CD4019BM CD4019BC四与或选择门
1988年2月
CD4019BM CD4019BC四与或选择门
概述
该CD4019BM CD4019BC是互补MOS四
与或选择栅极低功耗和高噪声裕度
在很宽的电压范围内可以通过implementa-
化的N-和P-沟道增强型晶体管
这些互补MOS （CMOS）晶体管提供
在4' 'AND -OR选择'门的配置积木
系统蒸发散各包括两个2输入与门驱动
单2输入或门的选择是通过控制实现
位
A
和K
B
所有的输入保护，防止静电解散
负责伤害
特点
Y
Y
Y
宽电源电压范围
高噪声抗扰度
低功耗TTL
兼容性
3 0V至15V
0 45 V
DD
（典型值）
扇出2驾驶74L
或1驾驶74LS
应用
Y
Y
Y
Y
与或选择门
按住Shift键并向右移位寄存器左
真正的补充选择
和或异或的选择
连接和原理图
双列直插式封装
订单号CD4019B
TL F 5952 - 1
顶视图
1 4的相同阶段示意图
C
1995年全国半导体公司
TL F 5952
TL F 5952 -2
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
)
存储温度范围（T
S
)
功耗（P
D
)
双列直插式
小尺寸
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5V
a
18V
b
0 5V至V
DD
a
0 5V
b
65℃，以
a
150 C
推荐工作
条件
（注2 ）
直流电源电压（V
DD
)
输入电压（V
IN
)
工作温度范围（T
A
)
CD4019BM
CD4019BC
a
3V至
a
15V
0V至V
DD
V
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
700毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
CD4019BM （注2）
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
低层
输出电压
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
b
55 C
a
25 C
a
125 C
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
最大
0 25
05
10
0 05
0 05
0 05
民
典型值
0 03
0 05
0 07
0
0
0
最大
0 25
05
10
0 05
0 05
0 05
民
最大
75
15
30
0 05
0 05
0 05
V
OL
l
I
O
l
k
1
mA
V
OH
高层
输出电压
l
I
O
l
k
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1 0V或9 0V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1 0V或9 0V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 64
16
42
b
0 25
b
0 62
b
1 8
b
0 10
4 95
9 95
14 95
5
10
15
2
4
6
15
30
40
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 36
09
24
b
0 14
b
0 35
b
1 1
b
0 10
b
1 0
V
IL
低层
输入电压
高层
输入电压
低电平输出
电流（注3）
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
IH
35
70
11 0
0 51
13
34
b
0 2
b
0 5
b
1 5
3
6
9
1
25
10
b
0 4
b
1 0
b
3 0
b
10
b
5
I
OL
I
OH
高电平输出V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
电流（注3）
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
输入电流
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
I
IN
0 10
10
b
5
0 10
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OH
我
OL
在测试一个输出一次
2
DC电气特性
CD4019BC （注2）
符号
I
DD
参数
静态器件
当前
低层
输出电压
条件
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
b
55 C
a
25 C
a
125 C
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
民
最大
1
2
4
0 05
0 05
0 05
民
典型值
0 03
0 05
0 07
0
0
0
最大
1
2
4
0 05
0 05
0 05
民
最大
75
15
30
0 05
0 05
0 05
V
OL
l
I
O
l
k
1
mA
V
OH
高层
输出电压
l
I
O
l
k
1
mA
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1 0V或9 0V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 5V或5V 4
V
DD
e
10V V
O
e
1 0V或9 0V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V或5V 13
V
DD
e
5V V
O
e
0 4V
V
DD
e
10V V
O
e
0 5V
V
DD
e
15V V
O
e
1 5V
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 52
13
36
b
0 2
b
0 5
b
1 4
b
0 30
4 95
9 95
14 95
5
10
15
2
4
6
15
30
40
4 95
9 95
14 95
15
30
40
35
70
11 0
0 36
09
24
b
0 12
b
0 3
b
1 0
b
0 30
b
1 0
V
IL
低层
输入电压
高层
输入电压
低电平输出
电流（注3）
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
IH
35
70
11 0
0 44
11
30
b
0 16
b
0 4
b
1 2
3
6
9
1
25
10
b
0 4
b
1 0
b
3 0
b
10
b
5
I
OL
I
OH
高电平输出V
DD
e
5V V
O
e
4 6V
电流（注3）
V
DD
e
10V V
O
e
9 5V
V
DD
e
15V V
O
e
13 5V
输入电流
V
DD
e
15V V
IN
e
0V
V
DD
e
15V V
IN
e
15V
I
IN
0 30
10
b
5
0 30
10
mA
mA
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行'推荐工作条件' '和''电气特性'的表格提供了器件的实际情况
手术
注2
V
SS
e
0V ，除非另有说明
注3
I
OH
我
OL
在测试一个输出一次
AC电气特性
符号
t
PHL
t
PLH
t
THL
参数
传播延迟
输入到输出
高到低的水平
转换时间
低到高的电平
转换时间
输入电容
T
A
e
25 C C
L
e
50 pF的
L
e
200k的，除非另有说明
条件
民
典型值
100
50
45
100
50
40
150
70
50
5
10
最大
300
120
100
200
100
80
300
140
100
75
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
V
DD
e
5V
V
DD
e
10V
V
DD
e
15V
所有的A和B输入
K
A
和K
B
输入
t
TLH
C
IN
AC参数都保证了DC相关测试
3
CD4019BM CD4019BC四与或选择门
物理尺寸
英寸（毫米） （续）
陶瓷双列直插式封装（J ）
订单号CD4019BMJ或CD4019BCJ
NS包装数J16A
模压双列直插式封装（ N）
订单号CD4019BMN或CD4019BCN
NS包装数N16E
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可，国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中（ a）打算通过外科手术移植系统
进入体内或（b ）支持或维持生命，其
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话：1（800 ） 272-9959
传真：1（800 ） 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真（
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话（
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语（
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话（
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话（
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
（香港）有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话：（ 852 ） 1637至00年
传真：（ 852 ） 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间，恕不另行通知更改上述电路和规格
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS029C - 修订2003年10月
该CD4019B类型在16引脚提供
密封双列直插式陶瓷封装（ F3A
后缀） ， 16引脚双列直插式塑料封装（E
后缀） ， 16引脚小外形封装（M ， M96 ，
MT和NSR后缀） ，以及16引脚超薄紧缩
小外形封装（ PW和PWR后缀） 。
版权
2003年，德州仪器
封装选项附录
www.ti.com
28-Feb-2005
包装信息
订购设备
CD4019BE
CD4019BF
CD4019BF3A
CD4019BM
CD4019BM96
CD4019BMT
CD4019BNSR
CD4019BPW
CD4019BPWR
JM38510/05352BEA
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
包
TYPE
PDIP
CDIP
CDIP
SOIC
SOIC
SOIC
SO
TSSOP
TSSOP
CDIP
包
制图
N
J
J
D
D
D
NS
PW
PW
J
引脚封装环保计划
(2)
数量
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
25
1
1
40
2500
250
2000
90
2000
1
无铅
（符合RoHS ）
无
无
无铅
（符合RoHS ）
无铅
（符合RoHS ）
无铅
（符合RoHS ）
无铅
（符合RoHS ）
无铅
（符合RoHS ）
无铅
（符合RoHS ）
无
铅/焊球涂层
CU镍钯金
TI打电话
TI打电话
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
CU镍钯金
TI打电话
MSL峰值温度
(3)
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级-NC -NC -NC
等级- 2-260C - 1年/
Level-1-235C-UNLIM
等级- 2-260C - 1年/
Level-1-235C-UNLIM
等级- 2-260C - 1年/
Level-1-235C-UNLIM
等级- 2-260C - 1年/
Level-1-235C-UNLIM
Level-1-250C-UNLIM
Level-1-250C-UNLIM
等级-NC -NC -NC
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 可能目前还无法使用 - 请查看
http://www.ti.com/productcontent
最新供货信息和附加
产品内容的详细信息。
无：
尚未有铅（无铅） 。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着"Pb - Free" ，另外，使用不含有卤素的包装材料，
包括溴（Br）或锑（ Sb）的产品总重量的0.1％以上。
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDECindustry标准分类的湿度敏感等级评价和峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
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