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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第210页 > CD40194BMS
CD40104BMS,
CD40194BMS
1992年12月
CMOS 4位双向
通用移位寄存器
引脚配置
OUTPUT ENABLE 1
SHIFT RIGHT IN 2
D0 3
D1 4
D2 5
D3 6
转换级中7
VSS 8
特点
高压型( 20V额定值)
中速整箱= 12MHz时(典型值) ,在VDD = 10V
全静态工作
同步并行或串行操作
三态输出( CD40104BMS )
异步主复位( CD40194BMS )
5V , 10V和15V参数额定值
标准化对称的输出特性
符合JEDEC的暂行标准的所有要求
13B号, “标准特定网络阳离子的说明
'B'系列CMOS器件“
CD40104BMS
顶视图
16 VDD
15 Q0
14 Q1
13 Q2
12 Q3
11个时钟
10选择1
9选择0
应用
算术单元总线寄存器
串/并转换
通用寄存器总线有组织系统
- 通用寄存器
RESET 1
SHIFT RIGHT IN 2
D0 3
D1 4
D2 5
D3 6
转换级中7
VSS 8
CD40194BMS
顶视图
16 VDD
15 Q0
14 Q1
13 Q2
12 Q3
11个时钟
10选择1
9选择0
描述
该CD40104BMS是一个普遍的移位寄存器具有并行
输入,并行输出,右移和左移串行
输入,和一个高阻抗第三输出状态允许装置
在总线有组织的系统中使用。
在并行加载模式( S0和S1是高电平)时,数据被加载到
相关FL IP- FL运算并出现在之后的正输出
时钟输入的过渡。装载期间,串行数据溢流是
抑制。右移和左移是同步完成
与串行数据时钟上升沿时移位进入
右和左移位串行输入端。清除
寄存器是通过设置这两个模式控制实现低和
时钟寄存器。当输出使能输入端为低电平时,所有输出
假设该高阻抗状态。
该CD40194BMS是一个普遍的移位寄存器具有并行输入,
并行输出右移和左移串行输入,以及
直接压倒一切清零输入。在并行加载模式( S0和S1是
高)时,数据被加载到所述相关联的佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算并出现在输出
之后的时钟输入的上升沿把。装载期间,
串行数据溢流受到抑制。右移和左移都完成
同步地在正时钟与在所述输入数据边
右移和左移串行输入端。的时钟
该寄存器被禁止时都模式控制输入是低的。当
低, RESET复位输入的所有阶段,并强制所有输出低电平。该
CD40194BMS类似于行业类型340194和MC40194 。
该CD40104BMS和CD40194BMS系列类型在供应
这些16引脚外形封装
功能图
CD40104BMS
OUTPUT ENABLE
D0
D1
D2
D3
左移在
右移在
S0
模式选择
S1
时钟
3
4
5
6
7
2
9
10
11
1
15
Q0
14
Q1
13
Q2
12
Q3
VDD = 16
VSS = 8
CD40194BMS
RESET
D0
D1
D2
D3
左移在
右移在
S0
模式选择
S1
时钟
3
4
5
6
7
2
9
10
11
1
15
Q0
14
Q1
13
Q2
12
Q3
钎焊密封DIP
熔接密封DIP
陶瓷扁平
* CD40104B只有
* HNX ,
*H1L,
H6W
H4W
HIF
VDD = 16
VSS = 8
CD40194B只有
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
3352
7-1307
特定网络阳离子CD40104BMS , CD40194BMS
绝对最大额定值
直流电源电压范围( VDD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 20V
(电压参考VSS端子)
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VDD + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
封装类型D,F , K,H
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
焊接温度(焊接时) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
在距离1/16
±
1/32英寸( 1.59毫米
±
0.79毫米)从案例
10S最大
可靠性信息
热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
ja
θ
jc
o
C / W
o
C / W
陶瓷DIP和熔块封装。 。 。 。 。 80
20
扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70
o
C / W
20
o
C / W
最大封装功耗( PD ) ,在125
o
C
对于T
A
= -55
o
C至+100
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。 500mW的
对于T
A
= +100
o
C至+ 125
o
C(封装类型D,F , K) 。 。 。 。 。 。减额
线性在12MW /
o
C至200mW的
设备损耗每个输出晶体管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100mW
对于T
A
=全包温度范围(所有封装类型)
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
表1. DC电性能等特点
A组
1
2
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
输入漏电流
IIL
VIN = VDD和GND
VDD = 20V
VDD = 18V
输入漏电流
IIH
VIN = VDD和GND
VDD = 20V
VDD = 18V
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
输出电流(源)
N门限电压
P阈值电压
实用
VOL15
VOH15
IOL5
IOL10
IOL15
IOH5A
IOH5B
IOH10
IOH15
VNTH
VPTH
F
VDD = 15V ,无负载
VDD = 15V ,无负载(注3 )
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
VDD = 15V ,输出电压= 13.5V
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 2.8V , VIN = VDD和GND
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
输入电压低
(注2 )
输入电压高
(注2 )
三态输出
泄漏
VIL
VIH
VIL
VIH
IOZL
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 5V , VOH > 4.5V , VOL < 0.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VDD = 15V , VOH > 13.5V ,
VOL < 1.5V
VIN = VDD和GND
VOUT = 0V
VDD = 20V
VDD = 18V
三态输出
泄漏
IOZH
VIN = VDD和GND
VOUT = VDD
VDD = 20V
VDD = 18V
注: 1.所有电压参考器件GND , 100 %的性能测试
实现的。
2.进入/不合格测试与限制适用于输入。
3
1
2
3
1
2
3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
7
8A
8B
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2
3
1
2
3
+25
o
C,
范围
温度
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125 C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+125
o
C,
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-55
o
C
-
3.5
-
11
-0.4
-12
-0.4
-
-
-
1.5
-
4
-
-
-
-
0.4
12
0.4
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
-55
o
C
o
o
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
(注1 )
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
-
-
-
-100
-1000
-100
-
-
-
-
14.95
0.53
1.4
3.5
-
-
-
-
-2.8
0.7
最大
10
1000
10
-
-
-
100
1000
100
50
-
-
-
-
-0.53
-1.8
-1.4
-3.5
-0.7
2.8
单位
A
A
A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mV
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
VOH VOL > <
VDD / 2 VDD / 2
3.对于精确度,电压被差分测量到VDD。极限
为0.050V最大。
7-1308
特定网络阳离子CD40104BMS , CD40194BMS
表2. AC电性能等特点
A组
子群温
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
范围
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
2.22
最大
440
594
460
621
160
216
90
122
200
270
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
参数
传播延迟
时钟到Q
传播延迟
CD40194BMS重置为Q
传播延迟
CD40104BMS三态
传播延迟
CD40104BMS三态
转换时间
符号
的TPH1
TPLH
的TPH1
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注2,3)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注2,3)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
(注1,2)
tpZH
tPZL
tPLZ
tPHZ
TTHL
tTLH
整箱
最大时钟输入
频率
注意事项:
1. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
2. -55
o
C和+ 125
o
限额保障,正在实施100 %检验。
3. VDD = 5V , CL = 50pF的, RL = 1K ,输入TR , TF <为20ns 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电源电流
符号
国际直拨电话
条件
VDD = 5V , VIN = VDD和GND
笔记
1, 2
温度
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 10V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
VDD = 15V , VIN = VDD和GND
1, 2
-55
o
C, +25
o
C
+125
o
C
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电流(漏)
VOL
VOL
VOH
VOH
IOL5
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,空载
VDD = 10V ,无负载
VDD = 5V ,输出电压= 0.4V
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL10
VDD = 10V ,输出电压= 0.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(漏)
IOL15
VDD = 15V ,输出电压= 1.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH5A
VDD = 5V ,输出电压= 4.6V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
4.95
9.95
0.36
0.64
0.9
1.6
2.4
4.2
-
-
最大
5
150
10
300
10
600
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.36
-0.64
单位
A
A
A
A
A
A
mV
mV
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
7-1309
特定网络阳离子CD40104BMS , CD40194BMS
表3.电气性能特性
(续)
范围
参数
输出电流(源)
符号
IOH5B
条件
VDD = 5V , VOUT = 2.5V
笔记
1, 2
温度
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH10
VDD = 10V ,输出电压= 9.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输出电流(源)
IOH15
VDD = 15V , VOUT = 13.5V
1, 2
+125
o
C
-55
o
C
输入电压低
输入电压高
传播延迟
时钟到Q
传播延迟
CD40194B重置为Q
传播延迟
CD40104BMS三态
传播延迟
CD40104BMS三态
转换时间
VIL
VIH
的TPH1
TPLH
TPLH
的TPH1
tpZH
tPZL
tPLZ
tPHZ
VDD = 10V , VOH > 9V ,
VOL < 1V
VDD = 10V , VOH > 9V ,
VOL < 1V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 10V
VDD = 15V
TTHL
tTLH
TS
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小数据保持时间
D0 ,D3 SRIN , SLIN到
时钟
最小时钟脉冲
宽度
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
TW
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最大时钟上升和
下降时间
TRCL
tfCL
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
最小的数据设置
时间
选择1 ,选择0
时钟
最小数据保持时间
选择1 ,选择0
时钟
TS
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
TH
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3, 4
1, 2, 3, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 5
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
6
8
-
-
-
-
-
-
最大
-1.15
-2.0
-0.9
-1.6
-2.4
-4.2
3
-
200
140
180
130
70
50
50
40
100
80
100
70
50
0
0
0
180
80
50
-
-
-
400
220
130
0
0
0
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小的数据设置
时间, D0 , D3 , SRIN ,
SLIN时钟
7-1310
特定网络阳离子CD40104BMS , CD40194BMS
表3.电气性能特性
(续)
范围
参数
最小复位脉冲
宽度CD40194BMS
符号
TW
条件
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
输入电容
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.在表3中列出的参数是通过设计或过程控制的,并且不直接测试。这些参数为特征
在最初的设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
3. CL = 50pF的,RL = 200K,输入TR ,TF <为20ns 。
4, CL = 50pF的, RL = 1K ,输入TR , TF <为20ns 。
5.如果多个单元被级联, TRCL应小于或等于sumof的过渡时间和固定的传播
延迟的驱动级的估计容性负载的输出。
CIN
任何输入
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-
-
最大
300
200
140
7.5
单位
ns
ns
ns
pF
表4.辐照后的电气性能特性
范围
参数
电源电流
N门限电压
N门限电压
DELTA
P阈值电压
P阈值电压
DELTA
实用
符号
国际直拨电话
VNTH
ΔVTN
VTP
ΔVTP
F
条件
VDD = 20V , VIN = VDD和GND
VDD = 10V , ISS = -10μA
VDD = 10V , ISS = -10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VSS = 0V , IDD = 10μA
VDD = 18V , VIN = VDD和GND
VDD = 3V , VIN = VDD和GND
传播延迟时间
的TPH1
TPLH
VDD = 5V
1, 2, 3, 4
+25
o
C
笔记
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1, 4
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
-2.8
-
0.2
-
VOH >
VDD/2
-
最大
25
-0.2
±1
2.8
±1
VOL <
VDD/2
1.35 x
+25
o
C
极限
单位
A
V
V
V
V
V
ns
注意事项: 1.参考设备GND所有电压。
2,CL = 50pF的, RL = 200K ,输入TR , TF <为20ns 。
3.请参阅表2 25
o
限制。
4.阅读并记录
表5.老化和寿命测试DELTA参数+25
o
C
参数
电源电流 - MSI- 2
输出电流(漏)
输出电流(源)
符号
国际直拨电话
IOL5
IOH5A
±
1.0A
±
20 %×预试阅
±
20 %×预试阅
DELTA LIMIT
7-1311
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