参数
条件
CD4025M
范围
b
55 C
a
25 C
a
125 C
单位
I
L
P
D
V
OL
V
OH
V
NL
V
NH
I
D
N
I
D
P
I
D
N
I
D
P
I
I
静态器件
当前
静态器件
耗散封装
输出电压
低层
输出电压
高层
噪声抗扰度
(所有输入)
噪声抗扰度
(所有输入)
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
3 6V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
7 2V我
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 95V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
2 9V我
O
e
0A
4 95
9 95
15
30
14
29
05
11
最大
0 05
01
0 25
10
0 05
0 05
典型值
最大
最大
30
60
15
60
0 05
0 05
mA
mA
mW
mW
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pA
0 001 0 05
0 001 0 1
0 005 0 25
0 01 1 0
0
0
4 95
9 95
15
30
15
30
0 40
09
b
0 5
b
0 5
0 05
0 05
4 95
9 95
14
29
15
30
0 28
0 65
b
0 35
b
0 35
50
10
2 25
45
2 25
45
10
25
b
2 0
b
1 0
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 62
P沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 62
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
0 31
0 63
0 25
05
05
06
0 175
0 35
b
0 175
b
0 4
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 31
P沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 75
输入电流
b
0 25
b
0 5
b
0 6
b
1 2
10
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证,他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
I
D
N和I
D
P的测试1输出的时间
2
DC电气特性
CD4023C
符号
参数
条件
CD4025C
范围
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
I
L
P
D
V
OL
V
OH
I
I
V
NL
V
NH
I
D
N
I
D
P
I
D
N
I
D
P
I
I
静态器件
当前
静态器件
耗散封装
输出电压
低层
输出电压
高层
输入电流
噪声抗扰度
(所有输入)
噪声抗扰度
(所有输入)
V
DD
e
5 0V V
O
e
3 6V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
7 2V我
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 95V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
2 9V我
O
e
0A
15
30
14
29
0 35
0 72
b
0 35
b
0 3
最大
0 05
50
25
50
0 01
0 01
典型值
最大
最大
15
30
75
300
0 05
0 05
mA
mA
mW
mW
V
V
V
V
pA
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
4 99
9 99
0 005 0 5
0 005 5 0
0 025 2 5
0 05 50
0
0
4 99
9 99
50
10
10
15
30
15
30
03
06
2 25
45
2 25
45
10
25
14
29
15
30
0 24
0 48
b
0 24
b
0 2
0 01
0 01
4 95
9 95
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pA
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
P沟道( 4025 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
b
0 3
b
2 0
b
0 25
b
1 0
0 145
03
0 12
0 25
05
06
0 095
02
b
0 095
b
0 24
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 145
P沟道( 4023 ) (注2 )V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 35
输入电流
b
0 12
b
0 5
b
0 3
b
1 2
10
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证,他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
I
D
N和I
D
P的测试1输出的时间
3
AC电气特性
T
A
e
25 C C
L
e
15 pF的输入上升和下降时间
e
20 ns典型
温度系数V的所有值
DD
e
0 3% C
符号
CD4025M
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
CD4025C
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
CD4023M
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
CD4023C
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
C
I
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
50
25
50
25
75
50
75
40
50
100
50
100
50
150
100
125
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
50
25
50
25
75
50
75
40
50
75
40
75
40
125
75
100
60
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pF
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
35
25
35
25
65
35
65
35
50
80
55
120
65
200
115
300
125
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟时间
高到低级别
传播延迟时间
从低到高级别
转换时间
高到低级别
转换时间
从低到高级别
输入电容
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
任何输入
35
25
35
25
65
35
65
35
50
50
40
40
70
125
70
175
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
参数
条件
典型值
最大
单位
AC参数都保证了DC相关测试
4
物理尺寸
英寸(毫米)
陶瓷双列直插式封装(J )
订单号CD4023MJ CD4023CJ CD4025MJ或CD4025CJ
NS包装数J14A
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CD4025C
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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