CD40257BMS
1992年12月
CMOS四路2号线至1号线
数据选择器/多路复用器
引脚
CD40257BMS
顶视图
特点
高压型（ 20V额定值）
??三态输出
100 ％测试静态电流为20V
输入选择1
16 VDD
15输出禁止
14 A4
13 B4
12 D4
11 A3
10 B3
9 D3
5V ， 10V和15V参数额定值
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄的温度范围;为100nA ，在18V和+25
o
C
噪声余量（在整个封装/温度范围）
- 1V在VDD = 5V
- 2V在VDD = 10V
- 在2.5V VDD = 15V
标准化对称的输出特性
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号， “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
A1 2
B1 3
D1 4
A2 5
B2 6
D2 7
VSS 8
应用
数字复用
右移/左移寄存器
真/补码的选择
工作原理图
产量
关闭
15
A1
B1
2
3
5
6
11
A3
B3
A4
B4
10
14
13
1
输入
SELECT
VDD = 16
VSS = 8
12
D4
9
D3
7
D2
4
D1
描述
CD40257BMS是一个数据选择器/多路转换器具有三个
态输出，可直接与驱动器和数据接口
公交线路导向系统。
该CD40257BMS在这些16引脚外形提供
包：
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4T
H1E
H3X
A2
B2
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3364
7-1442
特定网络阳离子CD40257BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻
θ
ja
θ
jc
o
C / W
o
C / W
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
20
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于T
A
= -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于T
A
= +100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于T
A
=全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ，无负载
VDD = 15V ，无负载（注3 ）
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
VDD = 15V ，输出电压= 13.5V
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
三态输出
泄漏
VIL
VIH
VIL
VIH
IOZL
VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V
VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ， VOL < 1.5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ， VOL < 1.5V
VIN = VDD和GND
VOUT = 0V
VDD = 20V
VDD = 18V
三态输出
泄漏
IOZH
VIN = VDD和GND
VOUT = VDD
VDD = 20V
VDD = 18V
注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
A组
亚
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2
3
1
2
3
+25
+25
o
C,
o
C,
范围
温度
+25
o
C
+125
-55
+25
o
C
o
C
o
C
o
C
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
最大
2
200
2
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
+125
+25
-55
-55
o
C
o
C
+125
o
C
o
C
+125
o
C,
+125
o
C,
+25 C
+25
o
C
+25
+25
+25
+25
+25
o
C
o
-55
o
C
-55
o
C
-
14.95
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
+25
o
C
o
C
o
+25 C
o
C
o
C
+25
o
C
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
-55
o
C
o
C
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
-
3.5
-
11
-0.4
-12
-0.4
-
-
-
1.5
-
4
-
-
-
-
0.4
12
0.4
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-1443
特定网络阳离子CD40257BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
300
405
380
513
190
257
200
270
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
数据的输入输出
传播延迟
选择输出
符号
TPHL1
TPLH1
的TPH1
TPLH2
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注1,2 ）
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注1,2 ）
传播延迟
TPZH ， HZ VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
输出禁止到输出TPZL ， LZ （注2,3）
转换时间
TTHL
tTLH
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注1,2 ）
注意事项：
1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
3， CL = 50pF的， RL = 1K ，输入TR ， TF <为20ns 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL10
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL15
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5A
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5B
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH10
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH15
VDD = 15V ， VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
30
2
60
2
120
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
7-1444
特定网络阳离子CD40257BMS
表3.电气性能特性
（续）
范围
参数
输入电压低
输入电压高
传播延迟
数据输入到输出
传播延迟
选择输出
符号
VIL
VIH
TPHL1
TPLH1
TPHL2
TPLH2
条件
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
笔记
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
+7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
3
-
140
100
170
130
100
80
100
80
7.5
单位
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟
TPZH ， HZ VDD = 10V
输出禁止到输出TPZL ， LZ
VDD = 15V
转换时间
TTHL
tTLH
CIN
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
4， CL = 50pF的， RL = 1K ，输入TR ， TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
7.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
o
C
参数
电源电流 - MSI- 1
输出电流（漏）
输出电流（源）
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
0.2A
±
20 ％×预试阅
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
7-1445
特定网络阳离子CD40257BMS
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
临时测试3 （后残影）
的PDA （注1）
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
1, 7, 9
1 ，2，3 ， 8A，8B， 9
亚组1 ， 2 3
子群1，2， 3，9 ，10，11
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
法
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
（注1 ）
静态老化测试2
（注1 ）
动态烙印
在（注1 ）
放射
（注2 ）
注意事项：
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 ％ ， VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败，
VDD = 10V
±
0.5V
开放
4, 7, 9, 12
4, 7, 9, 12
-
4, 7, 9, 12
地
1-3, 5, 6, 8, 10, 11,
13-15
8, 15
8, 15
8
VDD
16
1-3, 5, 6, 10, 11,
13, 14, 16
16
1-3, 5, 6, 10, 11,
13-16
4, 7, 9, 12
2, 3, 5, 6, 10, 11,
13, 14
1
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
7-1446
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版权
1998年，德州仪器
CD4023BM CD4023BC缓冲三路3输入与非门
CD4025BM CD4025BC缓冲的三重3输入NOR门
1988年2月
CD4023BM CD4023BC
缓冲的三重3输入与非门
CD4025BM CD4025BC
缓冲的三重3输入NOR门
概述
这三重门是单片互补MOS
用N型和P信构造（CMOS）集成电路
NEL增强型晶体管他们有平等的来源
和吸收电流的能力，并符合标准的B SE-
里斯输出驱动装置也有缓冲输出
它通过提供非常完善的传输特性
高增益所有的输入保护，防止静电放电
与二极管V
DD
和V
SS
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
3 0V至15V
高噪声抗扰度
0 45 V
DD
（典型值）
低功耗TTL
扇出2驾驶74L
兼容性
或1驾驶74LS
5V 15V 10V-额定参数
对称的输出特性
最大输入漏电流1
mA
在15V以上全
温度范围
连接图
CD4023BM CD4023BC
双列直插式封装
CD4025BM CD4025BC
双列直插式封装
TL F 5956 - 1
TL F 5956 - 2
顶视图
订单号CD4023B或CD4025B
顶视图
C
1995年全国半导体公司
TL F 5956
RRD - B30M105印制在U S A
DC电气特性
CD4023BC
符号
I
DD
参数
静态器件电流V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
低电平输出电压V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
高电平输出电压V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
低电平输入电压
V
DD
e
5V V
O
e
4 5V
V
DD
e
10V V
O
e
9 0V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V
V
DD
e
10V V
O
e
1 0V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
条件
CD4025BC （注2）
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
典型值
10
20
40
0 05
0 05
0 05
民
典型值
0 004
0 005
0 006
0
0
0
最大
10
20
40
0 05
0 05
0 05
民
最大
75
15
30
0 05
0 05
0 05
V
OL
V
OH
4 95
9 95
14 95
4 95
9 95
14 95
15
30
40
5
10
15
2
4
6
15
30
40
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 36
0 90
24
b
0 36
b
0 90
b
2 4
b
1 0
V
IL
V
IH
高电平输入电压
I
OL
低电平输出电流V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
（注3）
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
(
(
ll
l
I
O
l
k
1mA
I
O
k
1mA
35
70
11 0
0 52
13
36
b
0 52
b
1 3
b
3 6
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
35
70
11 0
0 44
11
30
3
6
9
0 88
22
8
I
OH
高电平输出电流V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
（注3）
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
输入电流
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
b
0 44
b
0 88
b
1 1
b
2 2
b
3 0
b
8
b
0 3
b
10
b
5
b
0 3
I
IN
03
10
b
5
03
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应在这些限制“推荐工作条件' '和''电气特性'' '的表提供了条件，实际设备进行操作
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OH
我
OL
在测试一个输出一次
原理图
CD4025BM CD4025BC
图中所示的设备
所有输入受保护
通过标准CMOS输入
保护电路
TL F 5956 - 4
3
AC电气特性
符号
参数
T
A
e
25 C C
L
e
50 pF的
L
e
200k的，除非另有说明
条件
民
CD4023BC
CD4023BM
典型值
130
60
40
110
50
35
90
50
40
5
17
最大
250
100
70
250
100
70
200
100
80
75
民
CD4025BC
CD4025BM
典型值
130
60
40
120
60
40
90
50
40
5
17
最大
250
100
70
250
100
70
200
100
80
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
单位
t
PHL
传输延迟高到低级别
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
任何输入
任意门
t
PLH
传输延迟低到高级别
t
THL
t
TLH
C
IN
C
PD
转换时间
平均输入电容
功率耗散能力（注4 ）
AC参数都保证了DC相关测试
注4
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明，请参见54C 74C家族特征的应用程序的空载交流电耗
笔记AN- 90
4
物理尺寸
英寸（毫米）
陶瓷双列直插式封装（J ）
订单号CD4023BMJ CD4023BCJ CD4025BMJ或CD4025BCJ
NS包装数J14A
5
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围
CD4023M CD4025M
CD4023C CD4025C
V
SS
b
到V
DD
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
存储温度范围
功耗（P
D
)
双列直插式
小尺寸
工作V
DD
范围
焊接温度
（焊接10秒）
b
65℃，以
a
150 C
700毫瓦
500毫瓦
V
SS
a
3 0V至V
SS
a
15V
260 C
DC电气特性
CD4023M
符号
参数
条件
CD4025M
范围
b
55 C
a
25 C
a
125 C
单位
民
I
L
P
D
V
OL
V
OH
V
NL
V
NH
I
D
N
I
D
P
I
D
N
I
D
P
I
I
静态器件
当前
静态器件
耗散封装
输出电压
低层
输出电压
高层
噪声抗扰度
（所有输入）
噪声抗扰度
（所有输入）
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
3 6V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
7 2V我
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 95V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
2 9V我
O
e
0A
4 95
9 95
15
30
14
29
05
11
最大
0 05
01
0 25
10
0 05
0 05
民
典型值
最大
民
最大
30
60
15
60
0 05
0 05
mA
mA
mW
mW
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pA
0 001 0 05
0 001 0 1
0 005 0 25
0 01 1 0
0
0
4 95
9 95
15
30
15
30
0 40
09
b
0 5
b
0 5
0 05
0 05
4 95
9 95
14
29
15
30
0 28
0 65
b
0 35
b
0 35
50
10
2 25
45
2 25
45
10
25
b
2 0
b
1 0
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道（ 4025 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 62
P沟道（ 4025 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 62
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道（ 4023 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
0 31
0 63
0 25
05
05
06
0 175
0 35
b
0 175
b
0 4
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 31
P沟道（ 4023 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 75
输入电流
b
0 25
b
0 5
b
0 6
b
1 2
10
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
I
D
N和I
D
P的测试1输出的时间
2
DC电气特性
CD4023C
符号
参数
条件
CD4025C
范围
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
民
I
L
P
D
V
OL
V
OH
I
I
V
NL
V
NH
I
D
N
I
D
P
I
D
N
I
D
P
I
I
静态器件
当前
静态器件
耗散封装
输出电压
低层
输出电压
高层
输入电流
噪声抗扰度
（所有输入）
噪声抗扰度
（所有输入）
V
DD
e
5 0V V
O
e
3 6V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
7 2V我
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 95V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
2 9V我
O
e
0A
15
30
14
29
0 35
0 72
b
0 35
b
0 3
最大
0 05
50
25
50
0 01
0 01
民
典型值
最大
民
最大
15
30
75
300
0 05
0 05
mA
mA
mW
mW
V
V
V
V
pA
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
4 99
9 99
0 005 0 5
0 005 5 0
0 025 2 5
0 05 50
0
0
4 99
9 99
50
10
10
15
30
15
30
03
06
2 25
45
2 25
45
10
25
14
29
15
30
0 24
0 48
b
0 24
b
0 2
0 01
0 01
4 95
9 95
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pA
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道（ 4025 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
P沟道（ 4025 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道（ 4023 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
b
0 3
b
2 0
b
0 25
b
1 0
0 145
03
0 12
0 25
05
06
0 095
02
b
0 095
b
0 24
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 145
P沟道（ 4023 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 35
输入电流
b
0 12
b
0 5
b
0 3
b
1 2
10
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
I
D
N和I
D
P的测试1输出的时间
3
物理尺寸
英寸（毫米）
陶瓷双列直插式封装（J ）
订单号CD4023MJ CD4023CJ CD4025MJ或CD4025CJ
NS包装数J14A
5
QQ：2880707522 复制
