CD40257BMS
1992年12月
CMOS四路2号线至1号线
数据选择器/多路复用器
引脚
CD40257BMS
顶视图
特点
高压型（ 20V额定值）
??三态输出
100 ％测试静态电流为20V
输入选择1
16 VDD
15输出禁止
14 A4
13 B4
12 D4
11 A3
10 B3
9 D3
5V ， 10V和15V参数额定值
1μA的18V在整个封装的最大输入电流
年龄的温度范围;为100nA ，在18V和+25
o
C
噪声余量（在整个封装/温度范围）
- 1V在VDD = 5V
- 2V在VDD = 10V
- 在2.5V VDD = 15V
标准化对称的输出特性
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号， “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
A1 2
B1 3
D1 4
A2 5
B2 6
D2 7
VSS 8
应用
数字复用
右移/左移寄存器
真/补码的选择
工作原理图
产量
关闭
15
A1
B1
2
3
5
6
11
A3
B3
A4
B4
10
14
13
1
输入
SELECT
VDD = 16
VSS = 8
12
D4
9
D3
7
D2
4
D1
描述
CD40257BMS是一个数据选择器/多路转换器具有三个
态输出，可直接与驱动器和数据接口
公交线路导向系统。
该CD40257BMS在这些16引脚外形提供
包：
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
H4T
H1E
H3X
A2
B2
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3364
7-1442
特定网络阳离子CD40257BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
（电压参考VSS端子）
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D，F ， K，H
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度（焊接时） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59毫米
±
0.79毫米）从案例
10S最大
可靠性信息
热阻
θ
ja
θ
jc
o
C / W
o
C / W
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
20
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗（ PD ） ，在125
o
C
对于T
A
= -55
o
C至+100
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于T
A
= +100
o
C至+ 125
o
C（封装类型D，F ， K） 。 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于T
A
=全包温度范围（所有封装类型）
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
（注1 ）
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（漏）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
输出电流（源）
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ，无负载
VDD = 15V ，无负载（注3 ）
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
VDD = 15V ，输出电压= 13.5V
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 2.8V ， VIN = VDD和GND
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
输入电压低
（注2 ）
输入电压高
（注2 ）
三态输出
泄漏
VIL
VIH
VIL
VIH
IOZL
VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V
VDD = 5V ， VOH > 4.5V ， VOL < 0.5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ， VOL < 1.5V
VDD = 15V ， VOH > 13.5V ， VOL < 1.5V
VIN = VDD和GND
VOUT = 0V
VDD = 20V
VDD = 18V
三态输出
泄漏
IOZH
VIN = VDD和GND
VOUT = VDD
VDD = 20V
VDD = 18V
注： 1.所有电压参考器件GND ， 100 ％的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
A组
亚
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2
3
1
2
3
+25
+25
o
C,
o
C,
范围
温度
+25
o
C
+125
-55
+25
o
C
o
C
o
C
o
C
民
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
最大
2
200
2
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
+125
+25
-55
-55
o
C
o
C
+125
o
C
o
C
+125
o
C,
+125
o
C,
+25 C
+25
o
C
+25
+25
+25
+25
+25
o
C
o
-55
o
C
-55
o
C
-
14.95
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
+25
o
C
o
C
o
+25 C
o
C
o
C
+25
o
C
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
-55
o
C
o
C
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
-
3.5
-
11
-0.4
-12
-0.4
-
-
-
1.5
-
4
-
-
-
-
0.4
12
0.4
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
3.对于精确度，电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-1443
特定网络阳离子CD40257BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
300
405
380
513
190
257
200
270
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
数据的输入输出
传播延迟
选择输出
符号
TPHL1
TPLH1
的TPH1
TPLH2
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注1,2 ）
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注1,2 ）
传播延迟
TPZH ， HZ VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
输出禁止到输出TPZL ， LZ （注2,3）
转换时间
TTHL
tTLH
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
（注1,2 ）
注意事项：
1. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障，正在实施100 ％检验。
3， CL = 50pF的， RL = 1K ，输入TR ， TF <为20ns 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V ， VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V ， VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流（漏）
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，空载
VDD = 10V ，无负载
VDD = 5V ，输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL10
VDD = 10V ，输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（漏）
IOL15
VDD = 15V ，输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5A
VDD = 5V ，输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH5B
VDD = 5V ， VOUT = 2.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH10
VDD = 10V ，输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流（源）
IOH15
VDD = 15V ， VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
30
2
60
2
120
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
7-1444
特定网络阳离子CD40257BMS
表3.电气性能特性
（续）
范围
参数
输入电压低
输入电压高
传播延迟
数据输入到输出
传播延迟
选择输出
符号
VIL
VIH
TPHL1
TPLH1
TPHL2
TPLH2
条件
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
VDD = 10V ， VOH > 9V ， VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
笔记
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
+7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
3
-
140
100
170
130
100
80
100
80
7.5
单位
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
传播延迟
TPZH ， HZ VDD = 10V
输出禁止到输出TPZL ， LZ
VDD = 15V
转换时间
TTHL
tTLH
CIN
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的，并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布，一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的，RL = 200K，输入TR ，TF <为20ns 。
4， CL = 50pF的， RL = 1K ，输入TR ， TF <为20ns 。
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V ， VIN = VDD和GND
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VDD = 10V ， ISS = -10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VSS = 0V ， IDD = 10μA
VDD = 18V ， VIN = VDD和GND
VDD = 3V ， VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
7.5
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项： 1.参考设备GND所有电压。
2，CL = 50pF的， RL = 200K ，输入TR ， TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
o
C
参数
电源电流 - MSI- 1
输出电流（漏）
输出电流（源）
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
0.2A
±
20 ％×预试阅
±
20 ％×预试阅
DELTA LIMIT
7-1445
特定网络阳离子CD40257BMS
表6.适用子群
符合的集团
初步测试（预残影）
中期测试1 （后残影）
临时测试2 （后残影）
的PDA （注1）
临时测试3 （后残影）
的PDA （注1）
最终测试
A组
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
MIL-STD-883
法
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
100% 5004
样本5005
样本5005
样本5005
样本5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
1, 7, 9
1 ，2，3 ， 8A，8B， 9
亚组1 ， 2 3
子群1，2， 3，9 ，10，11
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
读取并记录
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
国际直拨电话， IOL5 ， IOH5A
注： 1。 5 ％ Parameteric ， 3 ％的功能;累积的静态1和2 。
表7.总剂量辐射
MIL-STD-883
法
5005
TEST
PRE - IRRAD
1, 7, 9
后IRRAD
表4
读取并记录
PRE - IRRAD
1, 9
后IRRAD
表4
合规组
E组小组2
表8. BURN -IN和辐射测试连接
振荡器
功能
静态老化测试1
（注1 ）
静态老化测试2
（注1 ）
动态烙印
在（注1 ）
放射
（注2 ）
注意事项：
1.除VDD和GND每个引脚将有10K串联电阻
±
5 ％ ， VDD = 18V
±
0.5V
2.除VDD和GND每个引脚将有47K串联电阻
±
5％ ; E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆， 0失败，
VDD = 10V
±
0.5V
开放
4, 7, 9, 12
4, 7, 9, 12
-
4, 7, 9, 12
地
1-3, 5, 6, 8, 10, 11,
13-15
8, 15
8, 15
8
VDD
16
1-3, 5, 6, 10, 11,
13, 14, 16
16
1-3, 5, 6, 10, 11,
13-16
4, 7, 9, 12
2, 3, 5, 6, 10, 11,
13, 14
1
9V
±
-0.5V
50kHz
25kHz
7-1446
重要通知
德州仪器（TI）及其附属公司（ TI）保留随时修改他们的产品或终止的权利
任何产品或服务，恕不另行通知，并告知客户获得相关信息的最新版本
验证，在下订单之前，该信息被依靠的最新及完整。所有产品的销售
受在订单确认时所提供的销售条款和条件，包括
关于保修，专利侵权，并赔偿责任限制。
其半导体产品的TI保证产品性能在销售的时候规格
根据TI的标准保修服务。测试和其它质量控制技术被利用的程度
TI认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定
除了那些由政府强制要求执行。
采用半导体产品的某些应用程序可能涉及的潜在风险
死亡，人身伤害，或严重的财产或环境损害（ “ CRITICAL
应用程序“） 。 TI半导体产品并非设计，授权，或
担保能适用用于生命支持设备或系统或其他
关键应用。 TI产品在这些应用中夹杂物被理解为
完全根据客户的风险。
为了最小化与用户的应用程序，适当的设计与操作相关的风险
保障措施必须由客户提供，以尽量减少固有的或程序上的危害。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。 TI不声明或保证
任何许可，无论是明示或暗示，是任何专利权，版权，屏蔽作品权或其他准予下
TI覆盖或与之相关的任何组合，机器或流程的知识产权进行此类
半导体产品或服务可能使用或正在使用。 TI的对任何第三方公布的信息
方的产品或服务不构成TI的批准，保证或认可。
版权
1998年，德州仪器
CD4023BM CD4023BC缓冲三路3输入与非门
CD4025BM CD4025BC缓冲的三重3输入NOR门
1988年2月
CD4023BM CD4023BC
缓冲的三重3输入与非门
CD4025BM CD4025BC
缓冲的三重3输入NOR门
概述
这三重门是单片互补MOS
用N型和P信构造（CMOS）集成电路
NEL增强型晶体管他们有平等的来源
和吸收电流的能力，并符合标准的B SE-
里斯输出驱动装置也有缓冲输出
它通过提供非常完善的传输特性
高增益所有的输入保护，防止静电放电
与二极管V
DD
和V
SS
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
宽电源电压范围
3 0V至15V
高噪声抗扰度
0 45 V
DD
（典型值）
低功耗TTL
扇出2驾驶74L
兼容性
或1驾驶74LS
5V 15V 10V-额定参数
对称的输出特性
最大输入漏电流1
mA
在15V以上全
温度范围
连接图
CD4023BM CD4023BC
双列直插式封装
CD4025BM CD4025BC
双列直插式封装
TL F 5956 - 1
TL F 5956 - 2
顶视图
订单号CD4023B或CD4025B
顶视图
C
1995年全国半导体公司
TL F 5956
RRD - B30M105印制在U S A
DC电气特性
CD4023BC
符号
I
DD
参数
静态器件电流V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
低电平输出电压V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
高电平输出电压V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
低电平输入电压
V
DD
e
5V V
O
e
4 5V
V
DD
e
10V V
O
e
9 0V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V
V
DD
e
10V V
O
e
1 0V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
条件
CD4025BC （注2）
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
典型值
10
20
40
0 05
0 05
0 05
民
典型值
0 004
0 005
0 006
0
0
0
最大
10
20
40
0 05
0 05
0 05
民
最大
75
15
30
0 05
0 05
0 05
V
OL
V
OH
4 95
9 95
14 95
4 95
9 95
14 95
15
30
40
5
10
15
2
4
6
15
30
40
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 36
0 90
24
b
0 36
b
0 90
b
2 4
b
1 0
V
IL
V
IH
高电平输入电压
I
OL
低电平输出电流V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
（注3）
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
(
(
ll
l
I
O
l
k
1mA
I
O
k
1mA
35
70
11 0
0 52
13
36
b
0 52
b
1 3
b
3 6
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
35
70
11 0
0 44
11
30
3
6
9
0 88
22
8
I
OH
高电平输出电流V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
（注3）
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
输入电流
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
b
0 44
b
0 88
b
1 1
b
2 2
b
3 0
b
8
b
0 3
b
10
b
5
b
0 3
I
IN
03
10
b
5
03
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应在这些限制“推荐工作条件' '和''电气特性'' '的表提供了条件，实际设备进行操作
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OH
我
OL
在测试一个输出一次
原理图
CD4025BM CD4025BC
图中所示的设备
所有输入受保护
通过标准CMOS输入
保护电路
TL F 5956 - 4
3
AC电气特性
符号
参数
T
A
e
25 C C
L
e
50 pF的
L
e
200k的，除非另有说明
条件
民
CD4023BC
CD4023BM
典型值
130
60
40
110
50
35
90
50
40
5
17
最大
250
100
70
250
100
70
200
100
80
75
民
CD4025BC
CD4025BM
典型值
130
60
40
120
60
40
90
50
40
5
17
最大
250
100
70
250
100
70
200
100
80
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
单位
t
PHL
传输延迟高到低级别
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
任何输入
任意门
t
PLH
传输延迟低到高级别
t
THL
t
TLH
C
IN
C
PD
转换时间
平均输入电容
功率耗散能力（注4 ）
AC参数都保证了DC相关测试
注4
C
PD
决定任何CMOS器件有关完整说明，请参见54C 74C家族特征的应用程序的空载交流电耗
笔记AN- 90
4
物理尺寸
英寸（毫米）
陶瓷双列直插式封装（J ）
订单号CD4023BMJ CD4023BCJ CD4025BMJ或CD4025BCJ
NS包装数J14A
5
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电压的任何引脚
工作温度范围
CD4023M CD4025M
CD4023C CD4025C
V
SS
b
到V
DD
a
0 3V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
存储温度范围
功耗（P
D
)
双列直插式
小尺寸
工作V
DD
范围
焊接温度
（焊接10秒）
b
65℃，以
a
150 C
700毫瓦
500毫瓦
V
SS
a
3 0V至V
SS
a
15V
260 C
DC电气特性
CD4023M
符号
参数
条件
CD4025M
范围
b
55 C
a
25 C
a
125 C
单位
民
I
L
P
D
V
OL
V
OH
V
NL
V
NH
I
D
N
I
D
P
I
D
N
I
D
P
I
I
静态器件
当前
静态器件
耗散封装
输出电压
低层
输出电压
高层
噪声抗扰度
（所有输入）
噪声抗扰度
（所有输入）
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
3 6V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
7 2V我
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 95V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
2 9V我
O
e
0A
4 95
9 95
15
30
14
29
05
11
最大
0 05
01
0 25
10
0 05
0 05
民
典型值
最大
民
最大
30
60
15
60
0 05
0 05
mA
mA
mW
mW
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pA
0 001 0 05
0 001 0 1
0 005 0 25
0 01 1 0
0
0
4 95
9 95
15
30
15
30
0 40
09
b
0 5
b
0 5
0 05
0 05
4 95
9 95
14
29
15
30
0 28
0 65
b
0 35
b
0 35
50
10
2 25
45
2 25
45
10
25
b
2 0
b
1 0
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道（ 4025 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 62
P沟道（ 4025 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 62
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道（ 4023 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
0 31
0 63
0 25
05
05
06
0 175
0 35
b
0 175
b
0 4
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 31
P沟道（ 4023 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 75
输入电流
b
0 25
b
0 5
b
0 6
b
1 2
10
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
I
D
N和I
D
P的测试1输出的时间
2
DC电气特性
CD4023C
符号
参数
条件
CD4025C
范围
b
40 C
a
25 C
a
85 C
单位
民
I
L
P
D
V
OL
V
OH
I
I
V
NL
V
NH
I
D
N
I
D
P
I
D
N
I
D
P
I
I
静态器件
当前
静态器件
耗散封装
输出电压
低层
输出电压
高层
输入电流
噪声抗扰度
（所有输入）
噪声抗扰度
（所有输入）
V
DD
e
5 0V V
O
e
3 6V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
7 2V我
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 95V我
O
e
0A
V
DD
e
10V V
O
e
2 9V我
O
e
0A
15
30
14
29
0 35
0 72
b
0 35
b
0 3
最大
0 05
50
25
50
0 01
0 01
民
典型值
最大
民
最大
15
30
75
300
0 05
0 05
mA
mA
mW
mW
V
V
V
V
pA
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
DD
I
O
e
0A
V
DD
e
5 0V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
V
DD
e
10V V
I
e
V
SS
I
O
e
0A
4 99
9 99
0 005 0 5
0 005 5 0
0 025 2 5
0 05 50
0
0
4 99
9 99
50
10
10
15
30
15
30
03
06
2 25
45
2 25
45
10
25
14
29
15
30
0 24
0 48
b
0 24
b
0 2
0 01
0 01
4 95
9 95
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
pA
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道（ 4025 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
P沟道（ 4025 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
0 4V V
I
e
V
DD
N沟道（ 4023 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
0 5V V
I
e
V
DD
b
0 3
b
2 0
b
0 25
b
1 0
0 145
03
0 12
0 25
05
06
0 095
02
b
0 095
b
0 24
输出驱动电流
V
DD
e
5 0V V
O
e
2 5V V
I
e
V
SS
b
0 145
P沟道（ 4023 ） （注2 ）V
DD
e
10V V
O
e
9 5V V
I
e
V
SS
b
0 35
输入电流
b
0 12
b
0 5
b
0 3
b
1 2
10
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
I
D
N和I
D
P的测试1输出的时间
3
物理尺寸
英寸（毫米）
陶瓷双列直插式封装（J ）
订单号CD4023MJ CD4023CJ CD4025MJ或CD4025CJ
NS包装数J14A
5
QQ：2881677436 复制
